説明

国際特許分類[H01L21/768]の内容

国際特許分類[H01L21/768]に分類される特許

41 - 50 / 5,422


【課題】絶縁膜上に良質のグラフェンを形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板上に触媒金属膜を形成する工程と、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを形成する工程と、グラフェン上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、第2の基板上に、第2の金属膜を形成する工程と、第1の金属膜の表面と第2の金属膜の表面とを対向させ、第1の金属膜と第2の金属膜とを接合する工程と、第1の基板を除去する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体装置の設計フローは、プラグPGに接続された配線M1を含むチップレイアウトを設計するステップと、設計されたチップレイアウトにおけるプラグPGに対する配線M1のマージンを、プラグPGに対する配線M1のリセス量に応じて修正するステップとを有している。この修正ステップは、テストウエハに試験用プラグとそれに3次元的に接続された試験用配線とを含むテストパターンを形成するサブステップと、試験用配線の配線幅および配線密度と試験用プラグに対する試験用配線のリセス量との相関を調べるサブステップを有している。更に、得られた相関に基づいてプラグPGに対する配線M1のリセス量を予測するサブステップと、予測されたリセス量に応じてプラグPGに対する配線M1のマージンを修正するサブステップを有している。 (もっと読む)


【課題】赤外線の吸収が可能であり、厚膜においてもパターン形成することが可能であり、低温硬化が可能である感光性樹脂組成物、フィルム及び電子部品を提供する。
【解決手段】(A)少なくとも1つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(B)光重合開始剤、及び(C)カーボンフィラーを含む感光性樹脂組成物であって、前記(A)少なくとも1つのエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物が、アクリレート化合物及び/又はメタクリレート化合物を含む感光性樹脂組成物。この感光性樹脂組成物をフィルム状に成形してなる感光性フィルム。絶縁膜と、前記絶縁膜の内部に配設された配線とを有した配線層を含む電子部材であって、前記絶縁膜の少なくとも一部が上記の感光性樹脂組成物又は感光性フィルムを用いて形成されたものである電子部品。 (もっと読む)


【課題】下層の銅配線と上層のアルミニウム配線とを接続するコンタクトプラグのコンタクト抵抗を均一化する。
【解決手段】銅配線8と、銅配線9上の層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10上に形成されたアルミニウム配線17と、銅配線9とアルミニウム配線17とを電気的に接続するプラグ13とを備える半導体装置であって、プラグ13は銅とアルミニウムの合金からなり、銅配線9上のコンタクトホールにバリアメタルを設けずに第1のアルミニウム膜を充填し、熱処理して合金化し、未反応の第1のアルミニウム膜を除去した後、アルミニウム配線用の第2のアルミニウム膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第1の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 (もっと読む)


【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を1回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第1開口部17aおよび第2開口部17bを備えたレジストマスク17を層間絶縁膜42の表面に形成した後、第1開口部17aおよび第2開口部17bから層間絶縁膜42および絶縁膜49をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク17を変形させて第2開口部17bを塞ぐ一方、第1開口部17aの開口面積を狭める。次に、第1開口部17aから層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】断線等の問題を抑制しつつ逆メサの段差に配線を設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体基板に逆メサ段差部を形成する。逆メサ段差部の下段における半導体基板の表面に、電極を設ける。逆メサ段差部内を埋めるように当該逆メサ段差部の高さよりも厚い絶縁膜を設ける。逆メサ段差部内に絶縁膜を残すように、絶縁膜積層工程で積層した絶縁膜に対してエッチバックを行う。電極に接続する配線を、逆メサ段差部に残された絶縁膜の上方に設ける。このとき、電極とのコンタクトをとる部分を対象にして、層間絶縁膜に対し開口を形成する。開口形成後、配線を、層間絶縁膜上であって逆メサ段差部の上方の領域に蒸着する。コンタクト開口を介して、配線が電極と接続する。 (もっと読む)


【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部20の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ40を有するアンドープの第1のシリコン膜32を凹部20に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部20内の第1のシリコン膜32の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第1のシリコン膜32に凹部20のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間41を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間41に面する第1のシリコン膜32の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間41を埋める第2のシリコン膜33を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】ビアヒューズ素子の径を小さくし、ビアヒューズ素子を低電流で溶断することが可能な半導体回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方向に配置された複数の配線層と、前記複数の配線層のうちの少なくとも2つの前記配線層の間に設けられたビアヒューズ素子と、前記複数の配線層の配置方向に直交する平面内において前記ビアヒューズ素子に隣接する穴と、前記穴内に設けられた貫通ビアとを備えた半導体回路装置。 (もっと読む)


41 - 50 / 5,422