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国際特許分類[H01L21/768]の内容

国際特許分類[H01L21/768]に分類される特許

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【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【目的】配線間のコンタクト配置において配線間距離をより小さく形成する。
【構成】実施形態の半導体装置は、第1と第2の配線と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、第1のコンタクトと、第2のコンタクトと、を備えている。第1と第2の配線は、基板上に互いに並行するように形成される。第1の絶縁膜は、第1と第2の配線を覆うように形成される。第2の絶縁膜は、第1と第2の制御ゲート線間の所定位置で第1と第2の配線と並行して延びるように形成され、第1の絶縁膜と材料が異なる。第1のコンタクトは、第1と第2の配線間で、前記第2の絶縁膜に対して前記第1の配線側に位置する前記第1の絶縁膜を通して形成される。第2のコンタクトは、前記第1と第2の配線間で、前記第1と第2の配線が延びる方向に沿って前記第1のコンタクトと互いに位置をずらしつつ、前記第2の絶縁膜に対して前記第2の配線側に位置する前記第1の絶縁膜を通して形成される。 (もっと読む)


【課題】微細なパターン、例えば、線幅が50μmよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第1の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第2の膜を形成し、第2の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第2の膜は、厚さが0.1μmになったときの粘度が3mPa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】工程数を増加させることなく、エアギャップを有する半導体装置の機械的強度を向上する。
【解決手段】半導体装置に必要な導電材料、例えばビアアレイの外郭のビアを接続して環状ビア1Rとして絶縁膜2を囲み、エアギャップ形成時に導電材料に囲まれた絶縁膜2は残り非エアギャップ領域4となり、その他の部分は絶縁膜2が除去されてエアギャップ領域3となる。 (もっと読む)


【課題】高い歩留まりを実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板11上の絶縁層13に形成された第1の凹部14および第1の凹部14よりも幅が狭い第2の凹部15に、基板11を銅が流動可能なリフロー温度に加熱した状態で、第1の銅膜21を形成する工程を備えている。また、前記半導体装置の製造方法は、第1の銅膜21上に、不純物濃度が第1の銅膜21よりも高い第2の銅膜22を、第1の銅膜21の形成時よりも流動性が小さい状態で形成する工程を備えている。 (もっと読む)


【課題】貫通電極におけるボイドの発生を防止することができ、従来に比べて信頼性の高い半導体装置およびその製造方法、ならびに電子部品を提供すること。
【解決手段】Si基板29上のゲート絶縁膜30上に電極層51を形成する。ゲート絶縁膜30上に層間絶縁膜31を形成した後、ダマシン法により電極層51と同一パターンの下側配線42と、反対パターンの下側絶縁膜43を含む下側パッド40を形成する。次に、貫通孔59を形成し、同時に、貫通孔59内に下側絶縁膜43と同一パターンの突出部60が形成された第1層間絶縁膜32を露出させる。そして、突出部60の一部がエッチング残渣として残るように第1層間絶縁膜32をエッチングした後、ビア絶縁膜38を形成し、貫通孔59の底面のビア絶縁膜38をエッチングする。次に、貫通孔59のビア絶縁膜38の内側に電極材料をめっき成長させることにより、貫通電極17を形成する。 (もっと読む)


【課題】埋め込みゲートを有する半導体素子に関し、ビットラインコンタクトと活性領域の接触面積を増加させビットラインコンタクトの高抵抗性フェイルを防止する。
【解決手段】ビットラインコンタクト136が活性領域120の上部面だけではなく側面とも接触されることにより、ビットラインコンタクトと活性領域の接触面積を増加させビットラインコンタクトの高抵抗性フェイルを防止する。 (もっと読む)


【課題】配線倒れを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一の実施形態による半導体装置の製造方法では、半導体基板上に、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜、および犠牲膜を順に形成し、前記犠牲膜と前記第2の絶縁膜から複数の芯材を形成する。さらに、前記方法では、各々の前記芯材の側面に、前記芯材に接する第1側面と、前記第1側面の反対側に位置する第2側面とを有する第1配線と、前記芯材に接する第3側面と、前記第3側面の反対側に位置する第4側面とを有する第2配線を形成する。さらに、前記方法では、前記第1および第2配線の形成後に、前記第2の絶縁膜が残存するように前記犠牲膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】断線等の問題を抑制しつつ逆メサの段差に配線を設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体基板に逆メサ段差部を形成する。逆メサ段差部の下段における半導体基板の表面に、電極を設ける。逆メサ段差部内を埋めるように当該逆メサ段差部の高さよりも厚い絶縁膜を設ける。逆メサ段差部内に絶縁膜を残すように、絶縁膜積層工程で積層した絶縁膜に対してエッチバックを行う。電極に接続する配線を、逆メサ段差部に残された絶縁膜の上方に設ける。このとき、電極とのコンタクトをとる部分を対象にして、層間絶縁膜に対し開口を形成する。開口形成後、配線を、層間絶縁膜上であって逆メサ段差部の上方の領域に蒸着する。コンタクト開口を介して、配線が電極と接続する。 (もっと読む)


【課題】狭スペースへのシリコン膜の埋め込み性の向上を図る。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン膜の形成方法は、凹部20の開口側からボトム側に向けてくぼんだくぼみ40を有するアンドープの第1のシリコン膜32を凹部20に形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、凹部20内の第1のシリコン膜32の一部を塩素を含むガスを用いてエッチングし、第1のシリコン膜32に凹部20のボトム側よりも開口側で幅が広い隙間41を形成する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、隙間41に面する第1のシリコン膜32の内壁に不純物を添加する工程を含む。また、前記シリコン膜の形成方法は、不純物の添加後、隙間41を埋める第2のシリコン膜33を形成する工程を含む。 (もっと読む)


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