【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に含まれる貫通孔を微細化した場合であっても、メッキで貫通孔の内部に貫通電極を形成する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、基板１０の表面１０ａ側にシード層３０を形成するシード層形成工程と、シード層形成工程後、シード層３０上に配線層４０を形成する配線層形成工程と、配線層形成工程後、基板１０の裏面１０ｂからシード層３０に達する貫通孔１０ｃを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔形成工程後、貫通孔１０ｃ内にメッキで貫通電極６０を形成する貫通電極形成工程と、貫通電極形成工程後、シード層３０を複数に分断する分断工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの側壁に制御性良く傾斜を形成することで、コンタクトプラグにボイドが形成されることを抑制する。
【解決手段】絶縁膜１０に第１のコンタクトホール（破線部）を形成する工程と、第１のコンタクトホールの内壁を構成する絶縁膜の上方ほどエッチング量が多くなるケミカルドライエッチングを施して内壁が傾斜した第２のコンタクトホール１３を形成する工程と、第２のコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】隣接するＳＯＩ領域とバルクシリコン領域とが短絡することを防止する。
【解決手段】一つの活性領域内にＳＯＩ領域およびバルクシリコン領域が隣接する半導体装置において、それぞれの領域の境界にダミーゲート電極８を形成することにより、ＢＯＸ膜４上のＳＯＩ膜５の端部のひさし状の部分の下部の窪みにポリシリコン膜などの残渣が残ることを防ぐ。また、前記ダミーゲート電極８を形成することにより、それぞれの領域に形成されたシリサイド層１４同士が接触することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜４上にポリシリコン５を配置し、このポリシリコン５にｐｎダイオード９を形成し、ｎカソード層６上に層間絶縁膜１０を挟んで第１ボンディングパッド１１を配置する。また、ｐアノード層７上に第２ボンディングパッド１２を配設することで、層間絶縁膜１０に導入されるダメージが層間絶縁膜１０を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置（パワーＩＣなど）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅層および／または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および／または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅（ＩＩ）イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するバイアホールを与える。
【解決手段】半導体デバイス構造は、第１の濃度および第１の導電型のバックグラウンドドーピングを有する基板を含んでなる。基板貫通バイアは基板を貫通している。デバイスは基板の第１の面上に第２の導電型の第１のドープ領域を有する。第２のドープ領域が基板貫通バイアの周りにある。第２のドープ領域は、第１の濃度よりも大きい第２の濃度にドーピングされており、第１の導電型を有する。 （もっと読む）

【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第１絶縁膜１２とする。次いで、めっきシード層１８形成、フォトレジスト溝パターン２２形成、めっき、フォトレジスト溝パターン２２除去、配線下以外のめっきシード層１８除去に依り、第１の絶縁膜上に配線２６を形成する。そして、第１絶縁膜の表面上にシリカ粒子３０を分散し、散したシリカ粒子３０をマスクとして、ＣＦ４及びＯ２を混合したガスで、第１絶縁膜１２をドライエッチングすることに依り、段差が１００ｎｍ以上の凹凸３２を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第２絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜３４を形成する。 （もっと読む）