【課題】半導体ウエハにＢＧ工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、ＢＧ工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハの表面からコンタミを確実に除去し、且つ切り溝内部のコンタミも確実に除去できるようにした、ダイシング装置を提供する。
【構成】 半導体ウェーハ等のワークを切削するダイシング装置において、ブレードを冷却するブレード冷却ノズルの外に、ウェーハ表面を洗浄する洗浄ノズルが装着されており、この洗浄ノズルの先端をウェーハ表面から２０ｍｍ以下に設定すると共に、洗浄水の供給圧を３０ｋｇ／ｃｍ² 〜３００ｋｇ／ｃｍ² に設定する。 （もっと読む）

【目的】 ガラス板等に貼りつけられたＧａＡｓ基板の裏面に、あらかじめ格子状の溝を形成しその溝を厚膜で埋め込むことにより、クラックの広がり、基板のそりによる浮きを低減する。
【構成】 表面工程加工済みの半導体基板１とガラス板２を、表面がガラス板に密着するように貼りつけ、その半導体基板１の裏面にＰＲで格子状のパターニングを施し、それを目印に基板１を削り格子状の溝１ａを形成する。続いてポリイミド３を厚く塗布し溝１ａを埋め、基板の研磨、エッチングを行う。続いてバイアホール形成、メタライズ等を行い、その後にポリイミド３を除去し、エッチカット、ガラス板からの分離を行い、チップに分割する。 （もっと読む）

【構成】本発明のペレットの製造方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って有底の溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものである。
【効果】上記構成を有する従来のように裏面研削工程にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウエハを各ペレット毎に割れ、欠け、２個続き等がなく良好に分割できるブレーキング装置を提供する。
【構成】 ウエハ固定シート８が貼着されている半導体ウエハ７を押圧するブレーキングローラ３に接触配置している補助ローラ４を中空形状に形成し、この補助ローラ４内に冷却水２１を流す。
【効果】 補助ローラ４内を流れる冷却水２１によって補助ローラ４に接触配置しているブレーキングローラ３が冷却され、ブレーキングローラ３に押圧接触されるウエハ固定シート８が冷却され、ウエハ固定シート８の弾性が低下する。その結果、ブレーキングローラ３の適正なブレーキング圧力がウエハ固定シート８にほとんど吸収されることなく、半導体ウエハ７に作用するので、半導体ウエハ７は各ペレット６毎に良好に分割される。 （もっと読む）

【目的】 １次元ＣＣＤラインセンサーのように細長く、表面を直接接触できないダイのウエハーシートからのピックアップを安定して行なう。
【構成】 ダイ１の長手方向両端に表面接触エリアを設け、そのエリアをコレット２で接触保持して、ダイ１をウエハーシート３からピックアップする。ダイ１は、細長く強度が弱いため、ピックアップ時大きく変形する。コレット２には、逃げ２ｃが設けてあるため、ダイ表面の受光部とコレットが接触せず、また表面を接触保持しているため、ダイは回転せず、安定してピックアップすることができる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、半導体ウェハの薄形化や大口径化にともない相対的にウェハ強度が低下するとともに、研削工程により破砕層が発生し、ウェハー搬送時等において発生するウェハー割れや、スクライブ工程におけるチップ欠け、さらにチップ強度が低いという問題点を、ウェハ研削工程を無くすことにより、ウェハーおよびチップ強度を向上させるものである。
【構成】 前述の目的のためこの発明は、半導体素子の製造方法において、半導体ウェハを容易にエッチングできる素材を用いて貼り合せた後、半導体素子形成工程を処理するとともに、ダイススクライブ工程においては、ウェハ表面に保護膜を形成したのち、ダイシングブレードで貼り合せ材までスクライブし、その後、貼り合せ材をエッチングすることにより、チップ分割出来るようにしたものである。 （もっと読む）