国際特許分類[H01L21/78]の内容

国際特許分類[H01L21/78]の下位に属する分類

それぞれが単一の回路素子からなる装置の製造
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造 (31,684)

国際特許分類[H01L21/78]に分類される特許

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【課題】半導体ウエハにBG工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、BG工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。 (もっと読む)


【目的】 半導体ウェーハの表面からコンタミを確実に除去し、且つ切り溝内部のコンタミも確実に除去できるようにした、ダイシング装置を提供する。
【構成】 半導体ウェーハ等のワークを切削するダイシング装置において、ブレードを冷却するブレード冷却ノズルの外に、ウェーハ表面を洗浄する洗浄ノズルが装着されており、この洗浄ノズルの先端をウェーハ表面から20mm以下に設定すると共に、洗浄水の供給圧を30kg/cm2 〜300kg/cm2 に設定する。 (もっと読む)


【構成】本発明のペレットの製造方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って有底の溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものである。
【効果】上記構成を有する従来のように裏面研削工程にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。 (もっと読む)


【目的】 ガラス板等に貼りつけられたGaAs基板の裏面に、あらかじめ格子状の溝を形成しその溝を厚膜で埋め込むことにより、クラックの広がり、基板のそりによる浮きを低減する。
【構成】 表面工程加工済みの半導体基板1とガラス板2を、表面がガラス板に密着するように貼りつけ、その半導体基板1の裏面にPRで格子状のパターニングを施し、それを目印に基板1を削り格子状の溝1aを形成する。続いてポリイミド3を厚く塗布し溝1aを埋め、基板の研磨、エッチングを行う。続いてバイアホール形成、メタライズ等を行い、その後にポリイミド3を除去し、エッチカット、ガラス板からの分離を行い、チップに分割する。 (もっと読む)


【目的】 半導体ウエハを各ペレット毎に割れ、欠け、2個続き等がなく良好に分割できるブレーキング装置を提供する。
【構成】 ウエハ固定シート8が貼着されている半導体ウエハ7を押圧するブレーキングローラ3に接触配置している補助ローラ4を中空形状に形成し、この補助ローラ4内に冷却水21を流す。
【効果】 補助ローラ4内を流れる冷却水21によって補助ローラ4に接触配置しているブレーキングローラ3が冷却され、ブレーキングローラ3に押圧接触されるウエハ固定シート8が冷却され、ウエハ固定シート8の弾性が低下する。その結果、ブレーキングローラ3の適正なブレーキング圧力がウエハ固定シート8にほとんど吸収されることなく、半導体ウエハ7に作用するので、半導体ウエハ7は各ペレット6毎に良好に分割される。 (もっと読む)


【目的】 1次元CCDラインセンサーのように細長く、表面を直接接触できないダイのウエハーシートからのピックアップを安定して行なう。
【構成】 ダイ1の長手方向両端に表面接触エリアを設け、そのエリアをコレット2で接触保持して、ダイ1をウエハーシート3からピックアップする。ダイ1は、細長く強度が弱いため、ピックアップ時大きく変形する。コレット2には、逃げ2cが設けてあるため、ダイ表面の受光部とコレットが接触せず、また表面を接触保持しているため、ダイは回転せず、安定してピックアップすることができる。 (もっと読む)


【目的】 本発明は、半導体ウェハの薄形化や大口径化にともない相対的にウェハ強度が低下するとともに、研削工程により破砕層が発生し、ウェハー搬送時等において発生するウェハー割れや、スクライブ工程におけるチップ欠け、さらにチップ強度が低いという問題点を、ウェハ研削工程を無くすことにより、ウェハーおよびチップ強度を向上させるものである。
【構成】 前述の目的のためこの発明は、半導体素子の製造方法において、半導体ウェハを容易にエッチングできる素材を用いて貼り合せた後、半導体素子形成工程を処理するとともに、ダイススクライブ工程においては、ウェハ表面に保護膜を形成したのち、ダイシングブレードで貼り合せ材までスクライブし、その後、貼り合せ材をエッチングすることにより、チップ分割出来るようにしたものである。 (もっと読む)


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