国際特許分類[H01L21/8238]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造 (40,275) | 1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理 (31,691) | 複数の別個の装置に基板を分割することによるもの (31,691) | それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造 (31,684) | 基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの (27,844) | 電界効果技術 (17,660) | MIS技術 (17,448) | 相補型電界効果トランジスタ,例.CMOS (2,944)
国際特許分類[H01L21/8238]に分類される特許
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半導体装置の製造方法
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半導体集積回路
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半導体装置及びその製造方法
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半導体装置およびその製造方法
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ESD保護回路
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半導体装置およびその製造方法
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型MOSFETとデプレッション型MOSFETとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板6上においてRef回路領域8およびCMOS領域7に跨るようにゲート絶縁膜66を形成した後、CMOS領域7の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜66が除去されたCMOS領域7に第1ゲート絶縁膜12を形成し、同時に、Ref回路領域8に残っているゲート絶縁膜66を厚くして第1ゲート絶縁膜12よりも厚い第2ゲート絶縁膜13を形成する。
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酸化物半導体装置およびその製造方法
【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層CHと、第1方向に、酸化物半導体層CHを介して延伸する第1の電極層(ソース又はドレイン)LEおよび第2の電極層(ドレイン又はソース)UEと、第1方向と交差する第2方向に延伸し、酸化物半導体層CHと基板SUに垂直な方向においてゲート絶縁層GIを介して重なるゲート電極層GEとを有し、酸化物半導体層CHの膜厚がそのチャネル長となる。
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半導体装置の製造方法
【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】SOI基板上に形成されたMOSFETを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】SOI基板SB上に形成されたマットMT内に複数のMOSFETを有する半導体装置において、BOX膜を貫き支持基板に達するコンタクトプラグCT2を形成することで、マットMTの周囲を、SOI基板SBの主面に沿う第1方向または第1方向に直交する第2方向に延在する複数のコンタクトプラグCT2により囲む。これにより、コンタクトプラグCT2をガードリングとして用い、マットMTの外部に流れる高周波信号に起因してマットMT内にノイズが発生することを防ぐ。
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