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国際特許分類[H01L21/8242]の内容

国際特許分類[H01L21/8242]に分類される特許

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【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置を、半導体層として機能する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の少なくとも酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、少なくともゲート電極と重畳する酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が1.1原子%以下の濃度で分布する領域を有する構造とする。 (もっと読む)


【課題】不要にリフレッシュ周期が変更されることによる無駄な消費電流を削減する。
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第1の半導体チップは第1の温度センサを有し、第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第1の半導体チップの第1の温度センサの出力結果に応じて第2の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


【課題】縦型トランジスタのソース又はドレイン用の拡散層を形成するにあたって形成されるシリコン膜に表面凹凸を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ピラーを形成する工程と、隣り合う前記半導体ピラーで挟まれた溝の側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の前記溝の底部に近い領域に側面開口を形成する工程と、前記溝の内部を覆うようにシリコン膜からなる被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜上に前記半導体ピラー内へ拡散させる不純物で構成された不純物層を形成する工程と、前記不純物を、前記側面開口を塞ぐように形成されている前記被覆膜を通して前記半導体ピラー内に熱拡散させてソース又はドレイン用の拡散層を形成する工程と、を含む。前記被覆膜の成膜温度を510℃より高く度550℃未満の範囲とすることにより、非晶質状態のシリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのオン電流を十分に確保することが可能な信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】活性領域6を分断する2つの埋め込みゲート用の溝部8a,8bにゲート絶縁膜9を介して埋め込まれたゲート電極7a,7bと、ビットコンタクト用の溝部12を挟んで対向する一対の埋め込みゲート用の溝部8a,8bの底部に不純物が拡散された領域13a,13bと、ビットコンタクト用の溝部12に不純物が拡散された領域13cと、が結合されて設けられた第1の不純物拡散層13と、中央部を挟んだ両側に位置する活性領域6a,6cに、ゲート電極7a,7bの上面と同程度の深さで不純物を拡散させることによって形成された第2の不純物拡散層14a,14bとを備える。 (もっと読む)


【課題】共通データバスを共有する複数のローカルメモリユニットが重複してデータを転送すること、あるいは、複数のローカルメモリユニットに対して重複してデータを転送することを抑制した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリセルを含む複数のローカルメモリユニットLMU<0>〜LMU<7>を備える。共通データバスDBは、複数のローカルメモリユニットに共有され、複数のローカルメモリユニットからデータを転送し、あるいは、複数のローカルメモリユニットへデータを転送する。タイミングコントローラT/Cはローカルメモリユニットの単位で配置するのではなく、インターリーブ動作を行なう単位(ローカルメモリユニットLMU<0>〜LMU<7>のグループ)に対して1つ配置する。これにより読出しデータまたは書込みデータは、共通データバスDBにおいて衝突しない。 (もっと読む)


【課題】ビットラインを容易に形成することができ、ビットライン工程マージンを増加させ、さらに隣接したビットライン間のキャパシタンスを減少させる半導体素子及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、半導体基板10で一方向に延長され、垂直チャンネル領域12b,14bを含む第1及び第2ピラー12,14と、第1及び第2ピラー12,14の内部で垂直チャンネル領域12b,14bの下部に位置する第1ビットライン22と、第1ビットライン22を含む第1ピラー12及び第2ピラー14の間に位置する絶縁膜32とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、第1の不純物拡散領域と第2の不純物拡散領域との間に位置するピラーを流れるドレイン電流が、隣接するピラーにリーク電流として流れることを防止可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板13に立設されたピラー28と、Y方向に延在するように半導体基板13に設けられ、Y方向と交差するX方向において対向するピラー28の第2の側壁を露出する第1の溝16と、ピラー28の第2の側壁の下部に設けられた第1の不純物拡散領域と、ピラー28の上端に設けられた第2の不純物拡散領域と、半導体基板13に内設され、第1の溝16の底16Aに配置された絶縁層14と、を有する。 (もっと読む)


【課題】個別の工程で形成されることで分離して配置された電極どうしを断線することなく接続できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面に第1の絶縁膜を介して形成された第1の電極と、半導体基板の主面に第2の絶縁膜を介して形成された第2の電極との間に補償膜を埋設する。第1の電極及び第2の電極上には、第1の電極の上面及び第2の電極の上面と接触する、第1の電極の上面から補償膜の上面を経由して第2の電極の上面まで到達する配線を形成する。 (もっと読む)


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