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国際特許分類[H01L21/8242]の内容

国際特許分類[H01L21/8242]に分類される特許

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【課題】柱状半導体層の幅を広く維持することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、一つの直線上に順に形成された、第1、第2及び第3の柱状半導体層と、第2及び第3の柱状半導体層の間の空間であって第2及び第3の柱状半導体層の側面に夫々設けられた第1及び第2のゲート電極と、第1及び第2の柱状半導体層の間の空間及び第2及び第3の柱状半導体層の空間に埋め込まれた層間絶縁膜とを有する。層間絶縁膜は、第1及び第2の柱状半導体層の間の空間内であってゲート電極を介することなく第1及び第2の柱状半導体層の側面に形成され、第2及び第3の柱状半導体層の間の空間内であって第1及び第2のゲート電極を介して第2及び第3の柱状半導体層の側面に形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ(半導体装置)において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層405a及びドレイン電極層405bの端部と、ゲート電極層401の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層403のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層401を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層491中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層481a,481bと、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層402のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層403を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップに構成されるメモリコアにおける電源系を容易に分離可能な配線構造を実現しスループットの向上が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップC1に複数のメモリコア(DRAMコア)が構成される。各メモリコアは、第1電源によって動作しパラレルデータを双方向に伝送するデータバスを駆動する第1回路領域と、第1電源と分離された第2電源によって動作しデータバスを伝送されるパラレルデータと外部端子を介して入出力されるシリアルデータとを双方向に変換する第2回路領域と含む。第1貫通電極群23は、第1回路領域に第1電源を供給する複数の貫通電極をY方向に並べて配置され、第2貫通電極群21は、第2回路領域に第2電源を供給する複数の貫通電極をY方向と交差するX方向に並べて配置される、それぞれの貫通電極群を経由して第1及び第2電源の配線群が互いに分離した配置で形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に形成されたプレーナ型トランジスタと3次元トランジスタを含む半導体装置の形成プロセスを簡略化できるようにする。
【解決手段】半導体基板に形成されたプレーナ型トランジスタと3次元トランジスタを含む半導体装置であり、前記プレーナ型トランジスタ、前記3次元トランジスタはともに高誘電率材料によるゲート絶縁膜を有し、前記プレーナ型トランジスタは、前記ゲート絶縁膜上に、下側が第1のメタル材料(A)、上側が第2のメタル材料(B)からなるゲート電極を有し、前記3次元トランジスタは埋め込みゲート電極を有し、該埋め込みゲート電極の下側のほうに前記第1のメタル材料(A)と同一の材料が、該埋め込みゲート電極の上側のほうに前記第2のメタル材料(B)と同一の材料がそれぞれ使用されている。 (もっと読む)


【課題】頻繁なリフレッシュ動作が不要で、正常な読み出しを行うことのできる2トランジスタ型のDRAMを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、ゲートが第1配線に接続され、第1ソース/ドレインの一方が第2配線に接続された第1トランジスタと、ゲート絶縁膜、ゲート電極、および前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間に設けられしきい値を変調するしきい値変調膜を有するゲート構造と、第2ソース/ドレインとを備え、前記ゲート電極が前記第1トランジスタの前記第1ソース/ドレインの他方に接続され、前記第2ソース/ドレインの一方が第3配線に接続され、前記第2ソース/ドレインの他方が第4配線に接続された第2トランジスタと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極膜に注入したイオンがチャネル領域に達してMISFETの電気特性に影響を与えていた。
【解決手段】半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるとともに、第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第1ゲート電極膜と、前記第1ゲート電極膜上に形成されるとともに、酸素及び窒素のうち一方又は両方を含んだシリコンを主体とする介在層と、前記第1ゲート電極膜上に前記介在層を介して形成されるとともに、前記第1導電型となる不純物を含んだシリコンを主体とする第2ゲート電極膜と、を含む電界効果トランジスタを有する。 (もっと読む)


【課題】電流―電圧特性の向上およびオン電流を増大することが可能で、高速動作に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板12の主面に形成され、第1の方向に延在する複数の活性領域と、活性領域を区画する素子分離領域と、半導体基板12の主面に形成されたものであって、平面視して複数の活性領域に交差する方向に延在する複数のゲート溝と、ゲート溝のそれぞれに埋め込まれた複数のゲート電極22と、を備えた半導体装置であって、ゲート溝のそれぞれの底面には、第1の方向に延在すると共に、上面71aが半導体基板12の主面よりも低い位置に配置する一対の突起部71が形成されており、ゲート電極22は、ゲート絶縁膜21を介して突起部71の上面71aと内側面71bと外側面71cとを覆ってなる、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のトランジスタのシリコンピラー上部に活性領域を設ける際に、エピタキシャル成長により前記シリコンピラー上部に形成されるシリコン膜の高さが、前記トランジスタ毎にばらつくことを防ぎ、前記シリコン膜への導電型ドーパントの注入深さを均一にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の主面に柱状のシリコンピラーを形成するシリコンピラー形成工程と、前記シリコンピラーを覆うように第1の絶縁膜を形成する第1絶縁膜形成工程と、前記第1の絶縁膜を上面から除去し、前記シリコンピラー上部の上面及び側面を露出させる第1絶縁膜除去工程と、前記シリコンピラー上部の上面及び側面にエピタキシャル成長法によりシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】微細化を実現し、トランジスタとして十分に機能できる電気的特性を付与された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の4元素を少なくとも含み、該4元素の組成を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の2倍以上である酸化物半導体膜を用いる。該半導体装置において、酸化物半導体膜は作製工程において酸素が導入され、酸素を多く(過剰に)含む膜であり、トランジスタを覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁層が設けられる。 (もっと読む)


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