【課題】 超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイを提供する。
【解決手段】 超薄膜誘電体（３１２）の周りに構成されるデータ記憶素子（１１５）を有する半導体メモリセル（３００）を使用し、超薄膜誘電体（３１２）にストレスを与えてブレークダウン（ソフトまたはハードブレークダウン）させてメモリセル（３００）のリーク電流レベルを設定することにより情報を記憶する。セル（３００）が引き込む電流を検知することによりメモリセル（３００）からの読出しが行なわれる。適切と考えられる超薄膜誘電体（３１２）は約５０オングストローム以下の厚さの高信頼度のゲート酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】磁性層及び非磁性層の特性が劣化するのを抑制する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された固定層１４と、磁化方向が可変である記録層１２と、固定層１４及び記録層１２に挟まれた非磁性層１３とを有する積層構造と、この積層構造の側面を覆い、かつ窒化シリコンからなる第１の保護膜１６と、第１の保護膜１６の側面を覆い、かつ窒化シリコンからなる第２の保護膜１７とを含む。第１の保護膜１６は、水素の含有量が４ａｔ％以下であり、第２の保護膜１７は、水素の含有量が６ａｔ％以上である。 （もっと読む）

【課題】非磁性層を挟む２つの磁性層間のショートを防ぎつつ、素子形状のばらつきを低減する。
【解決手段】磁気メモリは、基板２０上に設けられた層間絶縁層２６と、層間絶縁層２６上に設けられた導電性の下地層１１と、下地層１１上に設けられ、かつ２つの磁性層１２、１３と、これらに挟まれた非磁性層１３とを有する磁気抵抗素子とを含む。下地層１１のエッチングレートは、各磁性層のそれよりも低い。 （もっと読む）

【課題】圧電性能と耐久性とがいずれも良好なＰＺＴ系の圧電体膜を提供する。
【解決手段】圧電体膜の製造方法は、式（Ｐ）で表されるペロブスカイト酸化物からなる圧電体膜の製造方法において、ａ／ｂ≧１．０７の条件で成膜を行う工程（Ａ）と、ａ／ｂ＜１．０７の条件で成膜を行う工程（Ｂ）とを順次実施して、パイロクロア相を含まないペロブスカイト単相構造であり、ａ／ｂ≦１．０６である圧電体膜を製造する。Ｐｂ_ａ（Ｚｒ_ｘ，Ｔｉ_ｙ，Ｍ_{ｂ−ｘ−ｙ}）_ｂＯ_ｃ・・・（Ｐ）（式中、Ｍは１種又は２種以上のＢサイト元素を示す。０＜ｘ＜ｂ、０＜ｙ＜ｂ、０≦ｂ−ｘ−ｙ。ａ：ｂ：ｃ＝１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】メモリセルの面積を縮小しつつ、メモリセルの寄生抵抗を低減する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。さらに、第１の抵抗変化素子１０の一端及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０の一端とビット線ＢＬとを電気的に接続する第１の配線層３５と、第２の抵抗変化素子１０の一端及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０の一端とビット線／ＢＬとを電気的に接続する第２の配線層３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子１００は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層の一端及び他端には第１電極１２１、第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、各磁化領域における磁化方向は、強磁性材料層１１１の厚さ方向に平行であり、情報の書込み若しくは情報の読出し時、強磁性材料層１１１の他端から一端に亙り単調に低下する温度分布を強磁性材料層１１１に生じさせる。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層１１１の一端には第１電極１２１、他端には第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、強磁性材料層１１１の少なくとも一部に接して、反強磁性材料から成る反強磁性領域１３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgO/Mg/MgZnOの三層構造からなる。前記トンネルバリア層２７におけるMg層の厚さは、0.5〜2.0Åである。 （もっと読む）

【課題】スピン流を利用した磁化反転機構を利用したメモリセル等を提供する。
【解決手段】メモリセル３１は、平面状の非磁性体層１６と、非磁性体層１６の表面に設置され、磁化の向きが固定された強磁性体からなる強磁性体層１２と、非磁性体層１６の表面に設置され、磁化の向きが可変である強磁性体からなるフリー層１５と、を備え、非磁性体層１６と、強磁性体層１２と、の間を流れる電流の向きを変化させて、非磁性体層１６を流れるスピン流のスピン量子化軸を変えることでフリー層１５の磁化の向きを変化させ、強磁性体層１２の磁化の方向と、フリー層１５の磁化の方向と、が、略平行であるか略反平行であるかにより、情報を記憶する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜でで形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌＳｉに第５元素としてＧｅ及び／又はＣｕを添加した膜で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）