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国際特許分類[H01L21/8246]の内容

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国際特許分類[H01L21/8246]に分類される特許

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【課題】
高速にデータを記録再生することが可能な記憶装置を提供する。
【解決手段】
実施形態の記憶装置は、複数の領域を有し、前記領域に信号を記憶する記憶媒体と、前記記憶媒体に対向する電極を有し、前記電極を介して、それぞれの前記領域に対して信号の書き込みまたは読み出しを行う複数のプローブとを備え、前記複数のプローブは、第1プローブと、前記第1プローブと第1方向に離間して配置する第2プローブと、前記第1プローブに対して前記第1方向及び前記第1方向とは異なる第2方向にそれぞれずらして配置する第3プローブとを含む記憶装置。 (もっと読む)


【課題】4個のトランジスタと2個のMTJ素子からなり、電源を印加しないでも不揮発性メモリとして動作するSRAMからなる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第1及び第2のインバータ2,4と第1及び第2の転送用MOSFET3,5とを含むメモリセル1からなるSRAMにおいて、第1及び第2のインバータ2,4はスピン注入型のMTJ素子6,8と駆動用MOSFET7,9とからなり、これらのインバータ2,4からフリップフロップ回路が構成され、第1及び第2のインバータ2,4の出力端子は、それぞれ第1及び第2の転送用MOSFET3,5を介してビットライン及びビットラインバーに接続され、第1及び第2の転送用MOSFET3,5のゲートは、同一のワードラインに接続される。従来のSRAMに比較してメモリセルの面積が小さく、高速で低消費電力の不揮発性メモリが得られる。 (もっと読む)


【課題】磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セル用に適し且つ第1強磁性層とトンネル障壁層と第2強磁性層とから成る磁気トンネル接合を製作する方法を提供する。
【解決手段】第1強磁性層を形成すること、トンネル障壁層22を形成すること及び第2強磁性層を形成することから成る。当該トンネル障壁層22を形成することは、金属製のMg層を蒸着すること及び当該金属のMgをMgO層22aに変えるために当該蒸着された金属製のMg層を酸化することから成る。当該トンネル障壁層が、少なくとも2つのMgO層22aから成るように、当該トンネル障壁層を形成するステップが、少なくとも2回実施される。 (もっと読む)


【課題】磁壁移動型MRAMのメモリセルの面積を低減する。
【解決手段】メモリセル200−1が、固定層11と磁気記録層21とリファレンス層41とトンネルバリア膜31とMOSトランジスタ51とを備えており、メモリセル200−2が、固定層13と磁気記録層22とリファレンス層42とトンネルバリア膜32とMOSトランジスタ52とを備えている。固定層11、13は、第1方向に固定された磁化を有している。第1方向と反対の第2方向に固定された磁化を有する固定層12が磁気記録層21、22に接合されている。固定層12と共通ビット線CBLとが、それらの間の電気的接続が分離不能であるように接続される。 (もっと読む)


【課題】多値化にあたり素子構造及び製造工程の簡素化を達成する。
【解決手段】記憶装置は、第1信号線、第2信号線、トランジスタ、第1記憶領域、第2記憶領域、を備える。トランジスタは、第1、第2信号線間を流れる第1方向及びこれと反対の第2方向の電流の導通を制御する。第1記憶領域は、第1信号線とトランジスタの一方端とのあいだに接続される。第1記憶領域は、第1の平行閾値以上の電流が第1方向に流れると磁化の向きが平行になり、第1の反平行閾値以上の電流が第2方向に流れると反平行になる第1磁気トンネル接合素子を有する。第2記憶領域は、第2信号線とトランジスタの他方端とのあいだに接続される。第2記憶領域は、第1の平行閾値よりも大きな第2の平行閾値以上の電流が第2方向に流れると平行になり、第1の反平行閾値よりも大きな第2の反平行閾値以上の電流が第1方向に流れると反平行になる第2磁気トンネル接合素子を有する。 (もっと読む)


【課題】素子の特性が均一な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上の一部の領域にマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜を形成した領域及び前記マスク膜を形成していない領域の双方において、前記半導体基板の上方に、マスク部材を形成する工程と、前記マスク部材をマスクとしてエッチングを施すことにより、前記マスク膜及び前記半導体基板の上層部分をパターニングする工程と、前記パターニングされたマスク膜をマスクとしてエッチングを施すことにより、前記パターニングされた半導体基板の上層部分の一部を除去する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】配線コーナーでの電子散乱を減らし、配線の抵抗率の増大を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、配線溝を有する層間絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記配線溝内に形成された配線を備える。さらに、前記配線溝の底面と側面との間の角部の曲率半径は、前記配線の配線幅の1/10以上である。 (もっと読む)


【課題】磁気トンネル接合素子を用いた構造において、製造工程の簡素化を達成することができる記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る記憶装置は、第1信号線と、第2信号線と、トランジスタと、記憶領域と、導通領域と、を備える。トランジスタは、第1信号線と、第2信号線と、のあいだを流れる第1方向の電流及びこれと反対の第2方向の電流の導通を制御する。記憶領域は、第1信号線と、トランジスタの一方端と、のあいだに接続され、第1の平行閾値以上の電流が第1方向に流れると磁化の向きが平行になり、第1の反平行閾値以上の電流が第2方向に流れると磁化の向きが反平行になる第1磁気トンネル接合素子を有する。導通領域は、第2信号線と、トランジスタの他方端と、のあいだに接続される。 (もっと読む)


【課題】十分に高い抵抗変化率および絶縁破壊電圧を確保しつつ、安定した製造に適した磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】この磁気メモリ構造は、基体上に、第1シード層と導電層とを順に有する下部電極と、導線としての上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され、かつ、下部電極の側から順に、下部電極と接すると共に窒化タンタルを含む第2シード層と、反強磁性ピンニング層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、上部電極と接するキャップ層とを有する磁気トンネル接合素子とを備える。窒化タンタルは、窒素プラズマをタンタルのターゲットに衝突させる反応性スパッタリング処理によって形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


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