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国際特許分類[H01L21/8246]の内容

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国際特許分類[H01L21/8246]に分類される特許

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【課題】ゲート面積に依存するトランジスタばらつきを抑制し、読み出し動作を高速化した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、ロウ方向に延びるワード線WL、カラム方向に延びる複数のビット線BL0,BL1,BL2で構成されたビット線グループ、並びに、トランジスタからなりワード線及びビット線グループの交差部に設けられたメモリセル、を有するメモリセルアレイと、ビット線を介してメモリセルからデータを読む読み出し回路とを備え、メモリセルは、トランジスタのソース又はドレインを、ビット線グループに属する複数のビット線BL0,BL1,BL2のいずれとも接続しないか又はいずれか1本とだけ接続するかの異なる接続状態を有し、トランジスタのゲートとなるアクティブ領域AAは、ビット線グループの複数のビット線BL0,BL1,BL2の配置領域及び各ビット線間のスペースに連続的に形成されている (もっと読む)


【課題】磁気記録層の強磁性体膜が強い垂直磁気異方性を有する磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリは、強磁性体の下地層51と、下地層51上にの第1非磁性52と、第1非磁性52上の垂直磁気異方性を有する強磁性体のデータ記憶層53と、第2非磁性層20を介してデータ記憶層53に接続された参照層30と、下地層51の下側に接した第1、第2磁化固定層41a、41bとを具備する。データ記憶層53は、反転可能な磁化を有し参照層30とオーバーラップする磁化自由領域13と、磁化自由領域13の端に接続され、第1磁化固定層41aに+z方向に磁化固定された第1磁化固定領域11aと、磁化自由領域13の他の端に接続され、第2磁化固定層41bに−z方向に磁化固定された第2磁化固定領域11bとを備える。磁化自由領域13下の第1非磁性52は、第1、第2磁化固定領域11a、11b下の第1非磁性52よりも厚い。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第1の磁性体30と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第2の磁性体10と、磁性層10,30の間の非磁性体20とを、含む。第1及び第2の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン(B)及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層301を備え、磁性層301において、希土類金属の含有量は、20at.%以上であり、遷移金属の含有量は、30at.%以上であり、ボロンの含有量が、1at.%以上、50at.%以下である。 (もっと読む)


【課題】磁気メモリの動作不良を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気メモリは、第1領域内の第1の磁気抵抗効果素子1Aと、第2の領域の磁気抵抗効果素子1Xとを含む。第1の磁気抵抗効果素子1Aは、磁化の向きが可変な第1の記憶層10と、磁化の向きが不変な第1の参照層12と、非磁性層11と、第1のシフト調整層13と、を含む。第2の磁気抵抗効果素子1Xは、磁化の向きが可変な第2の記憶層10と、磁化の向きが不変な第2の参照層12と、第2の非磁性層11と、第2のシフト調整層13Xと、を含む。第2のシフト調整層13Xの膜厚t2は、第1のシフト調整層13の膜厚t1以下である。 (もっと読む)


【課題】書き込み電流の低減およびリテンション特性の向上を図る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化方向が膜面に対して垂直でかつ可変である第1磁性層31と、前記第1磁性層上に形成されたトンネルバリア層32と、前記トンネルバリア層上に形成され、磁化方向が膜面に対して垂直でかつ不変である第2磁性層40と、を具備する。前記第2磁性層は、垂直磁気異方性の起源となる本体層34と、前記トンネルバリア層と前記本体層との間に形成され、前記本体層よりも高い透磁率を有し、前記本体層よりも大きい平面サイズを有する界面層33と、を備える。前記本体層の側面に、前記本体層よりも高い透磁率を有するシールド層90が形成されている。 (もっと読む)


【課題】安定した動作が可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶素子と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。磁気記憶素子は積層体を含む。積層体は第1積層部と第2積層部とを含む。第1積層部は、磁化が固定された第1強磁性層と、磁化の方向が可変の第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含む。第2積層部は、積層方向に沿って第1積層部と積層される。第2積層部は、通電される電流によって磁化が回転して発振が生じる第3強磁性層と、磁化が固定された第4強磁性層と、第3強磁性層と第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、を含む。制御部は、第2強磁性層の磁化の向きに応じた第3強磁性層の発振の周波数の変化を検出することで、第2強磁性層の磁化の向きを読み出す読み出し部を含む。 (もっと読む)


【課題】メモリの大容量化と図りつつ、消費電力を軽減でき、且つ、消費電力を一定にす
る。
【解決手段】メモリを、複数のメモリブロックを対称に配置して構成する。また、メモリ
に供給されるアドレス信号のうち、特定の信号の組み合わせにより、データ読み出しまた
は書き込みの対象となるメモリセルを含むメモリブロックを一意に特定する。さらに、当
該メモリブロック以外のメモリブロックに供給される信号を一定値に保つ。このようにす
ることで、メモリアレイにおけるビット線の配線長を短縮し、負荷容量を軽減すると同時
に、メモリ内のあらゆるアドレスのメモリセルに対するデータ読み出しもしくは書き込み
において、消費電流を一定にできる。 (もっと読む)


【課題】安定した動作が可能な磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1、第2積層部を含む磁気記憶素子が提供される。第1積層部は、第1強磁性層/第1非磁性層/第2強磁性層を含む。第1強磁性層の磁化は面直に固定され、第2強磁性層の磁化方向は面直に可変である。第2積層部は、第3強磁性層/第2非磁性層/第4強磁性層を含む。第3強磁性層の磁化方向は面内方向に可変であり、第4強磁性層の磁化は面直に固定されている。第3強磁性層の位置での第1、第2、第4強磁性層からの漏れ磁界Hs、第3強磁性層の磁気異方性Ku、ダンピング定数α、磁化Ms及び反磁界係数Nzは、Ku≦αMs(8πNzMs−Hs)を満たす。電流によりスピン偏極した電子と、第3強磁性層で発生する回転磁界と、を第2強磁性層に作用させ、第2強磁性層の磁化方向を決定できる。 (もっと読む)


【課題】素子特性を劣化させることなく、半導体材料または絶縁膜の結晶特性を改善することができる低温アニールを用いた半導体装置の製造方法、並びに、このような低温アニールに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板の上方に設けられた金属からなる下部電極と、下部電極の上方に設けられた金属からなる上部電極と、下部電極と上部電極との間に設けられた結晶層とを備える。下部電極および上部電極の各膜厚は、結晶層の結晶化に用いられるマイクロ波の周波数に対応する表皮効果における表皮層よりも薄い。 (もっと読む)


【課題】隣接する配線の間におけるリークを抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置1は、シリコンを含む基板11と、基板11の上に設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルの上方に設けられた配線7と、配線7の上に設けられたリーク抑制層8と、前記リーク抑制層8の上方に設けられた層間絶縁膜10と、を備えている。そして、隣接するメモリセルの間、および、隣接する配線7の間には空隙12が形成され、リーク抑制層8の幅寸法は、配線7の幅寸法よりも短いこと、および、隣接するリーク抑制層8の間の寸法は、隣接する配線7の間の寸法よりも長いこと、の少なくともいずれかである。 (もっと読む)


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