国際特許分類［H01L21/84］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | １つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理；集積回路装置またはその特定部品の製造 (40,275) | １つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理 (31,691) | 複数の別個の装置に基板を分割することによるもの (31,691) | それぞれが複数の構成部品からなる装置，例．集積回路の製造 (31,684) | 基板が半導体本外以外のもの，例．絶縁体本外のもの (4)
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半導体装置及びその製造方法
【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、薄膜化されたＳｉ半導体基板基板中に生成される正孔或いは電子を極めて簡単な構成を採ることで他に逃がし、寄生バイポーラ・トランジスタ動作を有効に阻止することができるようにする。
【構成】 Ｓｉ半導体支持基板２５上にＰＳＧ膜２４及び不要なキャリヤを逃がす導電膜２３及びキャリヤがトンネリング可能な厚さをもつ絶縁膜２２及び薄膜化されたｐ−Ｓｉ半導体基板２１が順に積層され、その薄膜化されたｐ−Ｓｉ半導体基板２１をフィールド絶縁膜２６に依って区分けした部分に電界効果トランジスタを作り込み、その電界効果トランジスタが存在しない部分を貫通すると共に不要なキャリヤを逃がす導電膜２３にコンタクトする埋め込みコンタクト電極４０を形成する。
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