【課題】 受光部の部位によって計測値にバラつきが生じにくいイメージセンサを提供する。
【解決手段】 金属層３を含む上面を有している配線基板１と、受光部２ａを有しており、複数の金属部材６によって金属層３に接合されているセンサ素子２とを備えており、複数の金属部材６が、平面視において受光部２ａに重なる第１領域５ａに設けられた第１金属部材６ａと、第１領域５ａの周囲の第２領域５ｂに設けられた第２金属部材６ｂとを含んでおり、第１金属部材６ａが、第２金属部材６ｂよりも広く設けられているイメージセンサである。受光部２ａの中央領域とその周囲領域とで、受光部２ａの温度の差を低減して、受光部２ａの感度のばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】パッケージの内部と外部との間で流体が流通し易くしつつ、パッケージを容易に封止する。
【解決手段】パッケージ内にアンプルを配置し、パッケージとリッドとの間に、金属管を一方の端部が外部に突出するように設け、金属管とパッケージ及びリッドとの間に低融点ガラスを設け、パッケージとリッドとの間に貫通孔を有する低融点ガラスを設け、パッケージとリッドとを接合する。金属管の端部には、洗浄液やコーティング剤の流通を制御するポンプが接続され、このポンプにより、パッケージの内部と外部との間で貫通孔を介して洗浄液やコーティング剤を流通させる。金属管を引き抜き、低融点ガラスを溶融させて、金属管を引き抜いたときに形成されるパッケージとリッドとの間隙を封止する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ１００にセンシング部１を複数形成するとともに、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の一方のウェハに凹部２を形成する工程と、凹部２の側面に封止用材料３０を配置する工程と、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程と、封止用材料３０を加熱して溶かし、溶けた封止用材料３０をセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料３０を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料３０で覆う工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】容量性パターンをパッケージ端に配置可能でかつＧＳＧプローブパターンを配置可能な高周波パッケージおよび高周波パッケージ用端子を提供する。
【解決手段】導体ベースプレート２００と、導体ベースプレート２００上に配置され、半導体チップを内蔵するキャビティ１２と、導体ベースプレート２００上に配置され、キャビティ１２を取り囲む第１基板１００と、第１基板１００上、パッケージ入力端に配置された入力側容量性電極パターンＣ１と、パッケージ入力端とキャビティ１２との間に配置された第１ＧＳＧプローブパターンＧＳＧ１と、入力側容量性電極パターンＣ１と第１ＧＳＧプローブパターンＧＳＧ１を接続する入力側伝送線路２４ａとを備える高周波パッケージ１およびその高周波パッケージ用端子。 （もっと読む）

【課題】電子部品用パッケージと回路基板との接続強度を高め、半田接合部が厳しい温度変化に耐えられるパッケージを得る。
【解決手段】上面側に電子部品２０を搭載可能な矩形状の積層セラミック製のパッケージ本体６と、電子部品２０を含むパッケージ本体６の上面側の開口部空間を気密封止する蓋部材３０と、からなる。パッケージ本体６は、上面側の凹部の内底部に形成され、電子部品２０を接続する一対の電極パッド１５と、底面の短手方向両側に形成され、実装面に複数のバンプ１０ｂ、１０ｃ、１１ｂ、１１ｃを有する一対の実装端子１０、１１と、を備えている。更に、一対の電極パッド１５と一対の実装端子１０、１１とをそれぞれ電気的に接続する複数の接続電極１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】硬化後、可視光から近紫外光の反射率が高い熱硬化性光反射用樹脂組成物、それを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料、および（Ｆ）カップリング剤を含有する熱硬化性樹脂組成物において、熱硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、熱硬化前には室温（２５℃）で加圧成型可能なことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な複合基板、この複合基板を備えた電子デバイス及び電子機器の提供。
【解決手段】複合基板１は、基板本体である絶縁部２０と、絶縁部２０を貫通する分離部１５と、を備え、分離部１５は、一方の端部につば部１５ａを有する柱状であって、つば部１５ａと柱状部１５ｂとに跨り、つば部１５ａを貫通する凹部１５ｃと、凹部１５ｃによりつば部１５ａから柱状部１５ｂにかけて形成された開口部１５ｄとを、有し、絶縁部２０における凹部１５ｃ内の部分と柱状部１５ｂを取り巻く部分とが、開口部１５ｄを介して一体化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メイン基板１上に第１の半導体部品１１が実装され、第１の半導体部品１１を含むメイン基板１上に、下面側において第１の半導体部品１１に対応する部分にキャビティ（凹部）２２を有するキャビティ基板２１が実装されたものにおいて、キャビティ２２内にアンダーフィル材２６を完全に充填することができるようにする。
【解決手段】キャビティ２２の一側部は開口部２３となっている。そして、開口部２３側からアンダーフィル材２６をキャビティ２２内に充填する。この場合、キャビティ２２内の空気は、すべて、キャビティ基板２１に設けられた空気逃げ用貫通孔２４を介して外部に逃げてしまう。これにより、キャビティ２２内にアンダーフィル材２６が完全に充填することができる。 （もっと読む）

【課題】外部回路に接続され、周波数温度特性と周波数ドリフト特性の優れた、小型で低コストの圧電デバイスを得る。
【解決手段】圧電振動素子１０と、感温部品３０と、容器２０と、を備えた圧電デバイスである。容器２０は、表面に電極パッド２８ａ、２８ｂを有し裏面に複数の実装端子２２ｃ、２２ｄと接続端子２２ａ、２２ｂとを有する第１の絶縁基板２０ａと、環状の第２の絶縁基板２０ｂと、蓋部材３８と、を備えている。感温部品は、容器２０の外側面に接合され、実装端子２２と電極パッド２８ａ、２８ｂは、第１の熱伝導部より電気的及び熱的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板コストが低減でき、基板側辺の露出による剥離を改善可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】小基板を有する多チップメモリの実装構造を有する半導体装置１００の基板１２０は、チップ搭載体１１０の下方に貼り付けられ、上表面１２１および下表面１２２を有する。上表面１２１は、中空エリア１１に露出する。下表面１２２には、複数の接触パッド１２３が設置される。第１チップ１３０は、基板１２０上に設置されて中空エリア１１１の内に位置する。第２チップ１４０は、チップ搭載体１１０上に設置される。封止体１５０は、チップ搭載体１１０、基板１２０の上表面１２１、第１チップ１３０、および、第２チップ１４０を密封する。基板１２０の外形は、封止体１５０の外形よりも小さく、チップ搭載体１１０の周辺では複数の支持バー１１２と接続する。支持バー１１２群は、封止体１５０の側辺へ延びる。 （もっと読む）