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国際特許分類[H01L23/12]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861)

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【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜5の表層には、レジスト膜6との密着性を上げる表面改質層16が形成され、表面改質層16を介してメタル膜5上に再配線7a〜7cが形成される。 (もっと読む)


【課題】アンテナとの間に生じる結合容量を抑制して、アンテナの特性を向上させた通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナと、半導体チップと、第1〜第4の配線が形成された半導体チップを実装する基板と、を備え、基板は、第1〜第4の基板主面電極及び第1〜第4の基板裏面電極を有し、第1〜第3の配線のうちの少なくとも一つが、板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、前記第4の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、アンテナは、半導体チップの中央部から、半導体チップの四隅うちの一の隅または半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、めっき用延長配線は、一の隅、または一の辺以外の隅または辺で、第1〜第3の配線を基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を得ることができる半導体搭載装置用基板を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体搭載装置用基板10では、多層配線基板11の第1主面12の半導体チップ搭載領域23に、半導体チップ21がフリップチップ接続方式で表面実装されうる。多層配線基板11の第2主面13において半導体チップ21の直下となる箇所には、板状部品搭載領域53をなす複数の第2主面側はんだバンプ52が形成されている。複数の第2主面側はんだバンプ52を介して、無機材料を主体とする板状部品101がフリップチップ接続方式で多層配線基板11上に表面実装されている。第2主面13と板状部品101との隙間S2に設けられた第2主面側アンダーフィル107により、複数の第2主面側はんだバンプ52が封止されている。 (もっと読む)


【課題】剥離層の表面上に、良好にパターニングされた絶縁層を形成することができ、かつ、支持体の剥離を容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体27の表面上に第1の剥離層28を形成する工程と、第1の剥離層の表面上に、第1の剥離層と同温時におけるずり粘弾性率G´若しくは弾性率E´が、第1の剥離層より高い第2の剥離層29を形成する工程と、第2の剥離層の表面上に第1の絶縁層22を最下層とする配線層を形成する工程と、この配線層の表面上に、半導体チップを載置する工程と、半導体チップをモールド樹脂体26で封止する工程と、第1の剥離層を加熱し、第1の絶縁層から支持体を剥離する工程と、を具備し、第1の剥離層は、第1の絶縁層から支持体を剥離する温度において、第1の絶縁層から支持体を剥離可能なずり粘弾性率G´若しくは弾性率E´を有する熱可塑性樹脂である半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】2枚のシリコンウエハを重ね合わせて接着し、2枚のシリコンウエハのそれぞれに形成されたバンプ電極同士を電気的に接続する半導体装置において、2枚のシリコンウエハの接着面のボイドを抑制する。
【解決手段】シリコンウエハ10Aとシリコンウエハ10Bとの接着面には、埋め込み導電膜21の表面に形成された窪み22に起因する空洞23が形成される。この空洞23の端部は、シリコンウエハ10A、10Bの接着面の外周部まで延在している。これにより、2枚のシリコンウエハ10A、10Bの接着面に閉じ込められたエアーが空洞23を通じて外部に抜けるので、接着面のボイドの発生を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】処理を簡略化して製造時間を短縮し、製造コストを削減することが可能な半導体基板製造方法を提供する。
【解決手段】超厚基板1にビア11を形成する。ビア11の側壁に絶縁層としての熱酸化膜2を形成する。熱酸化膜2に対して、超臨界二酸化炭素成膜により、銅(Cu)シード層3を形成する。マルチワイヤーソー等により、超厚基板1を200μmにスライスし、薄ウェハ5を得る。このとき時間差手法や、サポート樹脂を採用できる。薄ウェハ5に対してウェハ基板サポータを装着して研磨する。 (もっと読む)


【課題】配線層の形成時や支持基板の剥離時に、配線層のずれや基板の割れといった不具合が発生しにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、光の透過が抑制された第1の樹脂層3を支持基板2上に形成し、第1の樹脂層上に熱可塑性樹脂からなる第2の樹脂層4を形成する。第2の樹脂層上に絶縁層5および配線層8を形成し、配線層上に第1の半導体チップ10を実装する。第1の樹脂層にレーザ光を照射して支持基板を剥離し、第2の樹脂層を除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチの、所望のピッチからのずれを小さくすることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップを構成する半導体基板と同等の熱膨張率を有する材料からなる支持基板11の上面に凹部を形成する工程、前記支持基板の上面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に第1絶縁層16を形成する工程と、前記凹部に対応する位置の前記金属層が露出するように、前記第1絶縁層16を貫通する貫通穴を形成する工程と、前記金属層をシード層として、前記貫通穴内に露出した前記金属層上に第1配線層17を形成する第1配線層形成工程と、前記第1配線層17及び前記第1絶縁層16上に更に配線層及び絶縁層を積層する積層工程と、前記剥離層に所定の処理を施すことにより、前記支持基板11を除去する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、積層結合層と基板との附着力が比較的に強い積層放熱基板および放熱能力が比較的に高い電子組立構造を提供する。
【解決手段】本発明は、積層放熱基板および該積層放熱基板を用いた電子組立構造を提供する。積層放熱基板は、基板と、積層結合層と、絶縁層と、導電層とを含む。積層結合層は、基板上に配置され、少なくとも第一結合層と第二結合層とを含む。第一結合層は、基板上に配置される。第二結合層は、第一結合層上に配置される。絶縁層は、積層結合層上に配置される。導電層は、絶縁層上に配置される。電子組立構造は、上記積層放熱基板と電子部品とを含む。その中、絶縁層と導電層とは、積層結合層上において収容空間を形成し、収容空間に積層結合層が露出される。電子部品は、収容空間内かつ積層結合層上に配置されると共に、導電層に電気的に接続される。電子部品は、発光ダイオードであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体素子上に形成される配線の接続性の歩留まりを向上し、支持板に半導体素子をマウントする際に高精度が要求されない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置において、支持板と、支持板上に載置され、複数の第1電極が形成された回路素子面を有する半導体素子と、半導体素子の回路素子面を被覆し、複数の第1電極を露出する複数の第1開口を有する第1絶縁層と、支持板の上部と第1絶縁層が形成された半導体素子の側部とを被覆する第2絶縁層と、第1絶縁層及び第2絶縁層の上部に接して形成され、複数の第1電極と電気的に接続される配線層とを備えることを特徴とする。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、熱的ストレスによる支持板の反りを軽減して配線の接続性の歩留まりを向上させ、開口形成時に要求される高度な半導体素子のマウント精度が不要となる半導体装置を製造することができる。 (もっと読む)


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