【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士１３３１，１３４１が互いに離間して対向した２つの伝送線路１３３，１３４と、２つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極３０と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極３２を備えるキャパシタＣと、２つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Ｒと、キャパシタの上面電極と２つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性の変動や電磁波の漏洩を抑え、高周波集積回路の放熱性に優れた半導体モジュールを得ること。
【解決手段】金属キャリア２と、サーマルビアホール１４とＲＦ線路１０とを有し、金属キャリア２の上に接合されて、金属キャリア２からはみ出た部分の下面にＲＦ線路１０の接続用パッドが配置される誘電体多層基板１と、誘電体多層基板１上に実装されて、誘電体多層基板１の表面でＲＦ線路１０と電気的に接続され、サーマルビアホール１４を介して金属キャリア２と熱的に接続されるＲＦＩＣ４と、誘電体多層基板１の金属キャリア２からはみ出た部分と重なるように配置され、接続用パッドがＲＦ線路１０の接続用パッドと対向するように形成されたＲＦ線路９を有する入出力インタフェース基板３と、ばね性を有し、信号接続パッド６、８の間に挟持されて、両者を電気的に接続するコンタクト端子７と、これらを収容するシャーシ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれによる不良品の発生を低減する。
【解決手段】球状体を吸着する吸着ヘッド１１と、基板４００を支持すると共に支持状態の基板４００の位置を変更可能に構成された基板搬送部４と、球状体を吸着している吸着ヘッド１１を移動させて基板４００の目標搭載位置に球状体を搭載する搭載処理を実行する搭載部３と、基板搬送部４および搭載部３を制御する制御部と、球状体が搭載された基板４００の撮像画像に基づいて球状体の搭載状態の良否検査を実行する検査部とを備え、制御部は、良否検査に用いた撮像画像に基づいて球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれを補正するための補正値を特定すると共に、良否検査の以後に実行する搭載処理において、基板搬送部４による基板４００の位置の変更量および搭載部３による吸着ヘッド１１の移動距離を補正値に基づいて増減させて位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】コイル導体の特性を考慮しつつ、ＩＣ素子およびコイル導体の放熱性を向上させること。
【解決手段】コイル内蔵基板１は、フェライト基体11と、フェライト基体11内に設けられたコイル導体12と、フェライト基体11の上面に設けられたＩＣ素子用導体層14と、ＩＣ素子用導体層14およびコイル導体12に熱的に結合されておりフェライト基体11の表面に熱を伝導するようにフェライト基体11内に設けられた熱伝導経路13とを含んでいる。熱伝導経路13は、フェライト基体11よりも低い比透磁率およびフェライト基体11よりも高い熱伝導率を有する材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】回路層を、変形抵抗が大きな銅または銅合金で構成しても、セラミックス基板の一方側と他方側とで絶縁性を確保することができるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面側に回路層１２が形成され、この回路層１２の一方の面に電子部品３が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、銅または銅合金で構成されており、セラミックス基板１１と回路層１２との間には、セラミックス基板１１の一方の面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる緩衝アルミ層１６と、回路層１２の他方の面に接合された補助セラミックス板１７と、が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、ＬＥＤチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板８上の銅箔３と、ＬＥＤチップの電極６とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル１２で銅板１０と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板８を有するＬＥＤ照明器の製造法である。 （もっと読む）

【課題】回路の大規模化を抑制しつつ、品質の良いデータ伝送を行う。
【解決手段】半導体チップである、例えば、ミリ波伝送チップには、シングルエンド信号がやりとりされるパッドを有するシングルエンドI/Fが設けられている。一方、例えば、インターポーザやプリント基板等の半導体チップが実装される実装部には、差動信号を伝送する、例えば、コプレーナストリップ線路等の差動伝送路が形成されている。ミリ波伝送チップは、差動伝送路を構成する導体に、シングルエンドI/Fのパッドが、電気的に直接接続されるように、実装部に実装されている。本技術は、例えば、IC等の電子回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】チップ表面と樹脂層表面との段差を抑制すること。
【解決手段】支持体１０上に、フィルム１２上に金属膜１４が形成され前記金属膜上にカップリング剤１６が形成された前記フィルムを貼り付ける工程と、前記カップリング剤を介し前記金属膜上にチップ２０を仮固定する工程と、前記金属膜上に前記チップを覆うように樹脂層３２を形成する工程と、前記金属膜と前記カップリング剤との間を剥離することにより、前記支持体を前記チップおよび樹脂層から剥離する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のＩ／Ｏ系および非Ｉ／Ｏ系の電源およびＧＮＤをバランス良く強化して、低電圧動作性能および高速動作性能を向上させること。
【解決手段】配線基板２の一面は、接続パッド６Ａの列を取り囲むように形成され、かつＶＳＳ用接続パッド６Ａ−１と配線１６を介して接続されたＶＳＳ用面状導体パターン１８を備える。配線基板２の他面は、複数のＶＳＳＱ用外部端子７−３を連結するように配置されたＶＳＳＱ用面状導体パターン２１と、複数のＶＤＤＱ用外部端子７−４を連結するように配置されたＶＤＤＱ用面状導体パターン２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ビアホール中間層が埋め込まれたパッケージ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モールドシール層２２と、モールドシール層に埋め込まれ、複数の導電ビアホール２００を有するビアホール中間層２０と、モールドシール層に埋め込まれ、ビアホール中間層に設けられ、導電ビアホールの一方の端面に電気的に接続される再配線層２１と、モールドシール層及びビアホール中間層に設けられ、導電ビアホールの他方の端面に電気的に接続されるビルドアップ構造２３と、を備える。ビアホール中間層が埋め込まれることにより、再配線層がピッチの比較的小さい半導体チップの電極パッドに電気的に結合され、他端がピッチの比較的大きいビルドアップ構造の導電ブラインドビアホールに電気的に接続されることで、パッケージ基板２が高配線密度を有する半導体チップと結合される。 （もっと読む）