例示的な一実施例では、構造は、上面を有する基板（３０１）と、基板（３０１）の上面上に位置するダイ取付パッド（３０２）とを含む。ダイ取付パッド（３０２）は、ダイ取付領域（３１１）と、ダイ取付領域（３１１）に電気的に接続された少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）とを含む。ダイ取付パッド（３０２）はさらに、ダイ取付領域（３１１）と少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）との間に、ダイ接着剤止め（３３９）を含む。ダイ接着剤止め（３３９）は、パッケージング中、少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）へのダイ取付接着剤の流出（３１５）を調節および制限するよう作用し、そのため、少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）をダイ取付領域（３１１）により近づくよう動かすことができ、そのため、パッケージング中、少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）をダイワイヤボンドパッド（３１４ａ）に接続するために、より短いボンドワイヤ（３２６ａ）が使用され得る。
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電子パッケージは、フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）構成のＩＣ基板に結合された集積回路（ＩＣ）より成る。ＩＣは、ＩＣ基板上の対応パターンのボンディングパッドに結合するためにその周辺部に高密度配線パッドのパターンを有する。基板のボンディングパッドは、ボンディングパッドサイズ、トレース幅及びトレース間隔のような基板上の種々の幾何学的制約を考慮しながらＩＣ上に高密度配線パッドを収容するための特異な配列を有する。１つの実施例において、基板のボンディングパッドはジグザグパターンである。別の実施例において、ＩＣパッケージが結合されたプリント基板上のパッドをボンディングするための方法を用いる。パッケージを電子パッケージ、電子システム及びデータ処理システムに適用する方法だけでなく製造方法も記載されている。 （もっと読む）

【課題】 本装置の金属裏側（３４）と端子（３８）との間に電圧分離を有するパッケージ化パワー半導体装置（２４）。本装置からヒートシンクへの電気的分離及び良好な伝熱を与えるために直接ボンド付け銅（ＤＢＣ）基板（２８）を使用している。パワー半導体ダイ（２６）が半田又はその他の態様でＤＢＣ基板の第一金属層（３０）ヘ装着されている。第一金属層は該半導体ダイによって発生される熱を散逸させる。該リード及びダイは単一の操作でＤＢＣ基板へ半田付けさせることが可能である。１実施例においては、３，０００Ｖを超える分離が達成される。別の実施例においては、該パッケージ化パワー半導体装置はＴＯ−２４７アウトラインに適合している。 （もっと読む）

基板は半導体ダイを受けるための上面を有する。アンテナが基板の下面にパターニングされる。アンテナをビアと結合し、さらにこのビアを通じて基板上信号ボンディングパッドおよび半導体ダイ上信号ボンディングパッドに結合することによって、アンテナへの接近が可能となる。一実施例では、基板の中に少なくとも１つのビアがある。この少なくとも１つのビアは、半導体ダイの信号ボンディングパッドと印刷回路板との電気的接続をもたらす。上記少なくとも１つのビアは、基板上ボンディングパッドと印刷回路板との電気的接続をもたらす。上記少なくとも１つのビアはさらに、半導体ダイの信号ボンディングパッドと、印刷回路板に電気的に接続されたランドとの間に電気的接続をもたらす。 （もっと読む）

本発明においては、前面（１４）と背面（１６）とを備える半導体基板（１２）であって、基板を（１２）通って前面（１４）と背面（１６）との間を延びる孔（１８、２０、２２）を備える半導体基板（１２）を用意する。孔（１８、２０、２２）は、部分的に、内壁部分によって規定され、外側導電性シースを形成する。導電性材料（５４）を、内壁部分の少なくとも一部に隣接して形成する。その後に誘電体材料層（５６）を、孔内部に、導電性材料上であってそのラジアル方向内側に形成する。次に第２の導電性材料（６０）を、孔内部に、誘電体材料層（５６）上であってそのラジアル方向内側に形成する。後者の導電性材料は、内側導電性コアキシャル線要素を構成する。 （もっと読む）

この超小型電子デバイス製造技術は、少なくとも１つの超小型電子ダイを超小型電子パッケージコアの少なくとも１つの開口内に配置して封止材料で固定するか、または少なくとも１つの超小型電子ダイを超小型電子パッケージコアなしに封止材料内に封止するか、若しくは少なくとも１つの超小型電子ダイをヒートスプレッダーの少なくとも１つの開口内に固定する。その後、誘電材料と導電トレースの積層配線構造を超小型電子ダイ、及び誘電材料、超小型電子パッケージコア及びヒートスプレッダーのうちの少なくとも１つに固着して、超小型電子デバイスを形成する。 （もっと読む）