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国際特許分類[H01L23/12]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861)

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【課題】LED照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、LEDチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板8上の銅箔3と、LEDチップの電極6とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル12で銅板10と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板8を有するLED照明器の製造法である。 (もっと読む)


【課題】回路の大規模化を抑制しつつ、品質の良いデータ伝送を行う。
【解決手段】半導体チップである、例えば、ミリ波伝送チップには、シングルエンド信号がやりとりされるパッドを有するシングルエンドI/Fが設けられている。一方、例えば、インターポーザやプリント基板等の半導体チップが実装される実装部には、差動信号を伝送する、例えば、コプレーナストリップ線路等の差動伝送路が形成されている。ミリ波伝送チップは、差動伝送路を構成する導体に、シングルエンドI/Fのパッドが、電気的に直接接続されるように、実装部に実装されている。本技術は、例えば、IC等の電子回路に適用できる。 (もっと読む)


【課題】チップ表面と樹脂層表面との段差を抑制すること。
【解決手段】支持体10上に、フィルム12上に金属膜14が形成され前記金属膜上にカップリング剤16が形成された前記フィルムを貼り付ける工程と、前記カップリング剤を介し前記金属膜上にチップ20を仮固定する工程と、前記金属膜上に前記チップを覆うように樹脂層32を形成する工程と、前記金属膜と前記カップリング剤との間を剥離することにより、前記支持体を前記チップおよび樹脂層から剥離する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】集積回路がフリップチップ実装された光モジュールにおいて、25Gbps以上の超高速伝送を行っても、隣接するチャンネル間のクロストークを低減し、良好な信号伝送を実現する光モジュールを提供する。
【解決手段】多層基板上の隣り合う第1および第2電極パッドのうち、第1電極パッドは第1導体ビア、第1内層導体配線と順次接続され、第2電極パッドは多層基板の表層導体配線、第3電極パッド、第2導体ビア、第2内層導体配線と接続され、第1内層導体配線と表層導体配線の間にはグランド導体ビアもしくは電源導体ビアが設けられ、第1内層導体配線が形成された第1形成層と第2内層導体配線が形成された第2形成層との間には、グランド導体配線層もしくは電源導体配線層が設けられる。第1および第2電極パッドは、それぞれ第1および第2光素子の表面に形成された電極パッドと接続される。 (もっと読む)


【課題】片面配線基板でありながら、板厚方向の熱伝導性が良好で、搭載する発熱素子の電極位置に影響されにくい発熱素子搭載用基板、その製造方法、及び半導体パッケージを提供する発熱素子搭載基板、その製造方法、及び半導体パッケージを提供する。
【解決手段】発熱素子搭載用基板2は、樹脂フィルム20と、樹脂フィルム20の第1面20a上に形成された複数の配線パターン21と、樹脂フィルム20に形成された複数の貫通孔22に充填された導電性材料からなる複数の充填部23とを備え、複数の配線パターン21のうちの少なくとも1つの面積は、樹脂フィルム20の第1面20aの面積の30%以上であり、充填部23は、第2面20b側から見たとき、充填部23と配線パターン21とが重なった面積が配線パターン21の面積の50%以上であり、樹脂フィルム20にLED素子3が搭載される。 (もっと読む)


【課題】パッドが設けられた面の向きを変えても、パッドを基板に接続するボンディングワイヤが交差しない半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のパッドを含む第1のパッド群と、第1のパッド群に平行に一列に配置された複数のパッドを含む第2のパッド群と、第1のパッド群を基準にして第2のパッド群とは反対側に設けられた複数のバッファ回路を含む第1のバッファ回路群と、第2のパッド群を基準にして第1のパッド群とは反対側に設けられた複数のバッファ回路を含む第2のバッファ回路群と、第1のパッド群の複数のパッドのそれぞれを第2のバッファ回路群の複数のバッファ回路のそれぞれに対応して接続する複数の第1の配線と、第2のパッド群の複数のパッドのそれぞれを第1のバッファ回路群の複数のバッファ回路のそれぞれに対応して接続する複数の第2の配線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップとの接続信頼性の優れた配線基板を提供すること。
【解決手段】オーガニック配線基板10の基板主面11側には、樹脂絶縁層21〜23と導体層24とを積層した第1ビルドアップ層31が形成されている。第1ビルドアップ層31における最表層の導体層24は、半導体チップをフリップチップ実装するための複数の接続端子部41を含む。複数の接続端子部41は、ソルダーレジスト25の開口部43を介して露出している。各接続端子部41は、半導体チップの接続領域51と、接続領域51から平面方向に延設されかつ接続領域51よりも幅が狭く形成された配線領域52とを有する。配線領域52の表面のはんだ濡れ性は接続領域51の表面のはんだ濡れ性よりも低くなっている。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とアルミニウムからなる回路層および緩衝層との接合界面に余剰ろう材が残存しない電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付され、他方の面にアルミニウム層(13)がろう付された電子素子搭載用基板(1)であって、前記アルミニウム回路層(12)およびアルミニウム層(13)の少なくとも一方は、母材(20)(22)の絶縁基板側にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる微細結晶層(21)(23)がクラッドされたクラッド材で構成され、ろう付後の前記微細結晶層(21)(23)の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】自己インダクタンスの低減性能を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、相隔てて配置される正電極材11および負電極材13と、正電極材11と負電極材13の間において、正電極材11と負電極材13を結ぶ直線SLと平行となる平行部(凹部15a)、または正電極材と負電極材とを結ぶ曲線の接線と平行となる平行部を有する導電層(第1の導電材15)とを備える。これにより、主電流による磁束が集中する箇所に導電層の一部が配置されることになる。よって、導電層に磁束が集中し易くなり、誘導電流を効率的に発生可能となり、電極材11、13に生じる自己インダクタンスの低減性能を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】金めっき皮膜を薄くすることが可能で、半導体チップ搭載用基板の製造コストを低くすることが可能である。さらに、微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂を主成分とする絶縁層21と、絶縁層21の上に形成された銅回路22、3、5と、銅回路22、3、5上の少なくとも一部に形成された電解ニッケルめっき皮膜7と、電解ニッケルめっき皮膜7の少なくとも一部に形成され、金めっき皮膜8を形成したワイヤボンディング用端子と、を有する半導体チップ搭載用基板であって、金めっき皮膜8のニッケルめっき皮膜7とは反対側の面の結晶粒径の平均値が、5μm以上である。 (もっと読む)


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