【課題】新規な基準メッシュ層を備える多層セラミックパッケージを設計および作製するシステムを提供する。
【解決手段】改良された多層セラミック・パッケージは、それぞれが１本または複数の信号線を有する複数の信号平面と、それぞれが電圧（Ｖｄｄ）電力接続または接地（Ｇｎｄ）接続のうちの１つを提供する複数のバイアと、１つまたは複数の信号平面に隣接する少なくとも１つの基準メッシュ平面１０２とを含む。基準メッシュ平面１０２は、狭い広いまたは広い狭いパターンで交互になる間隔１３２によって分けられた、離隔メッシュ線を含む。交互間隔１３２を備えたメッシュ平面を使用する多層セラミック・パッケージは、一定間隔を備えた従来のメッシュ平面よりも大幅に低い遠端（ＦＥ）ノイズをセラミック・パッケージ内に生成する。このノイズは、信号平面内の信号線の反対側にシールド線を配置することによって、さらに低減される。 （もっと読む）

【課題】ダウンホールモジュールで使用する接続信頼性の良好な電子アセンブリを提供する。
【解決手段】電子アセンブリ２００は、多層セラミックアセンブリと、多層セラミックアセンブリ上に配置される電子部品２４０とを有し、多層セラミックアセンブリは、セラミック基板２２０と、セラミック基板２２０上に配置されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置される０．５ミクロン未満の厚さを有する金めっき層と、を含み、電子部品２４０と金めっき層とは、アルミニウムワイヤでワイヤボンドされる。 （もっと読む）

【課題】１枚のセラミックス基板から多数個の回路基板を低コストで得る。
【解決手段】１枚の大きなセラミックス基板１１と、これとほぼ同じ大きさであり、パターン化された金属パターン板１２が準備される。これらは図１（ｃ）に示されるように接合される。金属パターン板１２は、中央の縦２列×横３列の同一パターン（単位パターン）が配列された回路パターン部１２ａと、その周辺にある周辺部１２ｂとに大別される。回路パターン部１２ａと周辺部１２ｂのどちらにおいても、これらを構成する個々のパターンは、これらよりも小さい結合部１３で結合されている。その後、金属パターン板１２の表面全面にめっき層１４が形成される。セラミックス基板１１を割って分割することによって、図１（ｅ）にその上面図を示す６個の分割ユニット１５が得られる。結合部１３については、分割後に例えばカッターやニッパーを用いて容易にこれを切断することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ非対称形状に起因する熱ひずみを低減しうる電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム層（13）の少なくとも絶縁基板（11）側の層が、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが１３０Ｎ／ｍｍ^２以下となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】その製造歩留まりを向上させることができるセラミック基板を提供する。
【解決手段】その製造歩留まりを向上させることができるセラミック基板を提供するために、本発明のセラミック基板は、セラミック基板部２と、セラミック基板部２上に、シリコーンシート３を接着剤４にて接着することによって形成された第１の樹脂層５と、第１の樹脂層５に設けられ、セラミック基板部２の表面まで貫通した凹部６と、を備えたセラミック基板１とした。このような構成にすることによって、セラミック基板１の製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 実装信頼性が高い配線基板および電子装置ならびに電子モジュール装置を提供する。
【解決手段】 本発明の配線基板は、電子部品Ｅが収納される凹部１ａが形成された絶縁基板３と、凹部の底面１ｃに形成された複数の電極２と、凹部の側壁１ｂの一部が傾斜しており、凹部の側壁１ｂの一部と凹部の底面１ｃとのなす角が鋭角である。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、はんだ層におけるクラックの発生を防止できるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が形成され、セラミックス基板１１の他方の面に金属層１３が形成されてなり、回路層１２の表面に電子部品３が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、０．２％耐力が４０ＭＰａ以上７０ＭＰａ以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、金属層１３は、０．２％耐力が１０ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下のアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、回路層１２とセラミックス基板１１との間の接合強度が、金属層１３とセラミックス基板１１との間の接合強度よりも低く設定されている。 （もっと読む）