【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、母材（20）の電子素子搭載面側に高強度層（21）が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層（21）の引張強さＸ（Ｎ／ｍｍ^２）と母材（20）の引張強さＹ（Ｎ／ｍｍ^２）とがＸ／Ｙ≧１．１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 配線の高密度化を高い生産性のもとに可能にするフレキシブル配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フレキシブル配線基板１０では、絶縁体層１１を挟んで両面に第１導体パターン１２および第２導体パターン１３が配設され、所定の第１導体パターン１２と第２導体パターン１３が導電性ペーストバンプ１４を通して接続する。導電性ペーストバンプ１４は絶縁体層１１を貫挿する。また、所定の導体パターン１２に導体バンプ１５が金属バリア１６を介し電気的に接続し、フレキシブル配線基板１０の主面から突き出して突設する。この導体バンプ１５は、導体板のエッチング加工により形成され、その表面が金属メッキ層１８で被覆される。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの微細化に対応可能な配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、ガラスクロス１１に熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させたコア基板１０と、コア基板１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂまでを貫通する貫通穴１０Ｘと、貫通穴１０Ｘ内に充填された貫通電極２０と、貫通電極２０を介して電気的に接続された配線層３０ａ，３０ｂとを有する。コア基板１０では、貫通穴１０Ｘの厚さ方向の中央部におけるガラスクロス１１の密度が貫通穴１０Ｘの他の部分の密度より高くなるようにガラスクロス１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、半導体回路素子または絶縁層にクラックが発生することのない高信頼度のＴＳＶを有する半導体基板、電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を囲む環状の溝に形成された絶縁層３は、シリカ微粒子３１１と、シリカ微粒子３１１−３１１間に生じる隙間に浸透してこれを埋めるナノ結晶またはナノアモルファスのシリカ３２０とからなるナノコンポジット構造である。 （もっと読む）

【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なＬＥＤ光源装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ光源装置Ａ１は、複数のＬＥＤチップ４０と、複数のＬＥＤチップ４０を支持する基板１０および絶縁部材２０を備えている。基板１０は、ｚ方向における一方側を向く主面１１を有しており、基板１０には、ｚ方向における他方側へ凹む複数の凹部１２が形成されており、複数のＬＥＤチップ４０のいずれかである第１のＬＥＤチップ４０が、上記複数の凹部１２のいずれかである第１の凹部１２に設置されている。ＬＥＤ光源装置Ａ１は、絶縁部材２０の主面２１に設けられ、第１のＬＥＤチップ４０と導通する金属膜３０と、第１のＬＥＤチップ４０を覆うように第１の凹部１２に充填された第１の透光樹脂５１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子素子等のデバイスを実装するには、炭化珪素基板の高周波損失が大きく、実際には電子素子を炭化珪素基板に実装できなかった。
【解決手段】２０ＧＨｚにおける高周波損失が２．０ｄＢ／ｍｍ以下の炭化珪素基板であれば、電子素子を実装して十分に動作させることができることを見出し、２．０ｄＢ／ｍｍ以上の高周波損失特性を有する炭化珪素基板を２０００℃以上で加熱する。この熱処理により２０ＧＨｚにおける高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。また、ヒーターに窒素を流さないで、ＣＶＤにより炭化珪素基板を作製することによって高周波損失を２．０ｄＢ／ｍｍ以下にすることができた。 （もっと読む）

【課題】基板上の樹脂絶縁層において、基板に到達するビアホールを紫外線レーザー照射によって形成する際、ビアホール周縁の表層部が変性することなく、かつ、微細で迅速なビアホール形成が可能な、プリント配線板用積層構造体およびそれを用いたプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板と、前記基板上に形成された第２の硬化塗膜の層と、前記第２の硬化塗膜の層と前記基板との間に形成された第１の硬化塗膜とを備え、前記第２の硬化塗膜が、（Ｃ）多分岐構造を有するポリイミド樹脂および（Ｄ）多官能脂環式エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物より形成され、前記第１の硬化塗膜が、紫外線吸収性を有する成分を少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂組成物により形成されることを特徴とするプリント配線板用積層構造体である。 （もっと読む）

【課題】充填不良や被処理物の割れを生じず、被処理物上に開口するように形成された微小空間に溶融金属を的確に充填する。
【解決手段】金属充填装置１であって、半導体ウェハＫを保持する保持台Ｈと、ハウジングＣと、ハウジングＣの内部空間内に気密状に嵌入されたピストンＰとを備え、半導体ウェハＫ又は保持台Ｈ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成され、更に、処理室２内を減圧する減圧機構３と、前記処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構４とを備えるとともに、ピストンＰは、少なくとも、その半導体ウェハＫに対向する側が金属から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 生産効率や半導体装置の製造設計の自由度の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、半導体チップを備える半導体装置の製造方法であって、第１主面に導通部材が形成された半導体チップを準備する工程と、放射線を透過する支持体上に、放射線硬化型粘着剤層と第１の熱硬化型樹脂層とがこの順で積層された支持構造を準備する工程と、上記第１の熱硬化型樹脂層と上記半導体チップの第１主面とが対向するように上記第１の熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、上記複数の半導体チップを覆うように第２の熱硬化型樹脂層を上記第１の熱硬化型樹脂層上に積層する工程と、上記支持体側より放射線を照射して上記放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、上記放射線硬化型粘着剤層と上記第１の熱硬化型樹脂層との間で剥離を行う工程とを含む。 （もっと読む）