【課題】 低温焼結性、極性溶媒の分散性を併せ持つ金属粒子分散体組成物を提供する。
【解決手段】
【化１】


粒子表面にアミノ基を有する有機物が存在している平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子と、下記式（１）で示される化合物と、分散溶媒とを含む金属粒子分散体組成物である。ただし、式（１）のＲは分岐鎖を有するアルキル基および／又はアルケニル基を含有する炭素数が１ないし２４であるアルキル基および／又はアルケニル基を示し、式（１）のＡＯは炭素数が１ないし４のオキシアルキレン基を示し、ｎはアルキレンオキシドの平均付加モル数を示す１以上２０未満の値であり、式（１）のＸはＣ、Ｈ、Ｏ原子のいずれかから構成される連結基である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスと配線基板との接続の信頼性が高められた配線基板、及び該配線基板を用いた電子デバイスパッケージの提供。
【解決手段】少なくとも一方の主面１ａに半導体デバイス１３が実装される配線基板１０Ａであって、配線基板１０Ａを構成する基材１の熱膨張係数Ａは、半導体デバイス１３を構成する基材１１の熱膨張係数Ｂよりも小さく、配線基板１０Ａの内部には、熱膨張係数Ａよりも大きな熱膨張係数Ｃを有する材料からなる調整部２が配されていることを特徴とする配線基板１０Ａ。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子との接合に融点の低い半田を用いる必要がなく、かつ高い動作温度域でもその形状を保持することができる、高温で動作するパワー半導体装置用の絶縁基板を提供する。
【解決手段】パワー半導体用絶縁基板１１は、Ａｌめっき鋼板のＡｌめっき表面に、軟化点が５００℃以下のＳｉＯ_２系ガラスフリット又はＰ_２Ｏ_５系ガラスフリットを軟化点以上７００℃未満の温度で焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、かつ回路パターンに応じて樹脂量を調整することが可能なプリプレグを提供することにある。また、本発明の目的は、上記プリプレグを有する基板および半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のプリプレグ１０は、ガラス繊維で構成される繊維基材１と、繊維基材１の一方の面側に位置する第１樹脂層２１と、繊維基材１の他方の面側に位置する第２樹脂層２２とを有する。第１樹脂層２１と第２樹脂層２２とは、それぞれ、熱硬化性樹脂と無機充填材とカップリング剤とを含む樹脂組成物で構成され、第１樹脂層２１の厚さは、第２樹脂層２２の厚さより厚い。第１樹脂層２１中には回路配線部４が埋設されており、回路配線部４と繊維基材１との距離をｔ２［μｍ］としたとき、ｔ２が３〜１５μｍである。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第１平面を有する基板１１と、前記基板１１の第１平面に固定されたバンプ１４と、前記基板１１の第１平面に非接触かつ相対すると共に、前記バンプ１４に接着により固定され、かつ、前記パンプ１４との接着領域の近傍にスリット３０を有する素子１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のマイナス反りを充分に軽減又は防止することができる絶縁性基板又は金属張積層板、並びに当該絶縁性基板又は金属張積層板を用いたプリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】１層以上の繊維基材層及び２層以上の樹脂層を含み、両面の最外層が樹脂層である積層体の硬化物からなり、少なくとも１つの繊維基材層が、基準位置、即ち絶縁性基板の全体厚みを繊維基材層数で均等に分割した各領域の厚みをさらに均等に２分割する位置、よりも一面側又は他面側に偏在し、異なる方向に偏在しているものがない絶縁性基板又は当該絶縁性基板を含む金属張積層板をコア基板として用い、プリント配線板を作製する。また、当該プリント配線板に半導体素子を搭載して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】薄いガラス基板を使用しても、割れや欠けが生じにくいインターポーザ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）第１および第２の表面を有するガラス基板を準備する工程と、（ｂ）前記ガラス基板の第１の表面側に、第１の固定部材を配置し、第２の表面側に、第２の固定部材を配置する工程であって、前記第１の固定部材は、前記ガラス基板の第１の表面と当接する第１の当接部分、および前記ガラス基板の第１の表面と当接しない第１の非当接部分を有し、前記第２の固定部材は、前記ガラス基板の第２の表面と当接する第２の当接部分、および前記ガラス基板の第２の表面と当接しない第２の非当接部分を有する、工程と、（ｃ）第１の非当接部分および第２の非当接部分を通るようにして、前記ガラス基板にレーザ光を照射し、前記ガラス基板に、少なくとも一つの貫通孔を形成する工程と、を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】十分な剛性と屈曲性を有するＣＯＦ用積層板の提供。
【解決手段】無機クロス及び液晶ポリエステルを含み、且つ厚さが１５０〜３００μｍである絶縁層１０を備え、絶縁層の少なくとも一方の表面に金属層１６が設けられたことを特徴とするＣＯＦ用積層板１。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生及びＮｉ層の表面の変形の発生を防止することができる絶縁基板用積層材の製造方法を提供する。
【解決手段】積層材１は、表面２ａに半導体素子21が接合されるＮｉ又はＮｉ合金で形成されたＮｉ層２と、Ｎｉ層２の表面2a側とは反対側に配置された中間層３と、中間層３のＮｉ層２配置側とは反対側に配置されたＴｉ又はＴｉ合金で形成されたＴｉ層４と、Ｔｉ層４の中間層３配置側とは反対側に配置されたＡｌ又はＡｌ合金で形成されたＡｌ層５と、を備える。中間層３は、Ａｌ若しくはＡｌ合金で形成されたＡｌ層３ａであるか、又は、Ｃｕ若しくはＣｕ合金で形成されたＣｕ層３ｃである。これらの層２、３、４、５を積層状に一体化する。 （もっと読む）