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国際特許分類[H01L23/14]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861) | 材料またはその電気特性に特徴のあるもの (925)

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【課題】 信頼性の高い電子装置を提供すること。
【解決手段】 外表面に電極31を有する電子部品3と、基板本体21、および基板本体21の一方主面に設けられ電子部品3の電極31と電気的に接続された電気配線22を含む配線基板2とを備え、基板本体21の表面と、電子部品3の下面とは、直接接合している電子装置1である。電子部品3と配線基板2との間には別体の部材が存在しない。よって、異なる部材同士の境界が減少するので、剥離の可能性を低減できる。 (もっと読む)


【課題】常温で折り曲げ加工が可能であり、折り曲げ時においてもクラックなどの不良が発生しない金属ベース回路基板を提供する。
【解決手段】金属基板11と、金属基板11上に積層された絶縁層12と、絶縁層12上に局所的に積層された回路形成用の導電箔13と、導電箔13と絶縁層12との露出面の一部に積層された白色膜14と、を有してなる金属ベース回路基板である。白色膜14は、熱硬化性のシリコーン樹脂を含み、白色膜14の常温での引張り伸び率が10%以上である。 (もっと読む)


【課題】貫通電極と直接に接続される配線の信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置100は、貫通孔1Aを有する半導体基板1と、半導体基板1の上に形成された第2層間絶縁膜7bと、第2層間絶縁膜7bに貫通孔1Aを覆うように形成された第1の外部接続用配線8aと、第2層間絶縁膜7bの上に、第1の外部接続用配線8aを覆うように形成された第3層間絶縁膜7cと、第3層間絶縁膜7cにおける第1の外部接続用配線8aの上側部分に形成された第2の外部接続用配線8bと、貫通孔1Aにおける少なくとも内壁面に形成されると共に、各外部接続用配線8a、8bとそれぞれ電気的に接続される貫通電極15Aとを備えている。第1の外部接続用配線8aは、複数の孔部19aを有し、第2の外部接続用配線8bは、第1の外部接続用配線8aの孔部19aを覆うように形成されている。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れ、光取り出し効率が高く、また耐候性、耐光性に優れた発光素子用基板の提供を目的とする。
【解決手段】金属粒子または金属粒子の焼結体を含有し、発光素子11の搭載される搭載領域22を有する基板本体1と、基板本体1上に搭載領域22を覆うように形成された絶縁層3と、絶縁層3上に形成された導電層4と、を有しており、絶縁層3は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含有するガラスセラミックス組成物の焼結体からなる素子基板1。 (もっと読む)


【課題】めっき設備や微小な金属粒子を用いることなく、シリコンボードにシリコン貫通配線(TSV)を形成すること、それらを複数積層して層間接続を形成すること。
【解決手段】溶融されたはんだそのものを用いて、シリコンボードの貫通孔を充填させる。具体的には、シリコンボードの貫通孔の上方(真上または横)に配置されている固形はんだを溶融させて、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間の圧力差によって、溶融されたはんだを貫通孔の内部の空間へと導いて充填させる。貫通孔の内部の表面には金属層を予め堆積させてもよいし、さらに、金属層以外の部分については、金属間化合物(IMC)を形成してもよい。めっきの堆積のように時間をかけなくても、ボイドが発生して導通不良が生じにくく、予め堆積された金属層により濡れ性を向上させ、高周波の信号を通し易くし、後のプロセスで再溶融しないように金属間化合物(IMC)を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子からの熱を外部に良好に放熱しつつも、素子が載置される基板の形状を安定して保持することの可能な素子搭載用部材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一態様に基づく素子搭載用部材は、上面に光電変換素子が載置される載置領域を有する複合基板を備えている。複合基板は、金属層および金属層に積層されたセラミック層を具備している。また、金属層はセラミック層との接合面に複数の凸部を有するとともに、セラミック層は複数の凸部にそれぞれ嵌合する複数の凹部を有している。そして、複合基板を平面透視した場合に、複数の凸部が載置領域を除く領域よりも載置領域に密に存在することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】樹脂膜上に回路が形成されてなるデバイスを、より安価にかつ高い製造効率で製造する。
【解決手段】液状ポリイミド樹脂組成物をキャリア基板上に塗布して乾燥させることにより、キャリア基板上に固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程と、ポリイミド樹脂膜上に回路を形成する工程と、回路が形成されたポリイミド樹脂膜をキャリア基板から剥離する工程と、を含むデバイス製造方法であって、液状ポリイミド樹脂組成物が、式(1)で表される繰り返し単位を含むポリイミド樹脂と溶媒とを含有してなることを特徴とする、デバイス製造方法。
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【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第1の表面214及び対向する第2の表面216を有する基板212を設け、基板の第1の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも1つのブラインドビア218を形成する。酸化材料によって前記少なくとも1つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料228を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第1の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料230を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第2の表面に研磨平坦化を実施する。 (もっと読む)


【課題】高電圧に対する絶縁特性に優れ、パワーモジュール用として使用するのに好適なセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】
最上層と最下層が金属板であり、その間を複数のセラミックス基板と金属板が交互に配置されてなるセラミックス回路基板において、回路パターンを形成する最上層の金属板と接するセラミックス基板の厚さが、セラミックス回路基板を構成する他のセラミックス基板の厚さよりも薄く、該セラミックス回路基板の絶縁破壊電圧と、該セラミックス基板を構成するセラミックス基板の厚さの総和と同じ厚さを持つ単層のセラミックス基板からなるセラミックス回路基板の絶縁破壊電圧との比が1.2以上であるセラミックス回路基板である。 (もっと読む)


【課題】反りが低減され、薄型回路基板として適した積層板を提供すること。
【解決手段】繊維基材層と樹脂層を備える複数のプリプレグが積層されてなり、上部に配線層が形成されるか、またはビルドアップ層が形成される積層板であり、積層方向において、一方の面110に最も近く配置された第一繊維基材層101の中心線A1と、第一繊維基材層101に隣接する第二繊維基材層101aの中心線A3との距離をD1とし、他方の面111に最も近く配置された第三繊維基材層105の中心線A2と、第三繊維基材層105に隣接する第四繊維基材層105aの中心線A4との距離をD2とし、当該積層板の厚さをD3とし、当該積層板中の繊維基材層の数をn(ただし、nは2以上の整数である。)としたとき、下記式(1)および(2)の条件をいずれも満たす積層板100cである。
D3/n<D1 (1)
D3/n<D2 (2) (もっと読む)


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