【課題】 セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体モジュール基板１は、矩形状のセラミック基板２と、セラミック基板２の上面に設けられた、半導体素子３が実装される第１金属板４と、セラミック基板２の下面に設けられた第２金属板５とを備え、第２金属板５の下面には、複数の同心円状の溝Ｄが設けられているとともに、複数の溝Ｄの最外周に位置する溝Ｄ１が、第２金属板５の外周の一部と重なって切欠きになっている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な複合基板、この複合基板を備えた電子デバイス及び電子機器の提供。
【解決手段】複合基板１は、基板本体である絶縁部２０と、絶縁部２０を貫通する分離部１５と、を備え、分離部１５は、一方の端部につば部１５ａを有する柱状であって、つば部１５ａと柱状部１５ｂとに跨り、つば部１５ａを貫通する凹部１５ｃと、凹部１５ｃによりつば部１５ａから柱状部１５ｂにかけて形成された開口部１５ｄとを、有し、絶縁部２０における凹部１５ｃ内の部分と柱状部１５ｂを取り巻く部分とが、開口部１５ｄを介して一体化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス１の製造方法において、ベース１０を上下に亘って貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、ベース１０の上下何れか一方の面を覆うように犠牲材１１を貼付し、貫通孔の一端を犠牲材１１で塞ぐ貼付工程と、貫通孔にビアフィルめっき処理を施すことにより、当該貫通孔を導電材からなるめっき層２１で充填する充填工程と、犠牲材１１をベース１０より除去する除去工程と、ベース１０に電子部品５０を実装する実装工程と、を備えるように構成した。 （もっと読む）

【課題】電子部品と外部電極との導通を安定して保ち、且つ、容易に貫通電極を形成可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスの製造方法において、ベース材９の上下何れか一方の面に窪みを形成する工程（ａ）と、窪みに金属粒子２１を充填する工程（ｂ）と、ガラスよりも融点の低い金属粒子２１を加熱して溶融させる工程（ｃ）と、少なくとも窪みの底面が外部へ露出するようにベース材９を研磨することにより、研磨後のベース材９に金属粒子２１に基づく貫通電極２０を備えたベース１０を形成する工程（ｄ）と、を含むように構成した。 （もっと読む）

【課題】接合部同士の短絡が生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高い、金属焼結膜により金属部品同士を銅微粒子の焼結により接合する方法を提供する。
【解決手段】セラミック板表面に、銅微粒子（Ｐ）と分散媒（Ａ）を含む加熱接合材料からなるパターン化物を配置し、更に該パターン化物上に導電性金属板を配置後、該加熱接合材料を加熱、焼結して銅微粒子（Ｐ）焼結体からなる接合層（Ｌ）を形成することにより、
セラミック板と導電性金属板とが接合層（Ｌ）を介して接合されたセラミック接合体であって、前記銅微粒子（Ｐ）が平均一次粒子径２〜５００ｎｍの銅微粒子（Ｐ１）を含み、接合層（Ｌ）の空孔率が３〜３０体積％で平均空孔径が５〜５００ｎｍであり、厚みが０．００５〜０．５００ｍｍであることを特徴とする、セラミック接合体。 （もっと読む）

【課題】大電力での半導体チップの動作に対応するために厚い金属回路板や金属放熱板を用いた場合にも、冷熱サイクルに対しても絶縁性セラミックス基板の割れを生じにくく、高い耐久性をもった回路基板および半導体モジュールを得る手段を提供する。
【解決手段】絶縁性セラミックス基板２と、該絶縁性セラミックス基板の一面に接合された金属回路板３と、前記絶縁性セラミックス基板の他面に接合された金属放熱板４と、からなる回路基板１において、前記絶縁性セラミックス基板の厚さをｔ_ｃ（ｍｍ）、前記金属回路板の厚さをｔ_１（ｍｍ）、前記金属放熱板の厚さをｔ_２（ｍｍ）とし、前記絶縁性セラミックス基板の内部の破壊靱性値をＫ（ＭＰａ・ｍ^１／２）としたとき、（ｔ_１^２−ｔ_２^２）／ｔ_ｃ^２／Ｋ＜０．６２である。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導特性と高い強度特性を有する、半導体装置用アルミナジルコニア焼結基板と、それを有利に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】焼結助剤が添加されていない原料組成物を焼成して得られた、ＺｒＯ₂ ：２〜１５重量％、Ｙ₂ Ｏ₃ ：０．０１〜１重量％及びＡｌ₂ Ｏ₃ ：残部からなる焼結基板であって、Ａｌ₂ Ｏ₃ の平均結晶粒子径が２μｍよりも大きく、７μｍ以下であると共に、Ａｌ₂ Ｏ₃ 粒界長さが粒界総長さの６０％以上となるように構成して、熱伝導率が３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり且つ曲げ強度が５００ＭＰａ以上である特性を付与した。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体基板と金属基板との接合強度の向上効果を発揮するのみでなく、更に、高強度で熱サイクル特性に優れた窒化アルミニウム−金属接合基板を安定にかつ再現性よく得ることのできる窒化アルミニウム−金属接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に砥粒を衝突せしめて改質した後、上記窒化アルミニウム焼結体の被処理面に金属基板を接合するに際し、前記砥粒として窒化アルミニウム焼結体より高い硬度を有する砥粒を使用し、該砥粒を１０〜３０体積％の濃度で含有する液体を、圧縮空気と共に、前記窒化アルミニウム焼結体基板の被処理面に対して作用する圧力が０．１０〜０．２５ＭＰａとなるように噴射して、Ｘ線回折を用いたｓｉｎ^２ψ法により求めた該被処理面の窒化アルミニウムの（１１２）面の残留応力値が−５０ＭＰａ以下、かつ、表面粗さが０．２μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板１０は、セラミックス基板１１とその上に形成された配線層１２とを具備する。配線層１２は、セラミックス基板１１の表面に順に積層された下地金属層１５、第１の拡散防止層１６および第１のＡｕ層１７を有する配線部１３と、配線部１３上の所望の位置に順に積層された第２の拡散防止層１９、空孔抑制層２０および半田層１８を有する接続部１４とを備える。空孔抑制層２０はＡｕやＡｕを８５質量％以上含むＡｕ−Ｓｎ合金により構成される。 （もっと読む）