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国際特許分類[H01L23/28]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 封緘,例.封緘層,被覆 (7,021)

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【課題】アンダーフィルの収縮が半導体チップの電気特性に及ぼす影響を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体チップ2とベース材3との積層構造を有する。半導体チップ2の表面上に電極21が形成されており、ベース材3の表面上に電極31が形成されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とが対向すると共に電極21と電極31とが突起電極4を介して電気的に接続されている。半導体チップ2の前記表面とベース材3の前記表面とに挟まれた領域のうち、電極配置領域B以外の他の領域に位置する部分のアンダーフィル5に分断領域6が設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造において半導体装置の形状や意匠への制限を抑制でき、高生産性、かつ低コストで高品質の半導体装置の製造を可能にする半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】成型部を成型するためのキャビティ凹部を有する上金型と平坦面を有する下金型との間にリードフレームをチップ搭載領域が上側になるようにセットし、キャビティ凹部内で連結部と該連結部に隣接する信号接続端子との一部を押圧ブロックによりクランプしながらキャビティ凹部内に成型材料を充填し、複数のチップ搭載領域のダイパッド部と押圧ブロックによりクランプした信号接続端子の一部とが上面に対して露出し、チップ搭載領域の反対側の信号接続端子が下面に対して露出して上下両面に複数の外部電極が露出するように成型部を成型する工程を含む半導体装置用パッケージの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。
【解決手段】電力素子チップ13が搭載された素子搭載パッド17に、タイバーで接続された放熱部材18を設け、放熱部材18をタイバーで折り曲げて素子搭載パッド17に重ね合わせる。こうして、放熱部材18と素子搭載パッド17とでなる放熱部の熱容量を増加し、放熱面積を拡張している。したがって、本光結合装置を基板に実装した際の実装基板への熱伝達性を高めることができ、従来よりも放熱効果を高めることができる。これにより、高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造可能なLEDパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】LEDパッケージを製造するために用いられるLEDパッケージ用基板であって、LEDチップの第1の電極に電気的接続するためのダイパッドおよびLEDチップの第2の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、トランスファ成形によりダイパッドとリードとの間の抜き孔に充填され、かつ、リードフレームの表面上の端部にダム部を成形する樹脂とを有する。 (もっと読む)


【課題】外部リード間の沿面距離を大きくするための絶縁性突起部の強度が高く、製造が容易な半導体装置の提供。
【解決手段】パッケージ本体から複数の外部リードが外側に突出している半導体装置であって、上記パッケージ本体に、互いに隣り合う外部リードの間に位置する絶縁性突起部が形成され、上記絶縁性突起部は、いずれか一方の外部リードにのみ接していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】EMIシールドされた半導体パッケージ及びEMIシールドされた基板モジュールを提供する。
【解決手段】本発明のEMI(electromagnetic interference)シールドされた半導体パッケージは、半導体パッケージと、その表面の少なくとも一部に形成されたEMIシールド層と、を有し、EMIシールド層は、マトリックス層と、マトリックス層の上部に配置された金属層と、マトリックス層と金属層との界面に配置された第1シード粒子と、を含む。これにより、半導体パッケージ及び基板モジュールは、従来デバイス単位で行われたシールディング工程を、実装基板のレベルで進められるように拡張可能なため、短時間で高い生産性をもって廉価で製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 光の輝度を高めつつ、かつ、部品数の削減を図ることが可能なLED光源装置を提供する。
【解決手段】 LED光源装置A1は、複数のLEDチップ40と、複数のLEDチップ40を支持する基板10および絶縁部材20を備えている。基板10は、z方向における一方側を向く主面11を有しており、基板10には、z方向における他方側へ凹む複数の凹部12が形成されており、複数のLEDチップ40のいずれかである第1のLEDチップ40が、上記複数の凹部12のいずれかである第1の凹部12に設置されている。LED光源装置A1は、絶縁部材20の主面21に設けられ、第1のLEDチップ40と導通する金属膜30と、第1のLEDチップ40を覆うように第1の凹部12に充填された第1の透光樹脂510とを備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低い線膨張係数を有し、かつ反射率が高く透過率が低い硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、(D)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有するシリコーン化合物、(E)無機充填材、(F)白色顔料を必須成分とし、460nm及び480nmでの分光反射率が90%以上で、硬化物の厚みが0.2mm以下のときの分光透過率が0.4%未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れる熱的特性を提供すると共に、パワー回路部と制御回路部との間の高い信頼性を具現することができる電力モジュールパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電力モジュールパッケージ100は、段差部111及び非段差部112を有する基板110と、段差部111に設けられた回路配線111aに電気的に接続されるパワー回路部120と、非段差部112に設けられた回路配線112aに電気的に接続される制御回路部130と、非段差部112の回路配線112aが露出するように、基板110にモールドされてパワー回路部120を封止するモールディング部140とを含む。 (もっと読む)


【課題】成形の工程の簡略化を可能にする熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供すること。
【解決手段】底面及び内周側面から構成される凹部を有するとともに該内周側面を形成する樹脂成形品を有し、該底面が光半導体素子搭載領域である光半導体素子搭載用基板であって、前記樹脂成形品は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成することができ、当該熱硬化性樹脂組成物を金型温度180℃、硬化時間90秒の条件でトランスファー成形して得られる硬化物の硬化度が、150℃、3時間の加熱によって更にアフターキュアされた後の当該硬化物と実質的に同等である、光半導体素子搭載用基板。 (もっと読む)


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