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国際特許分類[H01L23/28]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 封緘,例.封緘層,被覆 (7,021)

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【課題】取り扱いが容易な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ1は、相互に離隔した第1及び第2のリードフレーム11,12と、第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子14aが第1のリードフレーム11に接続され、他方の端子14bが第2のリードフレーム12に接続された半導体チップ14と、樹脂体17と、を備える。第1及び第2のリードフレームは、それぞれ、ベース部11a,12aと、ベース部から延出した複数本の吊ピン11b〜11e,12b〜12eと、を有する。ベース部は、第1及び第2のリードフレームにおける少なくとも相互に対向した部分に配置された薄板部と、薄板部よりも下方に突出した凸部11g,12gと、を有する。そして、薄板部の下面及び側面、凸部の側面、吊ピンの下面及び側面は樹脂体によって覆われており、凸部の下面及び吊ピンの先端面は樹脂体から露出している。 (もっと読む)


【課題】基板と半導体パッケージとの間に塗布されるはんだの厚さ(スタンドオフ高さ)を一定な半導体装置を提供する。
【解決手段】図1に示すように、リードフレーム20、リードフレーム20上に搭載された半導体チップ50、そしてリードフレーム20および半導体チップ50を封止している封止樹脂30を有している半導体パッケージ200と、半導体パッケージ200を実装している基板1と、半導体パッケージ200および基板1を互いに接合しているはんだ60と、を備え、半導体パッケージ200の基板1側の面には、少なくとも3つ以上の凸部70を有しており、凸部70と基板1が接触している。 (もっと読む)


【課題】実施形態は、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法である。複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が交互に配置された金属プレートの表面に、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の樹脂を含む前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を、前記金属プレートの上に形成する工程と、前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】インダクタを内蔵する半導体モジュールを高性能かつ小型とする。
【解決手段】第1リードフレーム21には、絶縁性のセラミックス基板50が搭載される。また、第2リードフレーム22、第3リードフレーム23には、これらをまたいだ形態でインダクタ60が搭載される。セラミックス基板50の一方の主面には配線パターンが形成され、この配線パターン中に、DC−DCコンバータを構成する制御用ICチップ53、MOSFETチップ54、回路素子(容量素子、抵抗素子)が配置されている。セラミックス基板50の他方の主面は、接着剤によって第1リードフレーム21に接合される。 (もっと読む)


【課題】実装効率を維持しながら、信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】金型内で金属板2に搭載された電子部品の周囲に流動性の高い絶縁樹脂6を圧縮しながら充填し、その後絶縁樹脂6を硬化させることにより、電子部品の損傷や金属線の変形や短絡を防ぎ、配線基板の反りや歪、クラック等の発生を防止して信頼性を向上させながら、高密度に電子部品を配線基板の内部に内蔵することができる。 (もっと読む)


【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 (もっと読む)


【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第1の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第2の外部電極と、第1の外部電極と直接に接触して、又は第1の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第1の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 (もっと読む)


【課題】外装シールドを確実に接地するとともに、ダイシングブレード、外装シールドにかかる負担を抑えて半導体モジュールを製造する。
【解決手段】モジュール基板1と、モジュール基板1の上面に実装された複数個の電子部品2と、これらの電子部品2を含むモジュール基板1の上面を封止する封止樹脂層3と、封止樹脂層3の上面を覆う外装シールド4と、外装シールド4と一体に形成された接続部5とを備えている半導体モジュールA。 (もっと読む)


【課題】反り、クラック等の不具合の防止、実装の適正化および容易化、等を実現しうる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体チップ等を搭載した絶縁基板に接合された一方主面を有するベース板120と、ベース板120の一方主面と絶縁基板と半導体チップ等を覆うように且つベース板120の他方主面は露出するように設けられたトランスファーモールド樹脂140とを含む。ベース板120の線膨張係数は銅のそれよりも低く、トランスファーモールド樹脂140の線膨張係数は16ppm/℃以下である。トランスファーモールド樹脂140は、ベース板120の相対する短辺中央部付近がそれぞれ露出するようにえぐられた形状142を有している。ベース板120は、トランスファーモールド樹脂140のえぐられた形状142によって露出している各部分に、取り付け穴122を有している。 (もっと読む)


【課題】より優れる側面電磁遮蔽効果を有する半導体パッケージ及びその実装方法を提供する。
【解決手段】半導体実装方法により、基板ユニット213を有するマザー基板を提供し、基板ユニット213の角隅に接地連結の位置合わせマーク215を設置する。基板ユニット213の上にチップ220を設置する。マザー基板の上表面211に封止体230を形成して基板ユニット213と分割ラインとを連続被覆する。マザー基板の下表面212に分割ラインに沿って少なくともマザー基板を貫通する複数の半切断溝240を形成する。位置合わせマーク215を被覆連結するようにマザー基板の下表面212と半切断溝群240とに第一電磁遮蔽層251をパターン化形成する。封止体230を個片化分割した後、封止体230の頂面231と分割側面232とに第一電磁遮蔽層251と連結する第二電磁遮蔽層252を形成する。 (もっと読む)


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