【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発する熱の熱伝導率の低下を抑制しつつ、熱応力を緩和すること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子と、回路基板に接合されたフィンユニット１３とから構成されている。回路基板は、セラミックス基板１４の表裏両面に表金属板と裏金属板１６を接合して構成されている。裏金属板１６には、側面視凹凸形状をなすフィンユニット１３が接合されている。裏金属板１６には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和する第１の溝２２が形成されている。凸部１３ａにおいて第１の溝２２と対向する部分には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和する第２の溝２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、基板基材が熱によって劣化することを抑制することができる構造の半導体モジュールを開示する。
【解決手段】半導体モジュール２は、基板基材４内にＩＧＢＴ１０、ダイオード２０、プリント配線３０〜４４、及び、断熱部５０が配置されて形成されている。ＩＧＢＴ１０とダイオード２０は、基板基材４内に並べて配置されている。プリント配線３０は、ＩＧＢＴ１０及びダイオード２０と接続されている。同様に、プリント配線３４、３６は、ＩＧＢＴ１０と接続されている。また、プリント配線３８は、ダイオード２０と接続されている。プリント配線３０〜４４の一部は、基板基材４の表面に露出している。断熱部５０は、ＩＧＢＴ１０と基板基材４との間、ダイオード２０と基板基材４との間、及び、プリント配線３０、３４、３６、３８と基板基材４との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】モールド成形時に均一に加圧でき絶縁材が均一に貼着された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板３０の一方の面に第１の半導体素子１０が接合され、他方の面に第１の絶縁材５０を介して第１の放熱板７０が接合され、種類の異なる複数の端子９０、９１、９２が側方に延び、モールド成形された第１のユニット１７０と、第２の基板４０の一方の面に第２の半導体素子２０が接合され、他方の面に第２の絶縁材６０を介して第２の放熱板８０が接合され、種類の異なる複数の端子１００、１０１、１０２が側方に延び、モールド成形された第２のユニット１８０とを有し
、前記第１のユニットと前記第２のユニットが対向して固定され、前記種類の異なる複数の端子のうち、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの接続が必要な端子９０、１００は重なって配置され、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの接続が不要な端子は重ならずに配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】接着剤が金属ベース基板の放熱面にはみ出すことを防止しつつ、シール性および接着強度を向上させる。
【解決手段】一実施形態に係るパワーモジュールは、金属ベース基板１０と、金属ベース基板１０の実装面に実装された発熱電子部品１１と、第１の面２１と、第１の面２１の反対面となる第２の面２２と、第１の面２１から第２の面２２へと貫通する開口２３とを有する樹脂フレーム２０と、樹脂フレーム２０の基板収納部２４に塗布され金属ベース基板１０と樹脂フレーム２０とを接着させ、金属ベース基板１０の辺端と基板収納部２４の側面２６との間の空間を満たす接着剤４０とを備える。樹脂フレーム２０は、開口２３に沿って第１の面２１から凹設された基板収納部２４と、基板収納部２４の側面２６から凸設され、金属ベース基板１０の辺端と当接する複数のリブ２７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は線膨張係数差によって生じる応力を緩和する応力緩和部１７（例えば長溝状スリット１７ａ，１７ｂ等）を有する構成とした。この構成によれば、放熱部１５と絶縁部材１４との間に温度差が生じても、絶縁部材１４に備える応力緩和部１７が線膨張係数差によって生じる応力を緩和する。こうして応力が緩和されるので、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）