【課題】半導体素子の発する熱の熱伝導率の低下を抑制しつつ、熱応力を緩和すること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子と、回路基板に接合されたフィンユニット１３とから構成されている。回路基板は、セラミックス基板１４の表裏両面に表金属板と裏金属板１６を接合して構成されている。裏金属板１６には、側面視凹凸形状をなすフィンユニット１３が接合されている。裏金属板１６においてフィンユニット１３とフィンユニット１３の間には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和するフィン間溝２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）