【目的】 高周波回路モジュールを小型化する。
【構成】 多層基板の材料として、アルミナまたはバリウムを含むガラスセラミックを用いる。多層基板の構造は厚さ１５０μｍ、縦横７ｍｍ角の４層の平板１〜４で構成し、それぞれの層間はスルーホール１２で結線している。第１層表面１５には高誘電体内蔵ＧａＡｓ−ＭＭＩＣ１１とチップ部品１３とマイクロストリップ線路２５が設けられている。第２層表面１６、第４層表面１８にはほぼ全面に接地導体１４が配置されている。第３層表面１７には、ストリップ線路からなる導体線路２１が配置されていて、それぞれの導体線路２１間は、接地導体２２によって分離されている。第４層裏面１９には、印刷抵抗素子によりバイアス抵抗が形成されている。 （もっと読む）

【構成】高周波集積回路において、半導体集積回路チップ１１を出来るかぎり小さくするために、能動素子１２，抵抗素子１３，容量素子１４のみを半導体基板１５上に形成し、整合回路に不可欠なスパイラルインダクタンス素子１６を形成した高抵抗誘電体基板上に搭載する。
【効果】小型で高性能な、混成型高周波集積回路を実現できる。 （もっと読む）

【目的】 低温環境においても、回路基板上の電子部品を急速に加温する。
【構成】 電子部品を接続する配線パターン２を持った回路基板１上に、上記電子部品を予熱するための金属膜のヒータパターン３を設ける。 （もっと読む）

【目的】 高速スイッチング動作時の電源ノイズの発生が抑制され、信頼性が高くかつ半導体集積回路や個別部品の高集積化、高密度実装化を実現した半導体集積回路実装基板を提供する。
【構成】 第１の導電体電極層２と第２の導電体電極層４とこれらの 2つの層間に挟持される誘電体層３とにより形成されるコンデンサが、基板１上に配設されており、基板の最上層の表面に実装された半導体集積回路チップ８とは接続ビア（ｖｉａ）９、１０によって接続され、チップコンデンサの表面実装およびその配線のための面積が不要でその分集積回路チップをより多く実装でき、またそれらの配置および結線の自由度も高くでき、半導体集積回路や個別部品の高集積化、高密度実装化が実現できる。 （もっと読む）

本実施例で単層基板（２）からなるＤＣ−ＤＣ変換器であるＰＣＢアセンブリ（１）は、高熱発生部品（３）を形成する電力半導体デバイスと、熱放散部品（４）を形成する磁性材料からなる様々なコアを実装している。熱伝導性結合材料（６）の抵抗路が、各熱発生部品（３）の上または下に配設されて、１つの熱放散部品（４）の中に突入しかつその他の側方に延出している。ある実施例では、熱発生部品（３）が熱放散部品（３）の中に収容される。別のＰＣＢアセンブリでは、それ自体が熱発生部品（３）又は熱放散部品（４）のみを担持する追加のプラグインＰＣＢが設けられる。後者の場合、熱発生部品（３）は前記ＰＣＢアセンブリ上に追加のプラグインＰＣＢの下側に実装される。 （もっと読む）