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国際特許分類[H01L25/11]の内容

国際特許分類[H01L25/11]に分類される特許

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【課題】モールド成形時に均一に加圧でき絶縁材が均一に貼着された半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の基板30の一方の面に第1の半導体素子10が接合され、他方の面に第1の絶縁材50を介して第1の放熱板70が接合され、種類の異なる複数の端子90、91、92が側方に延び、モールド成形された第1のユニット170と、第2の基板40の一方の面に第2の半導体素子20が接合され、他方の面に第2の絶縁材60を介して第2の放熱板80が接合され、種類の異なる複数の端子100、101、102が側方に延び、モールド成形された第2のユニット180とを有し
、前記第1のユニットと前記第2のユニットが対向して固定され、前記種類の異なる複数の端子のうち、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子90、100は重なって配置され、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が不要な端子は重ならずに配置される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置を薄型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、前記基板の上面に設けられた半導体素子と、前記基板の上面に設けられた接着剤と、を備え、前記基板の上面に、前記半導体素子の少なくとも一部を収容する凹部が形成され、前記接着剤は、前記基板と前記半導体素子との間に設けられているとともに、前記基板の凹部を覆っている。 (もっと読む)


【課題】小型化が容易であるとともに、加圧部材の組みつけが容易な電力変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体モジュール30と冷却管310とを積層してなる積層体3と積層体3を収容するフレーム2とを有する電力変換装置1である。積層体3における積層方向の一端には積層体3を積層方向に加圧する加圧部材4が配置されている。加圧部材4は、積層体3に当接する押圧プレート40と、フレーム2の内側面201に当接する支持プレート41と、両者の間に設けられた弾性体42とからなる。加圧部材4は、弾性体42が積層方向に圧縮された圧縮状態で積層体3とフレーム2の内側面201との間に配設されている。加圧部材4は、弾性体42が圧縮状態よりも更に圧縮された状態を維持しつつ押圧プレート40と支持プレート41とを互いに係合可能に構成された係合手段(係合部412及び被係合部401)を備えている。 (もっと読む)


【課題】信号にノイズがのることを抑制する。
【解決手段】第1配線基板100の第1面102上には、半導体チップが搭載される。第1配線基板100の第1面102は、ボンディング電極110の外に、第1グランドプレーン120、信号用第1配線132、グランド用第1配線134、及び電源電位用第1配線136を有している。グランド用第1配線134は、信号用第1配線132に隣接するように延伸しており、グランド用ボンディング電極114を第1グランドプレーン120に接続している。グランド用ホール配線144は、信号用ホール配線142に隣接している。グランド用ホール配線144は、第1グランドプレーン120を、第2面104に設けられたグランド用第2配線に接続している。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの両面冷却により効率的な放熱が可能な積層構造を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は第1半導体チップ10aと、前記第1半導体チップ10aの一方の面に設けられた放熱作用を有する第1エミッタ電極14aと、第2半導体チップ10と、前記第2半導体チップ10bの一方の面に設けられた放熱作用を有する第2エミッタ電極14bとを有する。また、放熱作用を有する取り出しエミッタ電極14を介して、前記第1エミッタ電極14aと前記第2エミッタ電極14bが接するように設けられる。半導体装置1の製造方法は、第1半導体チップ10aの一方の面に放熱作用を有する第1エミッタ電極14aを接合する工程と、第2半導体チップ10bの一方の面に放熱作用を有する第2エミッタ電極14bを接合する工程と、前記第1エミッタ電極14aと前記第2エミッタ電極14bを接合する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】はんだの高さを確保し、接合の信頼性を向上させることができる接合体、該接合体を用いることで小面積化が可能な半導体装置、該接合体でプリント配線板に接合される半導体装置を有するプリント回路板を提供する。
【解決手段】プリント回路板100は、半導体素子1が実装され、片面に電極パッド8が形成されたインターポーザ2と、インターポーザ2に対向する片面に電極パッド9が形成されたプリント配線板3と、電極パッド8,9を接合する接合体70と、を備えている。接合体70は、はんだ層60と、電極パッド8,9に接合された金属層50,50と、を有している。各金属層50,50は、金属粒子同士が結合して形成された金属粒子集合体10と、金属粒子集合体10の隙間に埋められたはんだ11とからなる。 (もっと読む)


【課題】
実施形態は、製造ばらつきが生じても、電極を安定的に露出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】
本実施形態の半導体装置は、半導体チップを内部に封止しており、第1主面と前記第1主面と対向する第2主面とを有するユニットパッケージを含む半導体装置において、前記ユニットパッケージ内に、前記第1主面側に設けられた第1部分、前記第2主面から露出した円弧部を含む第2部分が設けられた電極を有するリードフレームを備え、前記電極は、前記半導体チップの電極と電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】高密度に相互接続した積層型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】第1の配線基板20に第1の半導体チップ30が実装され、一方の側に第1の電極パッド23が形成された第1の半導体パッケージ10と、第2の配線基板60の他方の側に第2の電極パッド64が形成された第2の半導体パッケージ50は、半導体チップ収容孔41xと、絶縁性基材41を厚さ方向に貫通する複数の線状導体42に接合された第3の電極パッド42と、第4の電極パッド44と、を備えた接続用部材40で接合される。 (もっと読む)


【課題】絶縁部材の充填不良を低減すること。
【解決手段】支持板44の突起部43が形成された面には、回路基板接続用パッド31と、実装用パッド16と、回路基板接続用パッド31及び実装用パッド16を接続する接続部(層間接続部32及び配線部33)がめっきにより形成される。支持板44は、半導体チップ14が実装された回路基板40に対向配置され、回路基板接続用パッド31がバンプ20を介して内部接続用パッド19に接続される。回路基板40と支持板44との間には、樹脂が充填され絶縁層15が形成される。支持板44は、エッチングにより除去される。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージをより小型とすることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】回路素子の少なくとも一部が形成された半導体基板3と、半導体基板3の表面に配置された1または複数の表面電極41a,41bと、半導体基板3の裏面に配置され、上記回路素子と導通している裏面電極42と、を備え、表面電極41a,41bが上記回路素子と導通している、半導体装置A1であって、上記表面の側に配置されており、かつ、半導体基板3、表面電極41a,41bおよび裏面電極42を支持している支持基板1と、表面電極41a,41bと導通しているとともに半導体基板3を貫通している導電部51a,51bと、をさらに備える。 (もっと読む)


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