【課題】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通ＩＧＢＴのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ウェイクアップ中の電力スイッチ加速方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、集積回路は、少なくとも１つの電力ゲート回路ブロックを含む。電力ゲート回路ブロックは、該ブロックがアクティブであるときにその回路へ電圧を送るバーチャル電圧ノードを含む。バーチャル電圧ノードと、それに対応するグローバル電圧ノードとの間に電力スイッチが結合される。電力ゲート回路ブロックがパワーオンであるときに、電力スイッチが順次にアクチベートされる。電力スイッチがアクチベートされる割合は、バーチャル電圧ノードの電圧が増加するにつれて高くなる。電力スイッチを順次にアクチベートすることで、過剰な電流が電力ゲート回路ブロックに流入するのを防止する。バーチャル電圧ノードの電圧が少なくともあるレベルにあるときに電力スイッチがアクチベートされる割合を高めることで、より高速のウェイクアップを許すことができる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）系のＨＥＭＴを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０のうちＧａＮ層１３に２次元電子ガスが生成される領域が活性層領域４０とされ、基板１０のうち活性層領域４０を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域４０とは電気的に分離された領域が素子分離領域５０とされている。そして、ダイオード６０は素子分離領域５０の層間絶縁膜２０の上に配置されている。このように、基板１０のうちＨＥＭＴが動作する活性層領域４０とは異なる素子分離領域５０を設けているので、１つの基板１０にＧａＮ−ＨＥＭＴとダイオード６０の両方を備えた構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】多様な信号規格の処理に対応する半導体集積回路において、様々な周期性の違いに伴いタイミングと時間幅が変わるアイドル状態に対応した電源制御を適用し、消費電力を低減する。
【解決手段】処理状態と待機状態とを周期的に繰り返して処理を行う半導体集積回路の電源ドメインを制御する電源制御装置であって、待機状態の発生期間および発生間隔を含む周期的特徴情報を取得する周期情報取得部１０３と、電源ドメインが待機状態における待機電圧から半導体集積回路が動作可能となる電圧へ復帰するまでに要する復帰時間と対応付けられた待機電圧候補から、発生期間よりも復帰時間が短くなる待機電圧を電源制御情報として設定する電源制御情報設定部１０４と、電源制御情報に従って発生期間における電源ドメインの待機電圧を制御する電源制御部１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態時における第１導電型のトランジスタでの劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型のトランジスタを含み縦列接続された複数の回路と、複数の回路の其々の入力端子のうち他の回路と接続された接続入力端子と接続し接続入力端子の電圧を制御するための制御信号の活性化に応じて、接続入力端子に、該接続入力端子から電圧を受け付ける回路内の第１導電型のトランジスタを非導通状態とする第１の電圧を供給する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 論理ゲートの一方の入力を含む信号パスの遅延故障と、論理ゲートの他方の入力を含む信号パスの遅延故障とを、１つの制御点により検出する。
【解決手段】 第１および第２ユーザロジックと、第１ユーザロジックの出力に接続される第１入力を有する第１論理ゲートと、第１論理ゲートの出力に接続された第３ユーザロジックと、第２ユーザロジックと第１論理ゲートとの間に挿入された制御点とを有する。制御点は、第１または第３ユーザロジックの第１スキャンフリップの１つのデータ出力がデータ入力に接続された第２スキャンフリップフロップと、一対の入力が第２スキャンフリップフロップのデータ出力および第２ユーザロジックの出力にそれぞれ接続され、出力が第１論理ゲートの第２入力に接続された第２論理ゲートとを有する。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置に負電流が流れた場合でも、回路素子を構成する深い半導体層の電位に対して、半導体基板の電位が低くなるのを抑制して寄生素子を作動させず、半導体装置の誤動作を防止する。
【解決手段】本発明は、ｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の一面に形成し、接続する負荷に電力を供給する電力素子１と、ｎ型のソース・ドレイン領域を有するＭＯＳトランジスタ２ｃを少なくとも１つ含む回路素子２と、電力素子１および回路素子２に対し独立して配置したｐ型の半導体層４と、半導体基板３および半導体層４と接続する外部回路とを備えている。外部回路は、電源と、電源に一端を接続する抵抗素子と、抵抗素子の他端にアノード電極を接続し、カソード電極をＧＮＤ接地するダイオードとを有し、抵抗素子の他端に半導体層４を接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が有する寄生容量や寄生インダクタンスによる電力の損失を抑えるこ
とが出来る、整流回路の提供を課題とする。
【解決手段】入力された交流電圧の振幅に従い、前段の回路と該整流回路の間におけるイ
ンピーダンスを整合または不整合にする。入力される交流電圧が規定の振幅以下である場
合は、インピーダンスを整合にし、該交流電圧をそのまま整流回路に印加する。逆に入力
される交流電圧が規定の振幅よりも大きい場合は、インピーダンスを不整合にし、反射に
より該交流電圧の振幅を小さくしてから整流回路に印加する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して不純物を活性化させる半導体装置の製造方法において、半導体基板の裏面に凹凸が形成されることを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３ａを用意し、半導体基板３ａの裏面から活性化層１２、１３を構成するための不純物をイオン注入するイオン注入工程を行う。その後、半導体基板３ａの裏面から、第１レーザ１８ａと、第１レーザ１８ａよりエネルギーが低くされていると共に波長が長くされており、第１レーザ１８ａの照射スポットと少なくとも一部が重なる照射スポットとされた第２レーザ１８ｂとを同時に照射しながら走査し、第１レーザ１８ａによって不純物を活性化させて活性化層１２、１３を形成する活性化工程を行う。 （もっと読む）