【課題】
短いチャネル長の酸化物半導体装置およびそれを低コストで実現することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物半導体装置において、チャネルとなる酸化物半導体層ＣＨと、第１方向に、酸化物半導体層ＣＨを介して延伸する第１の電極層（ソース又はドレイン）ＬＥおよび第２の電極層（ドレイン又はソース）ＵＥと、第１方向と交差する第２方向に延伸し、酸化物半導体層ＣＨと基板ＳＵに垂直な方向においてゲート絶縁層ＧＩを介して重なるゲート電極層ＧＥとを有し、酸化物半導体層ＣＨの膜厚がそのチャネル長となる。 （もっと読む）

【課題】ＬＯＣＯＳ酸化膜端部の直下の電界集中が容易に緩和され、ＬＯＣＯＳ酸化膜直下の半導体導電層の良好な耐圧および抵抗を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（１）は、ＬＯＣＯＳ酸化膜（２２）の半導体基板の表面に対してラテラル方向に終端しているエッジ（２２ａ、２２ｂ）の少なくとも一部（２２ａ、２２ｂ）が、上面と下面とに１５度以上３０度以下の角度（θ）で挟まれて終端するプロファイルを有している。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆回復特性を改善する技術を提供すること。
【解決手段】モノリシック集積回路１００は、半導体層６と絶縁分離部４とダイオード１６を備えている。絶縁分離部４は、平面視したときに、半導体層６の一部である島領域８を周囲から絶縁している。ダイオード１６は、島領域８に形成されている。ダイオード１６は、第１導電型の中央領域１４と第２導電型の環状領域１０を有している。中央領域１４と環状領域１０は、半導体層６の表層に形成されている。平面視したときに、環状領域１０は、中央領域１４の周囲を一巡している。島領域８には、半導体層６を貫通する貫通部１８が形成されている。貫通部１８は、中央領域１４に囲まれている。モノリシック集積回路１００では、絶縁分離部４を画定するトレンチと貫通部１８を画定するトレンチが、同一の製造工程で作製される。 （もっと読む）

【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＯＩ基板ＳＢ上に形成されたマットＭＴ内に複数のＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、ＢＯＸ膜を貫き支持基板に達するコンタクトプラグＣＴ２を形成することで、マットＭＴの周囲を、ＳＯＩ基板ＳＢの主面に沿う第１方向または第１方向に直交する第２方向に延在する複数のコンタクトプラグＣＴ２により囲む。これにより、コンタクトプラグＣＴ２をガードリングとして用い、マットＭＴの外部に流れる高周波信号に起因してマットＭＴ内にノイズが発生することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、（ａ）素子分離領域ＳＴＩにより囲まれた半導体領域３よりなる活性領域Ａｃに配置されたＭＩＳＦＥＴと、（ｂ）活性領域Ａｃの下部に配置された絶縁層ＢＯＸとを有する。さらに、（ｃ）活性領域Ａｃの下部において、絶縁層ＢＯＸを介して配置されたｐ型の半導体領域１Ｗと、（ｄ）ｐ型の半導体領域１Ｗの下部に配置されたｐ型と逆導電型であるｎ型の第２半導体領域２Ｗと、を有する。そして、ｐ型の半導体領域１Ｗは、絶縁層ＢＯＸの下部から延在する接続領域ＣＡを有し、ｐ型の半導体領域１Ｗと、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇとは、ゲート電極Ｇの上部から接続領域ＣＡの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグＳＰ１により接続されている。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜を形成し、トレンチによる絶縁物分離構造とし、その中に結晶欠陥が多くてもその影響を避ける新構造の素子の発明である。
【解決手段】ＳｉＣ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子を構成しているＰＮ接合面において基板面と並行となる面にあるＰＮ接合に印加される電界が、ＳｉＣ膜が形成されているシリコン酸化膜や基板となるＳｉ層により緩和されて、さらには基板電位をドレイン電圧とは逆方向の電位とすることにより大きく電界緩和されて、ＳｉＣ膜に発生している基板と垂直方向の結晶欠陥の結晶欠陥降伏電圧以下とすることを特徴とする素子構造を持った半導体装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 （もっと読む）