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国際特許分類[H01L27/144]の内容

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【課題】小型化もしくは受光部の拡大が可能で、信頼性を確保でき、さらに、解像度特性を改善できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子13が配列された受光部14、および光電変換素子13と電気的に接続された素子用電極パッド15を有する固体撮像素子12を備える。外部接続用電極パッド18およびこの外部接続用電極パッド18と電気的に接続されている電極端子19を有する基台17に、固体撮像素子12を固定する。素子用電極パッド15と外部接続用電極パッド18とを配線20で電気的に接続する。素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20を一体に被覆する保護層21を気相成長法によって形成する。固体撮像素子12の受光部14上とともに、保護層21で被覆された素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20上にシンチレータ層22を形成する。配線20をシンチレータ層22内に埋没固定する。 (もっと読む)


【課題】、放射線画像の品質を維持したまま放射線の照射に関する検出を行うこができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】照射された放射線が変換された光に応じて電荷を発生するセンサ部103、センサ部103から読み出した電荷を信号配線3に出力するTFTスイッチ4、及び信号配線3と非接続の放射線検知用TFTスイッチ34を備えた画素20Aと、センサ部103、TFTスイッチ4、及び信号配線3と接続され、センサ部103から読み出した電荷を信号配線3に出力する放射線検知用TFTスイッチ34を備えた放射線検知用画素20Bと、を備える。放射線検知用TFTスイッチ34の制御端子は、放射線検知用走査配線109に接続されており、放射線検知用制御回路108から出力されたスキャン信号により、オン、オフが制御される。 (もっと読む)


【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、2次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第1電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第2電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第1電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第1の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 (もっと読む)


【課題】焦電型光検出器の検出出力を高めること。
【解決手段】焦電型光検出器は、基板10と、基板上に支持される支持部材215と、支持部材に接して形成されている焦電型光検出素子251と、を有する。焦電型光検出素子251は、支持部材側に設けられる第1電極234と、第1電極と対向して設けられ、平面視における面積が、第1電極より小さい第2電極236と、第1電極234と第2電極236との間に設けられる焦電体232と、を含むキャパシター230を有する。焦電型光検出素子251はさらに、キャパシター上に形成されている光吸収層270を含む。平面視における光吸収層の面積を受光部面積Aaとし、平面視における第2電極の面積をキャパシター面積Acとし、Aa/Acは、2.0<Aa/Ac<49.0を満足する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、再分極を行うことなく、赤外線を検出することができる焦電型赤外線検出素子、焦電型赤外線撮像素子および焦電型赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の焦電型赤外線検出素子Dは、一対の下部電極層および上部電極層と前記一対の下部電極層および上部電極層間に配置される強誘電体材料とを備える焦電部11と、前記一対の下部電極層および上部電極層間に所定の電圧値Viの電圧を印加するための電圧印加部12と、電圧印加部12によって前記一対の下部電極層および上部電極層間に前記所定の電圧値Viの電圧を印加した電圧印加分極状態から自然分極状態までに焦電部11で生じた電荷量に関係する所定の物理量を測定する測定部13とを備える。 (もっと読む)


【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いS/N比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板100の上に配置されたトランジスタ130と、トランジスタ130の上に配置され、トランジスタ130と接続された変換素子110と、変換素子110と接続されたオーミックコンタクト部151と、オーミックコンタクト部151と接続された半導体部152と、絶縁層101を介して半導体部152及びオーミックコンタクト部151と対向して配置された導電体部154と、を基板100と変換素子110との間に有して、トランジスタ130に対して変換素子110と並列に接続された容量素子150と、半導体部152にキャリアを蓄積させる第1電位と、半導体部152を空乏化させる第2電位と、を導電体部154に供給する電位供給手段と、を有する。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を1フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ1フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 (もっと読む)


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