【課題】 プロセス・シミュレーションの不純物濃度分布及び形状計算結果を、デバイス・シミュレーション構造定義に反映させ、少ないプロセス・シミュレーション回数で効率良くプロファイル設定を行うデバイス・シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】 補間濃度分布算出部１５は、複数のプロセス・シミュレーションの結果から、不純物濃度分布の差分を求め、その差分情報を処理し補間データを作成する。そして、その補間データをデバイス・シミュレーション用に設定されたメッシュ情報上に展開する。デバイス特性シミュレーション部１６は、デバイス・シミュレーションを実行する。出力分１２は、実行結果について表示等の出力を行う。 （もっと読む）

【課題】実測データを用いたキャリブレーションを自動化できる半導体素子のシミュレーション装置および半導体素子のシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】パラメータをキャリブレーションする手順を示したキャリブレーション条件を作成して入力する工程と、キャリブレーション条件の一工程分をシミュレータに投入してパラメータの最適値を探索する工程と、実測データを用いてパラメータをキャリブレーションする工程と、キャリブレーション条件の他の一工程分をシミュレータに投入し、パラメータの最適値を探索してから実測データを用いてパラメータをキャリブレーションする操作を、キャリブレーション条件に従って繰り返す工程とを有する半導体素子のシミュレーション方法と、そのようなキャリブレーション条件の入力部を有する半導体素子のシミュレーション装置。 （もっと読む）

【課題】 データをフレキシブルに利用しうる状態で格納した集積回路装置の設計用データベース及びこれを利用した集積回路装置の設計方法を提供する。
【解決手段】 設計データの格納層であるＶＣＤＢ１００（ＶＣデータベース）と、制御システムであるＶＣＤＢＭＳ２００（ＶＣＤＢマネージメントシステム）とを備えている。ＶＣＤＢ１００には、ＶＣクラスタ３００と、テストベクタクラスタ３０４と、目的別機能検証モデル３２０とが含まれている。ＶＣＤＢ１００内には、共用テストクラスタ４１０と周辺モデルクラスタ４２０とを含むシステム検証用データベース４０２が配置されている。ＶＣＤＢＭＳ２００内には、テストシナリオ，目的別機能検証モデル，システム検証モデルなどの生成を行なう機能検証支援手段５００や、ＶＣインターフェース合成手段７００などが配設されている。 （もっと読む）