【課題】回路シミュレーションの精度を向上する。
【解決手段】回路シミュレーション装置３０は、集積回路のレイアウトデータから、対象ＭＯＳトランジスタ１１のゲート１２と対象ＭＯＳトランジスタ１１に隣接するＭＯＳトランジスタ１５、１６のゲート１７、１８との間のゲート間隔Ｓｓ、Ｓｄを抽出し、抽出されたゲート間隔Ｓｓ、Ｓｄから対象ＭＯＳトランジスタ１１のトランジスタモデルパラメータｖｔｈ０’を算出するパラメータ算出手段と、算出されたトランジスタモデルパラメータｖｔｈ０’を用いて前記集積回路の回路シミュレーションを行う回路シミュレーション手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】既存回路シミュレータに設定すべきモデルパラメータの値の決定を客観的にできるようにする。
【解決手段】本方法は、入力変数としてデバイス寸法と端子電圧とを含み、係数としてモデルパラメータを含む、電気特性を計算するモデル式におけるモデルパラメータが最適化パラメータとして設定され、各点誤差の平均値である最適化誤差が最適化指標として設定される最適化アルゴリズムに従って、最適化誤差を最小化するモデルパラメータを探索する処理の過程で、モデルパラメータ値セットと、デバイス寸法の代表値セット毎の各点誤差と、最適化誤差と特定する工程と、上記代表値のセット毎に各点誤差が最小となるモデルパラメータ値セットをモデルパラメータの最適値セットとして特定する工程と、各モデルパラメータについて、当該モデルパラメータの最適値を近似するためのマップ関数の係数を、近似アルゴリズムに従って算出する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体薄膜の信頼性評価において、絶縁破壊の確率過程にシリコンウェーハ表面の品質状態を数理統計的に組み込ませる。
【解決手段】 シリコンウェーハ上に形成した絶縁体薄膜をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションする絶縁破壊寿命シミュレーション方法は、絶縁破壊の測定条件を設定するステップ、ウェーハ表面欠陥の分布および欠陥サイズを設定するステップ、絶縁体薄膜をセルにメッシュ分割し上記表面欠陥をセルにくり込むステップ、絶縁体薄膜の絶縁破壊に至る時間の基準尺度を算出するステップ、シリコンウェーハ上に設定する全キャパシタに亘りそれ等の絶縁体薄膜の絶縁破壊の確率過程をモンテカルロ法によりコンピュータシミュレーションするステップ、全キャパシタの絶縁破壊について統計処理するステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】トラップ準位を取り込んだ物理モデルに基づき、比較的短時間で高精度な回路解析を行うことができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置は、入力装置１１、記憶装置１２、演算装置１６、制御装置１５及び出力装置１７を備える。入力装置から入力されたＴＦＴにおけるゲート電極端に対応する多結晶シリコン薄膜のゲート電極側表面のソース領域端とドレイン領域端における第１、第２イオン化トラップ密度Ｎ_ｔＳ０，Ｎ_ｔＳＬ、上記ソース領域端の第１電位φ_Ｓ０、上記ゲート電極が形成された表面に対向する裏面側のソース領域端の第２電位φ_ｂ０、上記ゲート電極側表面のドレイン領域端の第３電位φ_ＳＬ、及び上記裏面側の前記ドレイン領域端の第４電位φ_ｂＬに基づいて演算を行ってドレイン電流Ｉ_ｄｓを算出する。 （もっと読む）

【課題】回路シミュレーションの精度の向上。
【解決手段】測定点の電気特性を示す測定データを入力する入力部１０と、入力された測定データが存在している測定点について、入力された測定データに基づいて、測定点の電気特性を近似する第１近似関数式を作成する第１近似関数式作成部２０１と、入力された測定データが不足している測定点について、第１近似関数式作成部２０１によって作成された第１近似関数式を修正して、測定点の電気特性を近似する第２近似関数式を作成する第２近似関数式作成部２０２と、第１および第２近似関数式作成部２０１，２０２によって作成された第１および第２近似関数式に基づいて、測定点の電気特性の近似値を算出する近似値算出部３０と、算出された近似値を含むモデルパラメータセットを生成するモデルパラメータセット生成部８０と、生成されたモデルパラメータセットを出力する出力部９０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】特性値の性質に即した評価を行い、全ての特性値が同時に目標値に近づくようにする。
【解決手段】初期世代の複数の個体を生成して各個体についてパラメータに基づく複数の特性値を取得する。特性値についての個別適合度と総合適合度を算出し、終了判定条件を満たすとき総合適合度の高い個体のパラメータを最適パラメータとして出力する。終了判定条件を満たさないとき、総合適合度の高い個体の選択、交叉、突然変異等の遺伝的操作により次世代の複数の個体を生成する。次世代の各個体について、前記処理を繰り返す。各特性値について目標値をそれぞれ設定し、各特性値が該目標値に近づくほど大きくなる評価関数を個別適合度の算出に用い、特性値が目標値に達した後は個別適合度の値を一定にする。 （もっと読む）

【課題】より精密な半導体装置の解析及び設計を可能とする。
【解決手段】半導体装置の解析及び設計装置は、トランジスタの構成情報とトランジスタの電気特性の測定値とを関連付けて格納している記憶部３と、第１トランジスタのチャネル領域の深さ方向の不純物濃度分布を示す関数を仮定する濃度分布設定部１１と、関数を用いてポアソン方程式を表し空乏層幅を変数としてポアソン方程式を解き表面ポテンシャルを計算して第１トランジスタの電気特性の計算値を求める素子特性計算部１２と、第１トランジスタの第１構成情報に基づいて、記憶部３を参照して、第１構成情報に対応する測定値を読み出し、測定値と計算値とが一致する場合、当該関数を第１トランジスタの不純物濃度分布と判定し、記憶部３に格納する判定部１３とを具備する。濃度分布設定部１１と素子特性計算部１２とは計算値と測定値とが一致するまで動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】より精密な半導体装置の解析及び設計を可能とする。
【解決手段】半導体装置の解析及び設計装置は、トランジスタの構成情報と電気特性の測定値とを関連付けて格納する記憶部２と、第１トランジスタのチャネル領域を複数の領域に分割し、各領域の不純物濃度をパラメータとするパラメータ設定部１１と、パラメータに基づいてチャネル領域の両端領域での不純物濃度を減少させた実効不純物濃度を算出し、実効不純物濃度を用いたポアソン方程式で計算された表面ポテンシャルから第１トランジスタの電気特性の第１計算値を求める素子特性計算部１２と、記憶部２から読み出した測定値と第１計算値とが一致する場合、当該パラメータを第１トランジスタのパラメータとして、記憶部２に構成情報と関連付けて格納する判定部１３とを具備する。パラメータ設定部１１と素子特性計算部１２とは、第１計算値と測定値とが一致するまで動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。
【解決手段】ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴのショットキー障壁ポテンシャルの、量子力学的トンネル効果によるトンネル状態密度を計算する。ショットキー障壁ポテンシャルの古典的状態密度とトンネル状態密度から算出される全状態密度で全キャリア密度を計算し、古典的状態密度で計算した古典的キャリア密度と比較する。古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性をシミュレーションする。 （もっと読む）

【課題】Ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴについてユニバーサルプロットを適用し、移動度を決めている結晶粒界について物理解析するモデルを提供する。
【解決手段】 Ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴの移動度μを解析する物理解析モデルを提供するものである。該ＴＦＴの移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性を測定し、測定された移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性からクーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の３つの移動度と実効電界Ｅeffを算出する。実効電界Ｅeffから自由キャリア密度ｎを求め、クーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)と自由キャリア密度ｎとの相関特性を用いてクーロン散乱中心密度N(Ｃoulomb)を求めることを含む物理解析モデル。 （もっと読む）