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国際特許分類[H01L29/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759)

国際特許分類[H01L29/00]の下位に属する分類

半導体本体 (3,016)
電極 (8,931)
半導体装置の型 (42,689)

国際特許分類[H01L29/00]に分類される特許

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【課題】Poly−Si TFTについてユニバーサルプロットを適用し、移動度を決めている結晶粒界について物理解析するモデルを提供する。
【解決手段】 Poly−Si TFTの移動度μを解析する物理解析モデルを提供するものである。該TFTの移動度μおよびVg−Id特性を測定し、測定された移動度μおよびVg−Id特性からクーロン散乱移動度μ(Coulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の3つの移動度と実効電界Eeffを算出する。実効電界Eeffから自由キャリア密度nを求め、クーロン散乱移動度μ(Coulomb)と自由キャリア密度nとの相関特性を用いてクーロン散乱中心密度N(Coulomb)を求めることを含む物理解析モデル。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタの直流特性を精度良くシミュレーションできるMOSトランジスタの模擬回路を提供すること。
【解決手段】電圧制御型電圧源EGD1(10)は、シミュレーション結果としてのドレイン―ソース間電圧VDSとドレイン電流IDとが、それぞれ実測のドレイン―ソース間電圧VDSとドレイン電流IDに一致するように、電圧制御型電圧源EGD1(10)の出力電圧V1を設定する。この電圧制御型電圧源EGD1(10)による電圧変換は、式で実現してもよく、或いはテーブルを参照することで実現しても良い。 (もっと読む)


【課題】 不純物散乱評価方法及びデバイスシミュレータに関し、スクリーニング効果も考慮した系において、汎用的な最小散乱角を導出することで、低不純物濃度領域から高不純物濃度領域まで幅広く扱える統一モデルを構築する。
【解決手段】 ブルックス−ヘリングモデルにおける摂動散乱ポテンシャルV(r)を予め定めた任意の型にするとともに、不純物原子間距離の1/2で規定される最大衝突パラメータbmax に基づいて求められる最小散乱角αmni を用いてブルックス−ヘリングモデルの積分式の積分範囲を設定して不純物散乱緩和時間τm を求める。 (もっと読む)


【課題】トランジスタなどの半導体素子の物理モデルの多数のパラメータを短時間で調整可能なパラメータ調整装置を提供すること。
【解決手段】パラメータ調整装置は、BSIM等の半導体素子の物理モデルの複数のパラメータの少なくとも一部を遺伝子とする個体を定義し、FETのゲート幅W、ゲート長Lの複数の組み合わせについてそれぞれ設定されたセンターFET、BEST-FET、WORST-FETのしきい値電圧値Vthおよびオン電流値Ionの設定値に合致し、かつ物理モデルの計算値が設定値の一方の側に来るように遺伝的アルゴリズムを使用して物理モデルのパラメータを最適化するパラメータ調整手段を備える。BEST-FET、WORST-FETのモデルについてはモデルの計算値が設定値より外側になるようにBSIMパラメータを調整することが可能である。 (もっと読む)


【課題】双方向MOSとしてのモデルを実現可能とし、高耐圧MOSのシミュレーション精度を向上する。
【解決手段】高耐圧MOSFETのシミュレーションを行うためのマクロモデルとして、NMOSFETのドレイン側とソース側に第1、第2のJFET(JN1、JN2)をそれぞれ付加し、第1のJFET(J1)のゲートに第1のダイオード(D1)の一端を接続し、第1のダイオード(D1)の他端を、前記NMOSFETのソースに接続し、第2のJFET(J2)のゲートに第2ダイオード(D2)の一端を接続し、第2のダイオード(D2)の他端を前記NMOSFETのドレインに接続してなるマクロモデルを用いてシミュレーションを行う。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタのソース−ドレイン電流モデリング方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタのソース−ドレイン電流モデリング方法は、標本入力値及び標本出力値を含む標本データを入力される段階と、前記標本データに相応してモデリング変数を調整する段階と、前記調整されたモデリング変数に相応して電流モデル値を計算する段階と、前記計算された電流モデル値と前記標本出力値とを比較した結果値があらかじめ設定された基準値より少ない場合には、前記調整されたモデリング変数を電流モデルに適用して電流モデルをフィッティング(fitting)する段階と、前記フィッティングされた電流モデルに実際入力データを入力する段階と、前記実際入力データに相応して結果値を出力する段階とを含み、前記電流モデルは、薄膜トランジスタのソース−ドレイン電流を予測するモデルである。 (もっと読む)


【課題】半導体中の離散不純物対する有効不純物ポテンシャルを、任意性のあるパラメータを含むことなく、数値的に安定に算出する有効不純物ポテンシャル算出方法を提供すること。
【解決手段】有効不純物ポテンシャル算出方法において、半導体中に1つの不純物が存在する場合の局所状態密度を算出する工程(ステップS1)と、局所状態密度に基づいて所定の温度及びフェルミ準位における局所電子密度を算出する工程(ステップS2)と、自由電子の状態密度に基づいて所定温度及びフェルミ準位における電子密度を自由電子密度として算出する工程(ステップS3)と、局所電子密度と自由電子密度とが一致するように自由電子状態密度のバンド端エネルギーを決定し(ステップS3〜S5)、決定されたバンド端エネルギーを不純物による有効不純物ポテンシャルとする工程(ステップS6)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタのチャネル領域に印加される応力を適切に考慮し、精度が高い回路シミュレーションを行う。
【解決手段】対象MOSトランジスタのレイアウト寸法を示す図形情報19を生成するステップ、パラメータ変調量20を計算するステップ、回路シミュレータに与えられたトランジスタモデルパラメータ17をパラメータ変調量20に応じて修正し回路シミュレーションを行うステップ、とを具備。パラメータ変調量20の計算は、MOSトランジスタのチャネル領域に作用する応力を表す応力モデル式を含んでいる。応力モデル式は、応力の大きさが、MOSトランジスタのチャネル領域が形成されている活性領域から隣接する活性領域までの距離Sdの増加に対して単調に減少、隣接距離Sdが無限に大きい場合に一定値に収束、応力の隣接距離Sdに対する微分係数の大きさが単調に減少、前記微分係数が隣接距離Sdが無限に大きい場合に0に収束する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な計算で高精度にLDMOSFETデバイスの特性をシミュレートできるシミュレーション方法及びシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】LDMOSFETにおける高耐圧化のためのドリフト領域を抵抗体と見なし、この抵抗を考慮したポテンシャル分布を反復計算で求めてデバイス全体のポテンシャル分布を計算する(STEP4、STEP5)。また、このドリフト領域部分に生じるキャパシタンスは、線形のポテンシャル分布を仮定して解析的に解く。更に、ゲート電極とドリフト領域とのオーバーラップ領域に生じるキャパシタンスは、ポテンシャルをディプリーション領域からアキュミュレーション領域まで考慮することによって計算する。 (もっと読む)


【課題】 自己発熱していない状態のパワー半導体素子の電流・電圧特性を、比較的簡易な手法により精度良く得ることのできるパワー半導体素子の評価方法および評価装置を実現する。
【解決手段】 自己発熱状態の評価対象LDMOS4の電流・電圧特性を測定し(S1)、自己発熱していない状態におけるドレイン電流値をId0、S1により測定されたドレイン電流値をId、S1における測定開始時のパワー半導体素子の絶対温度をTo、ドレイン電圧(Vd)を上昇させたときの温度上昇分をΔT、n=1.5〜2とした場合に、次式、Id0=Id×((To+ΔT)/To)を用いて自己発熱していないときの電流値Id0を求め、評価対象LDMOS4の自己発熱していない状態における電流・電圧特性を演算する(S2)。 (もっと読む)


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