【課題】非線形素子の電流電圧特性のフィッティング方法において、電圧の範囲によって電流電圧特性が著しく異なる場合にフィッティング精度を向上させる。
【解決手段】測定等により得られた離散的な電流値を第１のステップとして変換関数により離散的な変換値に変換する。第２のステップとして離散的な変換値に対してスプライン関数を用いたフィッティングを実行し、連続的な変換値を与える出力関数を得る。第３のステップとして逆変換関数により、スプライン関数より与えられる連続的な変換値を連続的な電流値に逆変換する。非線形素子に印加される電圧の範囲として、電圧区間Ａ，Ｂを設定し、それぞれの電圧区間Ａ，Ｂについて、第２のステップのフィッティングを別々に実行し、電圧区間Ａに対応するスプライン関数Ｈ_Ａ（Ｖｄ）、電圧区間Ｂに対応するスプライン関数Ｈ_Ｂ（Ｖｄ）を得る。 （もっと読む）

【課題】例えば波形シミュレーション装置に組み込んで使用することのできるＩＢＩＳ補正ツールであって、ある特定の電源電圧Ｖ０用のＩＢＩＳデータを、従来よりも高い精度で、所望の電源電圧Ｖ１用のＩＢＩＳデータに補正する。
【解決手段】データ入力部１１にて電源電圧Ｖ０用のＩＢＩＳデータをｘ−ｙ座標の数値データとして読み込み、この数値データと電源電圧Ｖ１についてそのｘ−ｙ座標上での数値データとの相対比（補正係数）を補正係数算出部１２で求め、その補正係数に従って電源電圧Ｖ１用に補正した補正ＩＢＩＳデータを補正ＩＢＩＳデータ生成部１３より得るように構成する。 （もっと読む）

【課題】物理的な意味を有するモデル式におけるパラメータ素子のパラメータ抽出方法において、実測値と計算値の一致の度合いを包括的、且つ定量的に評価することを課題とする。
【解決手段】コンピュータが、モデル式を構成するパラメータの数値を入力するステップと、前記コンピュータが、前記入力されたパラメータの数値を前記モデル式に入力し計算値を算出するステップと、前記コンピュータが、実デバイスの入出力応答を実測値とし、前記実測値と前記計算値の間の一致の度合いの評価を行うステップと、を有し、前記実測値と前記計算値の一致の度合いは、前記実測値の連結線と前記計算値の連結線に挟まれた部分の面積に相当する数値で評価する構成とする。 （もっと読む）

【課題】比較的短い時間でポアソン方程式とシュレディンガ方程式を自己無撞着に解く手段を提供する。
【解決手段】与えられたポテンシャル分布および電子分布を基にポアソン方程式を解いてポテンシャル分布を求め、このポテンシャル分布が収束した場合に、収束したポテンシャル分布を基にシュレディンガ方程式を解いて電子分布を求め、この電子分布を基に演算したシュレディンガ方程式による電子密度と、収束したポテンシャル分布を基に演算したポアソン方程式による電子密度との差を基に電子密度の収束を判定し、電子密度が収束しなかった場合に、収束したポテンシャル分布およびシュレディンガ方程式から得られた電子分布をポアソン方程式にフィードバックしてチャネル領域の厚さ方向の電子分布を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に寄生する基板インピーダンスを介して電気的に結合する基板結合対策として、ガードリング等による、基板結合に対する低減効果を、設計段階で精度よく予測するシミュレーション手法による大規模半導体集積回路における基板結合の等価回路の生成方法を提供する。
【解決手段】基板結合等価回路の生成方法は、半導体集積回路の形成された半導体チップを水平方向にスライスした２個以上の水平部分チップに分割し、それぞれの水平部分チップを抵抗メッシュ近似して基板結合等価回路を導出して、これらの基板結合等価回路を回路ネットリスト上で接続することにより半導体チップ全体の基板結合等価回路を得る。この等価回路を用いて半導体チップ断面方向に強く局所性を持った不純物濃度分布があっても精度劣化しない基板結合による雑音を解析することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】 有機物質を電子デバイスなどに用いる際の電気的特性を予測する。
【解決手段】 材料の分子の電子状態、分子振動の状態、及び電子と分子振動との相互作用を表現するハミルトニアンを構築し（Ｓ６０）、このハミルトニアンの固有関数がポーラロン型の波動関数と非ポーラロン型の波動関数とを重ね合わせた波動関数となるように構築した固有値方程式を解き（Ｓ７０）、得られた固有関数を用いて状態間を遷移する確率を求め（Ｓ８０）、前記材料の移動度などの電気的特性を予測する（Ｓ９０）。 （もっと読む）

【課題】レイアウト変更によって半導体回路装置を構成するトランジスタの電流駆動能力をＰＭＩＳトランジスタ及びＮＭＩＳトランジスタでそれぞれ最適化できるようにする。
【解決手段】半導体回路装置は、半導体基板１に形成された第１の活性領域３及びその上に形成された第１のゲート電極６ｐを有するＰＭＩＳトランジスタ４０と、第１の活性領域３と間隔をおいて形成された第２の活性領域４及びその上に形成された第２のゲート電極６ｎを有するＮＭＩＳトランジスタ５０と、第１のゲート電極６ｐの両側方で且つその側面から所定の距離以内の領域にそれぞれ形成されたダミーゲート１０と、ＭＩＳトランジスタ４０、５０を覆うように形成された応力を有するライナ膜１１とを有している。ダミーパターンは、第２のゲート電極の両側方における所定の距離以内の領域には形成されていない。 （もっと読む）

【課題】少なくとも自由層と固定層とを有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスの動作をシミュレートするためのシミュレーション回路が提供される。
【解決手段】シミュレーション回路は、自由層と固定層の磁化をシミュレートするための、従って、データ記録をシミュレートするための閉スイッチループであって、そこでは、この磁化は平行又は反平行状態を含む閉スイッチループと、ＭＴＪデバイスの動作領域の第１の象限をシミュレートするための第１の書き込みループと、夫々、動作領域の第２の象限、第３の象限、及び第４の象限をシミュレートするための第２の書き込みループ、第３の書き込みループ、及び第４の書き込みループと、ビット線の配線抵抗をシミュレートするための第１の抵抗器と、書き込みワード線の配線抵抗をシミュレートするための第２の抵抗器と、磁気ＭＴＪデバイスの抵抗をシミュレートするための第３の抵抗器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】理論から一貫してデバイスのＩＶ特性を予測でき、特にナノオーダーサイズの微小デバイスの特性予測に好適に用いることができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】本発明のシミュレーション装置は、前記デバイスの原子構造モデルを作成する原子構造作成部２１と、前記原子構造モデルにおける電子構造計算を実行する電子構造計算部２２と、前記電子構造に基づき量子効果及び原子構造を反映させて当該デバイスの第１の電流−電圧特性を算出するＩＶ特性計算部２３と、前記計算により得られた第１の電流−電圧特性に対して、電圧補正値による補正処理を実行する補正処理部２４と、半古典近似法を用いて第２の電流−電圧特性を計算するＩＶ特性計算部２５と、前記第１、第２のＩＶ特性を結合する結合処理部２６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの特性を高精度に記述できるモデルパラメータを抽出して、高精度回路シミュレーションを行える環境を提供する。
【解決手段】デバイス特性測定データから１次モデルパラメータαを抽出する手段１と、１次モデルパラメータαを用いて第１次の回路シミュレーション処理を行ってデバイスの実際の動作端子電圧条件ｃ１を記録する手段２と、デバイス特性測定データに対して動作端子電圧条件ｃ１において抽出誤差ｄ１を計算をする手段３と、動作端子電圧条件ｃ１でのデバイス特性測定データに対して抽出誤差ｄ１を参照して優先的にフィッティングする最適化された２次モデルパラメータβを抽出する手段４と、２次モデルパラメータβを用いて第２次の回路シミュレーション処理を行う手段５とを備える。実際の動作端子電圧条件でパラメータを最適化し、パラメータ抽出誤差に起因する設計不良を低減できる。 （もっと読む）