国際特許分類[H01L29/06]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体本体 (3,016) | 半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの (1,731)
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整流,増幅,またはスイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって,その電極が3つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの (1)
整流,増幅,またはスイッチされる電流を流さない電極が接続されている半導体領域をもつものであって,その電極が3つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの
国際特許分類[H01L29/06]に分類される特許
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半導体装置の製造方法
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半導体装置
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電界効果トランジスタ
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化合物半導体装置及びその製造方法
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パワートランジスタ装置のための多層構造を作製する方法、ヘテロ接合電界効果トランジスタ装置のための多層構造を作製する方法、および窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ装置
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半導体装置
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ナノ結晶シリコンを用いた素子の作製方法および素子構造
【課題】
ナノ結晶シリコン領域を含む素子、特に、陽極酸化法によりナノ結晶シリコン領域を形成し、そのナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部を渡って形成する薄膜を、高歩留かつ高信頼性で製造する方法を提供する。
【解決手段】
ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部を含む構造、およびそれを含む構造上に薄膜を形成する場合、境界部を形成する前にその境界部を(111)結晶面を主体とするテーパー構造にすることで、ナノ結晶シリコン/バルク結晶シリコン境界部をなめらかに形成し、その上に、金属、半導体、絶縁薄膜をクラックや切断などが発生しないように形成することを特徴とする。
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電力用半導体装置およびその製造方法
【課題】フィールドプレート電極を有するトレンチゲート構造を備えた電力用半導体装置においてゲート−ソース間容量を低減する。
【解決手段】電力用半導体装置は、第1導電形の第1の半導体層2、フィールド絶縁膜6、フィールドプレート電極7、第1の絶縁膜8、導電体9、第2の絶縁膜11、ゲート絶縁膜10、及びゲート電極12を備える。フィールドプレート電極7は、フィールド絶縁膜6を介して第1の半導体層2のトレンチ5内に設けられる。第1の絶縁膜8は、フィールドプレート電極7上に設けられ、フィールド絶縁膜6とともにフィールドプレート電極7を取り囲む。導電体9は、第1の絶縁膜8上に設けられ、フィールドプレート電極7とは絶縁される。ゲート電極12は、フィールド絶縁膜6の上端上に設けられ第2の絶縁膜11を介して導電体に隣接し、ゲート絶縁膜10を介してトレンチ5内に設けられる。
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半導体装置の製造方法
【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Si基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板1の表面側に半導体機能領域20を形成し、裏面側を研削して半導体基板1を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜24を塗布し、裏面側にフォトレジスト25を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板1をエッチングして裏面に溝16を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト25を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。
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モノリシック集積回路
【課題】ダイオードの逆回復特性を改善する技術を提供すること。
【解決手段】モノリシック集積回路100は、半導体層6と絶縁分離部4とダイオード16を備えている。絶縁分離部4は、平面視したときに、半導体層6の一部である島領域8を周囲から絶縁している。ダイオード16は、島領域8に形成されている。ダイオード16は、第1導電型の中央領域14と第2導電型の環状領域10を有している。中央領域14と環状領域10は、半導体層6の表層に形成されている。平面視したときに、環状領域10は、中央領域14の周囲を一巡している。島領域8には、半導体層6を貫通する貫通部18が形成されている。貫通部18は、中央領域14に囲まれている。モノリシック集積回路100では、絶縁分離部4を画定するトレンチと貫通部18を画定するトレンチが、同一の製造工程で作製される。
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