【課題】
ナノ結晶シリコン領域を含む素子、特に、陽極酸化法によりナノ結晶シリコン領域を形成し、そのナノ結晶シリコン／バルク結晶シリコン境界部を渡って形成する薄膜を、高歩留かつ高信頼性で製造する方法を提供する。
【解決手段】
ナノ結晶シリコン／バルク結晶シリコン境界部を含む構造、およびそれを含む構造上に薄膜を形成する場合、境界部を形成する前にその境界部を（１１１）結晶面を主体とするテーパー構造にすることで、ナノ結晶シリコン／バルク結晶シリコン境界部をなめらかに形成し、その上に、金属、半導体、絶縁薄膜をクラックや切断などが発生しないように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィールドプレート電極を有するトレンチゲート構造を備えた電力用半導体装置においてゲート−ソース間容量を低減する。
【解決手段】電力用半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２、フィールド絶縁膜６、フィールドプレート電極７、第１の絶縁膜８、導電体９、第２の絶縁膜１１、ゲート絶縁膜１０、及びゲート電極１２を備える。フィールドプレート電極７は、フィールド絶縁膜６を介して第１の半導体層２のトレンチ５内に設けられる。第１の絶縁膜８は、フィールドプレート電極７上に設けられ、フィールド絶縁膜６とともにフィールドプレート電極７を取り囲む。導電体９は、第１の絶縁膜８上に設けられ、フィールドプレート電極７とは絶縁される。ゲート電極１２は、フィールド絶縁膜６の上端上に設けられ第２の絶縁膜１１を介して導電体に隣接し、ゲート絶縁膜１０を介してトレンチ５内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Ｓｉ基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板１の表面側に半導体機能領域２０を形成し、裏面側を研削して半導体基板１を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜２４を塗布し、裏面側にフォトレジスト２５を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板１をエッチングして裏面に溝１６を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト２５を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆回復特性を改善する技術を提供すること。
【解決手段】モノリシック集積回路１００は、半導体層６と絶縁分離部４とダイオード１６を備えている。絶縁分離部４は、平面視したときに、半導体層６の一部である島領域８を周囲から絶縁している。ダイオード１６は、島領域８に形成されている。ダイオード１６は、第１導電型の中央領域１４と第２導電型の環状領域１０を有している。中央領域１４と環状領域１０は、半導体層６の表層に形成されている。平面視したときに、環状領域１０は、中央領域１４の周囲を一巡している。島領域８には、半導体層６を貫通する貫通部１８が形成されている。貫通部１８は、中央領域１４に囲まれている。モノリシック集積回路１００では、絶縁分離部４を画定するトレンチと貫通部１８を画定するトレンチが、同一の製造工程で作製される。 （もっと読む）