国際特許分類[H01L29/08]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体本体 (3,016) | 半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの (1,731) | 整流,増幅,またはスイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって,その電極が3つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの (1)
国際特許分類[H01L29/08]に分類される特許
1 - 1 / 1
ナノワイヤ電子装置及びその製造方法
装置は、ガラスに被覆された半導体繊維を含んでおり、その半導体繊維は、第1n-ドープ部と第1p-ドープ部、および第1n-ドープ部に結合された第1伝導体と、第1p-ドープ部に結合された第2伝導体とを含んでいる。 (もっと読む)
1 - 1 / 1
[ Back to top ]