国際特許分類［H01L29/778］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００，５１／０５が優先；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００ (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | 二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの，例．ＨＥＭＴ (1,960)
国際特許分類［H01L29/778］に分類される特許
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評価方法
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化合物半導体装置及びその製造方法
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三次元配置部品を有する化合物半導体集積回路
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ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法
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電界効果トランジスタ
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半導体装置、高電子移動度トランジスタ、および、複数のチャネルによりソースからドレインに電子を送るための方法
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高電子移動度トランジスタ構造及び方法
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パワートランジスタ装置のための多層構造を作製する方法、ヘテロ接合電界効果トランジスタ装置のための多層構造を作製する方法、および窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ装置
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化合物半導体装置及びその製造方法
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電界効果トランジスタ
【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜２０を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜１８と上記コラプス抑制膜１８上に形成されたＳｉＯ２絶縁膜１７とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。
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