国際特許分類[H01L29/78]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | 絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの (29,475)
国際特許分類[H01L29/78]の下位に属する分類
薄膜トランジスタ (12,139)
浮遊ゲートを有するもの (4,374)
電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの (4,374)
国際特許分類[H01L29/78]に分類される特許
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
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半導体装置の製造方法
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半導体装置の製造方法
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半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
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半導体装置
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化合物半導体装置及びその製造方法
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熱処理方法および熱処理装置
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化合物半導体装置及びその製造方法
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半導体装置およびその製造方法
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炭化珪素半導体装置の製造方法
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