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国際特許分類[H01L29/788]の内容

国際特許分類[H01L29/788]に分類される特許

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【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【目的】配線間のコンタクト配置において配線間距離をより小さく形成する。
【構成】実施形態の半導体装置は、第1と第2の配線と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、第1のコンタクトと、第2のコンタクトと、を備えている。第1と第2の配線は、基板上に互いに並行するように形成される。第1の絶縁膜は、第1と第2の配線を覆うように形成される。第2の絶縁膜は、第1と第2の制御ゲート線間の所定位置で第1と第2の配線と並行して延びるように形成され、第1の絶縁膜と材料が異なる。第1のコンタクトは、第1と第2の配線間で、前記第2の絶縁膜に対して前記第1の配線側に位置する前記第1の絶縁膜を通して形成される。第2のコンタクトは、前記第1と第2の配線間で、前記第1と第2の配線が延びる方向に沿って前記第1のコンタクトと互いに位置をずらしつつ、前記第2の絶縁膜に対して前記第2の配線側に位置する前記第1の絶縁膜を通して形成される。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が1.0原子%以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】種々の回路ブロックを単一の集積回路(IC)に集約するために、不揮発性メモリーブロックをロジック機能ブロックにまとめる。
【解決手段】結合素子と第一のセレクトトランジスターを有している。結合素子は第一の伝導領域において形成されている。第一のセレクトトランジスターは、第一の浮遊ゲートトランジスターおよび第二のセレクトトランジスターに直列的に接続されており、それらは全て第二の伝導領域に形成されている。結合素子の電極および第一の浮遊ゲートトランジスターのゲートは、モノリシックに形成された浮遊ゲートである。第二の伝導領域は第一の伝導領域と第三の伝導領域の間に形成され、第一の伝導領域、第二の伝導領域、および第三の伝導領域は、ウェルである。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置を、半導体層として機能する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の少なくとも酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、少なくともゲート電極と重畳する酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が1.1原子%以下の濃度で分布する領域を有する構造とする。 (もっと読む)


【課題】機能性デバイスの高性能化、又はそのような機能性デバイスの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を提供する。
【解決手段】機能性デバイスの製造方法は、型押し工程と、機能性固体材料層形成工程を含む。型押し工程では、機能性固体材料前駆体溶液を出発材とする機能性固体材料前駆体層に対して型押し構造を形成する型を押圧している間の少なくとも一部の時間においてその機能性固体材料前駆体層に対して熱を供給する熱源の第1温度がその機能性固体材料前駆体層の第2温度よりも高くなるように、その機能性固体材料前駆体層に対して型押し加工を施す。また、機能性固体材料層形成工程では、型押し工程の後、酸素含有雰囲気中において、機能性固体材料前駆体層を前述の第1温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、機能性固体材料前駆体層から機能性固体材料層を形成する。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 (もっと読む)


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