国際特許分類［H01L29/788］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００，５１／０５が優先；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００ (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | 絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの (29,475) | 浮遊ゲートを有するもの (4,374)
国際特許分類［H01L29/788］に分類される特許
4,371 - 4,374 / 4,374
半導体装置
【構成】 基板（１）上に酸化膜（２）を介して電極（３）が積層され、さらにその上にＰＺＴ膜（４）が積層されてなる半導体装置（５）において、電極（３）が鉛を含有する白金よりなる半導体装置。
【効果】 アニール処理時にＰＺＴ膜（４）からＰｂＯの状態で揮発し、特に電極（３）／ＰＺＴ膜（４）界面で不足していたＰｂを、鉛を含有する白金電極（３）によって電極（３）／ＰＺＴ膜（４）界面に供給することができ、深さ方向に対して組成の均一なＰＺＴ膜（４）を作製することができる。従って、信頼性の高いＰＺＴ膜を形成することが可能となる。
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