国際特許分類[H01L29/788]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | 絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの (29,475) | 浮遊ゲートを有するもの (4,374)
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半導体記憶装置
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
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液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
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液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子
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ニッケル酸ランタン膜形成用組成物及びその製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、並びに液体噴射装置の製造方法
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】微細な構造であり、高い電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極上の導電膜と、酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜の側面に接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース電極及びドレイン電極の上面の高さは、ゲート電極の上面の高さより低く、導電膜、ソース電極及びドレイン電極は、同一の金属元素を有する半導体装置である。また、ゲート電極の側面を覆う側壁絶縁膜を形成してもよい。
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不揮発性プログラマブルスイッチ
【課題】セル面積の小さい不揮発性プログラマブルスイッチを提供する。
【解決手段】第1配線に接続される第1端子と第2配線に接続される第2端子と第3配線に接続される第3端子とを有する第1不揮発性メモリトランジスタと、第4配線に接続される第4端子と第2配線に接続される第5端子と第3配線に接続される第6端子とを有する第2不揮発性メモリトランジスタと、第2配線にゲート電極が接続されたパストランジスタと、を備え、第1および第4配線が第1電源に接続され、第3配線が第1電源の電圧よりも高い電圧に接続されるときに第1不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加し、第2不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第1および第4配線が第1電源に接続され、第3配線が第1電源の電圧よりも低い電圧に接続されるときに第1不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第2不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加する。
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液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
【課題】環境負荷が小さく、歪量が大きい液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層70と圧電体層70に設けられた電極60,80とを具備する圧電素子300を備え、圧電体層70は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、圧電体層70に駆動電圧Vaを印加したときの変位量をZmax、その後印加電圧を0Vにしたときの変位量をZ0としたとき、(Zmax−Z0)/Vaが70pm/V以上且つ比誘電率が700以下である。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】半導体基板上の複数の半導体層のうちの1つを正確に選択する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、第1乃至第3の半導体層12−1〜12−3と、第1乃至第3の半導体層12−1〜12−3のうちの1つを選択するレイヤー選択トランジスタ15(LST)とを備える。第1のノーマリーオン領域17−1は、第1の半導体層12−1内において第1乃至第3のゲート電極16−1〜16−3に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにし、第2のノーマリーオン領域17−2は、第2の半導体層12−2内において第2乃至第4のゲート電極16−2〜16−4に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにし、第3のノーマリーオン領域17−3は、第3の半導体層12−3内において第3乃至第5のゲート電極16−3〜16−5に隣接するチャネルをノーマリーオンチャネルにする。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】トンネルウィンドウやセレクトゲートの加工寸法のばらつき、およびセレクトゲートのアライメント精度を考慮する必要がなく、セルサイズを小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】不揮発性メモリセル7を半導体基板2上に選択的に備える半導体装置1が製造される。この製造方法は、ゲート絶縁膜23上において不揮発性メモリセル7用のアクティブ領域5に、セレクトゲート19を選択的に形成する工程と、セレクトゲート19に対して自己整合的に導入することによってn型トンネル拡散層11を形成する工程と、ゲート絶縁膜23の一部セレクトゲート19に対して自己整合的に除去し、その後の熱酸化によりトンネルウィンドウ25を形成する工程とを含む。
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