国際特許分類[H01L29/808]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの (3,053) | PN接合ゲートを有するもの (358)
国際特許分類[H01L29/808]に分類される特許
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炭化珪素半導体装置およびその製造方法
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半導体ナノデバイス
【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が1μm未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが1%以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚t〔nm〕と歪ε〔%〕とが、
−0.720+0.0988ε−1.2<t≦−0.705+0.227ε−1.2
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。
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半導体装置
【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置1では、ドレイン電極21が第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極29が第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部28が第2ヘテロ接合面34に対向しており、導通電極25が第1ヘテロ接合面32及び第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層の電子濃度は、第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】窒化ガリウム(GaN)系のHEMTを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10のうちGaN層13に2次元電子ガスが生成される領域が活性層領域40とされ、基板10のうち活性層領域40を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域40とは電気的に分離された領域が素子分離領域50とされている。そして、ダイオード60は素子分離領域50の層間絶縁膜20の上に配置されている。このように、基板10のうちHEMTが動作する活性層領域40とは異なる素子分離領域50を設けているので、1つの基板10にGaN−HEMTとダイオード60の両方を備えた構造とすることができる。
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保護素子、半導体装置及び半導体装置の製造方法
【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置10の保護部36は、配線下層11Bと、配線下層11Bとは異なるバンドギャップを有する配線上層13を有している。配線上層13は、第1部位41と中間部位43と第2部位45を含んでいる。配線上層13と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガス層が、第1部位41と中間部位43の間で分離されており、第2部位45と中間部位43の間で分離されている。第1部位41と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ドレイン電極21に電気的に接続されている。第2部位45と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ソース電極28に電気的に接続されている。中間部位43と配線下層11Bの接合面に形成される2次元電子ガスが、ゲート電極25に電気的に接続されている。
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高分子化合物及びそれを用いた光電変換素子
【課題】開放端電圧が高い有機光電変換素子を製造しうる高分子化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(1)で表される構成単位を有する高分子化合物。
(1)
〔式中、X1及びX2は、それぞれ独立に、窒素原子又は=CH−を表す。Y1は、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−N(R1)−又は−CR2=CR3−を表す。R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。W1は、シアノ基、ニトロ基、フッ素原子を有する1価の有機基又はフッ素原子を表す。W2は、W1とは異なる基を表す。〕
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半導体装置
【課題】複数のチャネルを有する窒化物半導体装置において、ノーマリオフかつ低オン抵抗を実現する技術を提供する。
【解決手段】第1の窒化物半導体層3,5,7と、第1の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が大きい第2の窒化物半導体層5,6,8とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも2つ以上有する窒化物半導体積層体10を備え、窒化物半導体積層体10に設けられたドレイン電極14と、ソース電極13と、ドレイン電極14とソース電極13の両者に対向して設けられたゲート電極15,16とを有し、ドレイン電極14とソース電極13は、窒化物半導体積層体10の表面または側面に配置され、ゲート電極15,16は、窒化物半導体積層体10の深さ方向に設けられた第1ゲート電極15と、該第1ゲート電極15と窒化物半導体積層体10の深さ方向の配置深さが異なる第2ゲート電極16とを有する。
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トランジスタ装置および電子デバイス
【課題】1本の棒状素子が破壊しても、他の棒状素子が正常に動作し、正常動作を続けるトランジスタ装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ装置は、基板5と、この基板5上に配置された2本の棒状素子1とを有する。このため、一方の棒状素子1が破壊しても、他方の棒状素子1が正常に動作し、トランジスタ装置は、正常動作を続ける。
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しきい電圧の変動を減らした高電子移動度トランジスタ及びその製造方法
【課題】しきい電圧の変動を減らした高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体を含む基板上に形成され、二次元電子ガスチャネルとデプリーション領域とを備えるチャネル層と、二次元電子ガスチャネルに対応するように、チャネル層上に形成された第1チャネル供給層と、チャネル層のデプリーション領域及び第1チャネル供給層の一部の領域上に形成されたデプリーション層と、第1チャネル供給層上に形成され、デプリーション領域を挟んで対向するソース及びドレイン電極と、デプリーション層上に形成されたゲート電極と、を備え、第1チャネル供給層より分極率が小さい第2チャネル供給層を、チャネル層のデプリーション領域及び第1チャネル供給層の一部の領域上に備え、デプリーション層が第2チャネル供給層上に備えられる、高電子移動度トランジスタである。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】低周波雑音が低減されるとともに、素子面積の小さい半導体装置及びその製造方法を製造コストを増大させずに提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1導電型の下部ゲート領域4と、第2導電型のチャネル領域3と、第1導電型の上部ゲート領域2と、チャネル領域3の両側に位置する第2導電型のソース及びドレイン領域8と、上部ゲート領域2上に形成されたゲート電極6と、ゲート電極6の両側面上に形成されたサイドウォールスペーサ7とを有するJFET70を備える。上部ゲート領域2とソース及びドレイン領域8とは、チャネル領域3のうちサイドウォールスペーサ7の下に位置する部分を挟んで互いに離間しており、ソース及びドレイン領域8は、ゲート長方向におけるゲート電極6の両側方であってサイドウォールスペーサ7の外側を含む領域に形成されている。
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