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国際特許分類[H01L29/93]の内容

国際特許分類[H01L29/93]に分類される特許

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【課題】狭い範囲の電圧変化に対して容量が線形的に、大きく変化する特性を実現する。
【解決手段】InPの半導体基板21上にエピタキシャル結晶成長させた層に対するエッチング処理により形成されるバラクタダイオード50において、半導体基板21上にエピタキシャル結晶成長させた層には、p型不純物を高濃度にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板21よりも小さい材料からなるp領域50dと、p領域50dの半導体基板21寄りの面に接し、不純物をドープさせない材料または不純物を低濃度にドープさせた材料からなるI領域50cと、I領域50cの半導体基板21寄りの面に接し、n型不純物を中濃度以上にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板21よりも大きい材料からなり、I領域50cから半導体基板21側に向かう程不純物濃度が低下する濃度減少部(54〜57)を有するn領域50bが含まれている。 (もっと読む)


【課題】PN接合構造の可変容量素子は、逆電圧を印可するため、少なからぬリーク電流を生じる。リーク電流の小さい理想的な半導体可変容量素子を提供する。
【解決手段】P型半導体層1とN型半導体層2よりなる積層体と電極との間に絶縁層3を設けることにより、リーク電流の流れない半導体可変容量素子が可能となった。また、電極への逆方向バイアス電圧の印加により、低周波において、印加された逆方向バイアス電圧に比例する可変容量を生じる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が有する寄生容量や寄生インダクタンスによる電力の損失を抑えるこ
とが出来る、整流回路の提供を課題とする。
【解決手段】入力された交流電圧の振幅に従い、前段の回路と該整流回路の間におけるイ
ンピーダンスを整合または不整合にする。入力される交流電圧が規定の振幅以下である場
合は、インピーダンスを整合にし、該交流電圧をそのまま整流回路に印加する。逆に入力
される交流電圧が規定の振幅よりも大きい場合は、インピーダンスを不整合にし、反射に
より該交流電圧の振幅を小さくしてから整流回路に印加する。 (もっと読む)


【課題】IGBT領域とダイオード領域が混在している半導体装置において、ダイオードのリカバリー損失を低減し、IGBTのアバランシェ耐量とダイオードのリカバリー耐量を改善する。
【解決手段】ダイオード領域J2に形成されているp型のアノード層50の中間深さに、n型の分離層92を設けて、上部アノード層50aと下部アノード層50bに分離する。分離層92が、アノード層50からドリフト層60に向けて過剰な正孔が注入されることを防止し、リカバリー損失が低減する。IGBT領域J1とダイオード領域J2における半導体構造が類似し、電流集中が緩和され、アバランシェ耐量とリカバリー耐量が改善される。ダイオード領域に隣接する範囲J3の半導体基板の表面にp型層62が配置されていることが多いために、分離層92を挿入することによってpnpnのサイリスタ構造となってもダイオード動作する。 (もっと読む)


【課題】 小型化、低コスト化が容易で、且つ半導体集積回路化に適した可変インダクタを提供する。
【解決手段】 pn接合ダイオード素子10と、pn接合ダイオード素子10の周囲にコイル状に巻かれた導線部材21と、pn接合ダイオード素子10に逆バイアス電圧を供給する電源15と、を備え、pn接合ダイオード素子10に供給する逆バイアス電圧を調整して、pn接合ダイオード素子10の空乏層13の幅を変化させ、導線部材の端子22,23間のインダクタンスを可変にする。 (もっと読む)


【課題】イオン注入ダメージにより生ずる損失が抑制された低損失な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、半導体基板よりも低不純物濃度の第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層上にエピタキシャル成長により形成される第2導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層上にエピタキシャル成長により形成され、第2の半導体層よりも高不純物濃度の第2導電型の第3の半導体層と、を備えている。さらに、第3の半導体層に形成され、少なくとも側面と底面との角部が第2の半導体層内にある凹部を備えている。また、第3の半導体層に接する第1の電極と、凹部の底面において、第2の半導体層と接し、第1の電極と接続される第2の電極と、半導体基板の下面に接する第3の電極と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】CMOS回路側の仕様で不純物領域の深さや濃度が制約を受けるような場合でもhFEの向上を可能とする。
【解決手段】1つのバイポーラトランジスタが、横型の主トランジスタ部と、縦型の補助トランジスタ部とから形成されている。横型の主トランジスタ部は、エミッタ領域31と、ベース領域14Bの表面側部分とコレクタ側部領域13Bとを電流チャネルとして動作する。縦型の補助トランジスタ部は、エミッタ領域31と、その底面に接するベース領域14Bの深部側部と、コレクタ深部領域12Bとを電流チャネルとして動作する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波周波数帯用途に適した低損失のバラクタ・シャント・スイッチを提供する。
【解決手段】ゼロ・バイアスおよび20GHzにおいて0.025未満の非常に低い損失タンジェント、および4.3:1という高い誘電同調性のナノ組織BaSr(1−x)TiO(BST)薄膜を、サファイア基板100上に得ることができる。ゼロ・バイアスにおけるバラクタの大きなキャパシタンスが、入力信号を接地に分路させて、出力への伝送はOFF状態となる。約10Vのバイアス電圧を印加すると、キャパシタンスを極小値に低下して、出力への最大伝送が可能となり、ON状態となる。バラクタ・シャント・スイッチ10のマイクロ波スイッチング性能は、マイクロ波およびミリメートル波周波数において、RF MEMSと比肩することができ、その他の応用分野には、チューナブル・フィルタ、移相回路、およびインピーダンス整合回路が含まれる。 (もっと読む)


Sb化合物ベースのバックワードダイオードミリ波検波器のための例示的な方法及び装置が開示されている。開示されている例示的なバックワードダイオードは、不均一なドーピングプロファイルの第1面に隣接するカソード層、及び、スペーサ層の第2面に隣接するSb化合物のトンネルバリア層を有する。
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【課題】高い容量可変比を有する可変容量ダイオードを提供する。
【解決手段】第1導電型の第1半導体層12と、第1半導体層12上に形成され、第1半導体層12の不純物濃度より低い不純物濃度を有するとともに、第1半導体層12側から第1半導体層12と反対方向に向かって断面積が小さくなる第2導電型の第2半導体層13と、第1半導体層12および第2半導体層13に電気的に接続され、第1半導体層12と第2半導体層13との接合面17に逆バイアス電圧を印加するための第1電極14および第2電極16と、を具備する。 (もっと読む)


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