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国際特許分類[H01L31/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部 (20,572)

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【課題】トリガー光の光子エネルギーが光伝導アンテナを構成している半導体基板のバンドギャップエネルギーよりも小さい場合でもテラヘルツ波の検出感度を向上させる。
【解決手段】テラヘルツ波検出装置は、トリガー光が照射されるとキャリアを発生させる基板と、前記基板上に所定のギャップを有するように形成された1対の金属パターンからなり、前記基板にテラヘルツ波が照射されることにより生じる前記キャリアに基づく電流を検出するアンテナと、を備え、前記基板のバンドギャップエネルギーは前記トリガー光の光子エネルギーよりも大きく、前記アンテナの所定のギャップが5μm未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐熱性、薄膜硬化性に優れる光半導体封止用熱硬化性シリコーン樹脂組成物の提供。
【解決手段】(C)式(1)および/または式(2)で示される有機ハフニウム化合物を少なくとも含むシラノール縮合触媒;(A)1分子中に2つ以上のシラノール基を有するオルガノポリシロキサン100質量部と(B)1分子中に2つ以上のアルコキシ基を有するシラン化合物0.1〜2000質量部と(C)上記有機ハフニウム化合物とを含有する、光半導体封止用熱硬化性シリコーン樹脂組成物;これを用いる封止体。[式(1)中、nは1〜4の整数でありR1は炭化水素基でありR2は炭素数1〜18のアルキル基である。式(2)中、mは1〜4の整数でありR2は炭素数1〜18のアルキル基でありR3、R4は同一のまたは異なる、炭素数1〜18の炭化水素基またはアルコキシ基である。]


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【課題】 絶縁基板の凹部と蓋体とで構成される、赤外線センサ素子を封止する容器内の真空度の確保に有効な赤外線センサ素子用パッケージおよび赤外線センサを提供する。
【解決手段】 上面に凹部1aを有し、凹部1aの底面に赤外線センサ素子3が接着剤5を介して接合される接合部を有する絶縁基板1と、凹部1aの内側における絶縁基板1の露出表面に被着された接続パッド2とを備え、絶縁基板1の上面の外周部に蓋体4が接合される赤外線センサ素子用パッケージ9であって、絶縁基板1は、凹部1aの内側における露出表面のうち接合部および接続パッド2が被着された部分以外の部分に開口部7aを有する空隙7が設けられている赤外線センサ素子用パッケージ9である。空隙7により赤外線センサ素子3を封止する容器の容積を大きくして、接着剤5の成分の気化による容器内の真空度の低下を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を3つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】ショットキーバリアダイオードとアンテナとのインピーダンスミスマッチを低減することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波検出素子は、基板11に設けられたショットキーバリアダイオード111、112とアンテナとを含む。アンテナが、分割された第一導電要素101と第二導電要素102、分割された第三導電要素103と第四導電要素104、第一及び第三導電要素を電気的に接続する第一接続部105、及び第二及び第四導電要素を電気的に接続する第二接続部104を含む。第一導電要素と第二導電要素、及び第三導電要素と第四導電要素が、夫々、電磁波の入射方向に沿って隔たった基板11上の複数の面に形成される。ショットキーバリアダイオードが、第一導電要素と第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられる。 (もっと読む)


【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Pに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜13の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部PBを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 (もっと読む)


【課題】ノイズの混入に起因する精度の低下を抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ100(センサ装置)は、n型シリコン基板11の上方に配置され、熱(赤外線)を測定することにより電子を供給する電荷供給部48と、n型シリコン基板11の表面に形成され、電子が電荷供給部48から供給されるn型ウェル領域15と、n型ウェル領域15の電子が供給される領域の周辺近傍の表面に形成されるp拡散層17とを備え、p拡散層17の下方に電子を転送するための埋込みチャネル領域が設けられている。 (もっと読む)


【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約200nm未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも2つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー(LOHN)及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー(COHN)を含む。 (もっと読む)


【課題】周囲温度が変化して半導体光センサの暗電流が変化した場合や、微量な光がケースを透過した場合でも、ケースが開封されたことを正確に検知できる開封検知装置を提供することにある。
【解決手段】開封検知装置10の判定回路16は、比較回路13の比較結果に基づき、第2の電圧信号Vbが第1の電圧信号Vaの電圧レベルを上回った場合にケース30が開封されたと判定する。電圧信号Vbは、遅延回路12の遅延時間td分だけ電圧信号Vaよりも遅れて変動する。そのため、ケース30が開封されていない場合には、電圧信号Vbが電圧信号Vaの電圧レベルを絶対に上回らないように、遅延時間tdを最適値に設定しておくことで、周囲温度の変化やケース30を透過した光量の変化に起因する電圧信号Vaの変動の影響を回避してケース30の開封を検知できる。 (もっと読む)


【課題】高光吸収率、高光電変換効率、低暗電流性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも1つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記一般式(1)で示される化合物及びn型半導体を含む光電変換素子。
一般式(1)



(式中、R、Rは、それぞれ独立に、置換アリール基、無置換アリール基、置換ヘテロアリール基、又は無置換ヘテロアリール基を表す。R〜R11は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。mは0又は1を表し、nは0以上の整数を表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、R10とR11はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。nが2以上である場合、複数のR、RのうちRどうし、Rどうし、及びRとRは、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。) (もっと読む)


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