【課題】低照度から高照度まで様々な明るさの環境下に適した出力特性が得られる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、受光量に応じた電流量の信号を出力する受光部１１と、受光部１１からの電流信号を入力電流信号として増幅する電流増幅部１２と、電流増幅部１２からの電流量に応じた電圧を出力端子Ｖｏから出力電圧として出力する出力電圧生成部１３と、出力電圧生成部１３の出力電圧を監視し、出力電圧が所定電圧以上となったときに作動する電圧監視部１４と、電圧監視部１４が作動することで照度に対する出力電圧の変化を小さくするように出力電圧生成部１３を調整する出力電圧調整部１５とを備えている。この光半導体素子１０は、外部から電源を供給する電源端子と、外部回路へ出力電圧信号を出力する出力端子Ｖｏと、グランド端子とを備えている。 （もっと読む）

【課題】安価で特性が安定し、応答速度の速い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明の紫外線センサは、酸化亜鉛の光導電効果を利用した紫外線センサであって、前記酸化亜鉛が無添加の酸化亜鉛からなり、前記酸化亜鉛のＸ線回折パターンにおいて（００２）面における回折ピークの半値幅が０．５度以下であることを特徴とする。これにより、安価で応答速度の速い紫外線センサを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】可視光照射に対して高い光電流応答性を示し、光触媒、光センサとなる新規な可視光応答性組成物を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍ、酸素からなり、ＭはＡｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａからなる群から選ばれた１種の元素であり、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍの合計を１００％としたときの元素含有比（モル比）がＦｅ：５０〜８５％、Ｚｒ：８〜４８％、Ｍ：０．０１〜２９％の範囲内にあることを特徴とする可視光応答性組成物。上記可視光応答性組成物をもって構成される光電極、光センサー乃至光触媒。上記光センサー乃至光触媒による水電解方法。 （もっと読む）

【課題】レーザーパワーセンサにおいて、単純な構成で応答速度が速く、長時間使用しても測定精度の良い熱型センサを提供する。
【解決手段】レーザー光の出力を測定するレーザーパワーセンサであって、一方の主面でレーザー光を受光する面状の光吸収体と、光吸収体の主面と背向する面に接して配設された熱伝導体と、熱伝導体に接するように配設された温度検出用のサーモパイルとからなる光検出部を有する。サーモパイルは、基板上に、直列に接続された複数の薄膜熱電対と、薄膜熱電対で発生する電圧を出力する導線を接続するためのコネクタ部と、薄膜熱電対上に積層された保護膜を有する。複数の薄膜熱電対は、基板上の略中央領域に一定の間隔を置いて配設された温接点と、基板上の略外周領域に一定の間隔を置いて配設された冷接点を有し、温接点は、熱伝導体に保護膜を介して接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置外部と電気的に接続される領域となる端子部は、その製造工程中に、フォトダイオードのドライエッチング雰囲気、パッシベーション層のフッ酸系ウェットエッチング雰囲気に等に晒される。また、各工程におけるレジスト剥離に伴うプラズマアッシング雰囲気にも晒される。そのため、エッチング工程による端子部の表面でダメージが蓄積され、接触抵抗の増加、密着性の低下等の不良が発生する。
【解決手段】製造工程中でのエッチング工程による端子部１０Ｂの表面でのダメージ蓄積を防ぐため、無機平坦化層２０２を、最終のエッチング工程（端子部１０Ｂとコンタクトを取る工程前）まで残した。エッチング工程によるダメージは無機平坦化層２０２により吸収されるため、端子部１０Ｂへの不必要なダメージ蓄積を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】光透過性基板を用いても、光リーク電流の発生による特性低下を確実に防止するとともに、安価で容易に大型化が可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、ゲート配線２１は、それぞれ遮光性を有する導電性材料から形成される。これによって、下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、本発明における遮光層を形成する。下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、イメージセンサー１の厚み方向Ｔにおいて、互いに異なる２以上の位置（レベル）で広がるように形成されている。しかも、その一部は厚み方向Ｔにおいて互いに重なり合うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度で所定の周波数のテラヘルツ光を検出できるテラヘルツ光検出素子および、かかるテラヘルツ光検出素子を有する光学設備を提供する。
【解決手段】
屈折率の異なる層を交互に配設することによって形成された１次元フォトニック結晶から形成されており、１次元フォトニック結晶は、テラヘルツ光が入射されると電気光学効果が生じる部材によって形成された欠陥部１２と、入射されたテラヘルツ光を、欠陥部１２内で共振させ得る構造に形成された一対のミラー部１３，１３とを備えている。テラヘルツ光が入射されると、電気光学効果によって欠陥部内に複屈折を誘起させることができるから、複屈折率を測定すれば、テラヘルツ光が入射したか否かを検出することができる。しかも、入射したテラヘルツ光を欠陥部内で共振させることができるから、テラヘルツ光を検出する感度を高くすることができる。 （もっと読む）

検出を行ういくつかの双安定吸収体素子（２）に結合された一次元導波路（１）に基づく光子検出／計数装置の設計であって、前記装置はマイクロ波放射（３）の検出および特性化に応用される。前記検出は、誘起された放射から生じる吸収された光子の通過時に、その状態が不可逆的に変化されるキュービットを用いて行われる。
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【課題】紫外線センサにおいて、より高い感度を得られるとともに、より高い波長選択性を得られるようにする。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法により形成されるたとえばＺｎＯを含む酸化物半導体からなる薄膜材料層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と薄膜材料層４との接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、上記接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２および薄膜材料層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。 （もっと読む）