【課題】極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を正確に測定することができるテラヘルツ光検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面から一定の位置に２次元電子ガス１３が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられたカーボンナノチューブ１４、導電性のソース電極１５、ドレイン電極１６及びゲート電極１７とを備える。カーボンナノチューブ１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続され、ゲート電極１７は、カーボンナノチューブの側面から一定の間隔を隔てて位置する。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電圧を印加しその間のＳＤ電流を検出するＳＤ電流検出回路１８と、ソース電極とゲート電極の間に可変電圧を印加しその間のゲート電圧を検出するゲート電圧印加回路１９と、半導体チップに可変磁場を印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換における光の照度に対する分解能を高めることを課題の一つとする。
【解決手段】入射した光の照度に応じて第１の電流を生成する光電変換回路１００と、第１の電流に応じて電気容量が変化する充放電手段を有する充放電回路１０１と、オン状態またはオフ状態になることにより光電変換回路１００と充放電回路１０１との導通を制御する第１のスイッチング素子１１１と、一定の値である第２の電流を生成する電流回路１０２と、オン状態またはオフ状態になることにより充放電回路１０１と電流回路１０２との導通を制御する第２のスイッチング素子１１２と、第１の入力端子及び第２の入力端子を有し、前記第１の入力端子に基準電位である信号が入力され、前記第２の入力端子が充放電回路１０１に電気的に接続されたコンパレータ１０３と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で狭いところでも装着できるセンサ、太陽電池等の電気素子と、該電気素子を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状体２に、蒸着、或いは半導体の溶融、溶解又はゲル状態のものを塗布することにより、半導体８をコーティングする。その回りに、４本の絶縁線６、例えば糸を縞状に接合したものを巻き付ける。次に１本の絶縁線６をはがして、その跡に銅を蒸着して銅線９を形成する。最後に銅線９に隣接しない絶縁線をはがして、その跡にアルミニウムを蒸着してアルミニウム線１０を形成する。そして銅線９、アルミニウム線１０の間の抵抗値を測ることにより、半導体８に照射している光の強度を知ることができる。４本の絶縁線の太さを調整することにより、銅線９、アルミニウム線１０のそれぞれの直径、及びその間隔を決めることができ、また絶縁線６として細い糸を用いることにより、小型の光センサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】不純物層を特性よく形成し、更に合わせ位置を正確に形成し、更にノイズ低減が可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面４ａと第１主面４ａと相対向する第２主面４ｂを有し、かつ撮像素子領域１００ａと周辺領域２００とを有する第１導電型の半導体層４と、撮像素子領域１００ａにおける半導体層４の第１主面に形成され、光電変換により電荷を蓄積する受光部１０と、受光部１０を囲んで、半導体層４の第１主面４ａから半導体層４の途中にまで延びる素子分離領域用の第２導電型の第１不純物層１２と、半導体層４の第２主面４ｂから第１不純物層１２の底部に達する素子分離用の第２導電型の第２不純物層１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】アノード基板と外部支持体間にハンダ付けを行うことにより真空セルの気密封止を製造歩留りよく実現する。
【解決手段】カソード基板１０と、カソード基板１０上に配置された電子放出源部１４と、電子放出源部１４を取り囲みカソード基板１０上の外周部に配置された外部支持体２０と、カソード基板１０に対向して配置され、外径が外部支持体２０の外径よりも小さいアノード基板１２と、アノード基板１２上に、電子放出源部１４に対向して配置される光電変換膜２２と、アノード基板１２の外周部に配置される第１ハンダ４２と、外部支持体２０上に配置される第２ハンダ４０と、第１ハンダ４２と第２ハンダ４０間に配置される第３ハンダ３６とを備え、第３ハンダ３６を介して第１ハンダ４２と第２ハンダ４０間にハンダ付けを行うことにより、アノード基板１２とカソード基板１０間を真空に保持するＦＥＤセンサおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、簡単に大量生産が可能なテラヘルツ光伝導基板、並びに、それを用いたテラヘルツ光検出装置、テラヘルツ光発生装置、およびテラヘルツ光測定装置を提供する。
【解決手段】 本発明のテラヘルツ光伝導基板１０は、第１の半導体層１１と、第１の半導体層１２の一方の主面上に形成された、光照射により伝導性を示す第２の半導体層１２とを備え、第２の半導体層１２は、希土類元素を含有する。これにより、光伝導材料に必要な（１）非常に短いキャリア寿命、（２）高い絶縁性、（３）比較的高い移動度という３つの特性を有する光伝導材料を実現可能である。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性の向上を図ることができる有機半導体膜の電界処理方法、及び有機半導体デバイスの製造方法、並びに薄膜センサーを提供する。
【解決手段】 第１電極１０上に有機半導体膜２０を形成し、この有機半導体膜２０に第２電極３０を形成した後、第１電極１０及び第２電極３０に電圧を印加して有機半導体膜２０に電界を与えることにより、有機半導体膜２０の周縁部に向かって有機半導体膜２０中のイオン化した混入物を移動させるようにし、有機半導体膜２０の電気的特性の向上を図るようにした。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が絶縁性材料と導電性材料を含む。 （もっと読む）

放射の検出に使用される第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０を有する半導体ボディ２を備えている放射受光器１を開示する。第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０は、垂直方向に互いに隔置されている。第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間にはトンネル領域２４が配置されている。トンネル領域２４は接続面３１に導電接続されており、接続面３１は、第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間で半導体ボディ２に外部から電気的に接触する目的で使用される。さらに、放射受光器を製造する方法も開示する。
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【課題】 伝搬させたい方向にエネルギー的に効率良くテラヘルツ波を伝搬させることのできる電磁波発生素子の提供。
【解決手段】 キャリア発生層１０１で発生したキャリアに基づき生じるテラヘルツ波を伝搬させるための伝送線路が、第１の領域１０６と、第２の領域１０７とを備えている。第１の領域１０６は、前記テラヘルツ波が第１の方向１１０に伝搬する領域である。第２の領域１０７は、該第１の領域１０６とはインピーダンスが異なり、且つ該第１の方向１１０とは反対方向に伝搬するテラヘルツ波に対して反射界面１０８を構成する領域である。前記反射界面１０８を経由せずに前記第１の方向１１０に伝搬するテラヘルツ波の時間波形の半値幅から換算される距離をＤとする。このとき、前記キャリア発生層１０１へ光が照射される照射位置１０９から前記反射界面１０８までの距離がＤ未満となるように、前記伝送線路が構成されている。 （もっと読む）