【課題】良好な光変調波形を得つつ、高温動作化及び低消費電力化を図ることができる光モジュールを得る。
【解決手段】本発明に係る光モジュールは、ステムと、ステムの表面に形成された凸部と、凸部上に搭載された光半導体素子と、ステムと絶縁され、ステムを貫通して設けられた給電用端子と、凸部上に搭載された第１の誘電体基板と、第１の誘電体基板上に形成され、光半導体素子と給電用端子の一端とを接続する第１の信号線と、ステムの裏面に形成された第２の誘電体基板と、第２の誘電体基板上に形成され、給電用端子の他端に接続された第２の信号線とを有し、第２の信号線の電気長は２３．０〜３６．２ｍｍであり、第２の信号線のインピーダンスは２１．５〜２４．５Ωである。 （もっと読む）

【課題】周囲の照度を反映する光とは異なる光の影響を受ける場合に、出力信号が周囲の照度に応じた信号と大きく異なってしまうことを防止できる照度センサを提供すること。
【解決手段】照度センサ１０は、受光素子１１によって受光した光の照度に応じた信号を出力端子１３から出力する照度センサであって、出力端子１３から出力する信号を一定に保持するラッチ回路１４を有し、外部入力端子１５から入力される制御信号によって、ラッチ回路１４の信号保持動作がオンオフ制御されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】増幅回路内の寄生抵抗を低減し、半導体装置に設けられた光電変換素子の光感度の低減を抑制する。また光電変換素子の出力電流を増幅する増幅回路を安定に動作させる。
【解決手段】光電変換素子と、少なくとも２つの薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路と、前記薄膜トランジスタのそれぞれに電気的に接続された高電位電源と、前記薄膜トランジスタのそれぞれに電気的に接続された低電位電源とを有する。参照側の薄膜トランジスタがｎ型の薄膜トランジスタのときは、前記参照側の薄膜トランジスタを前記低電位電源と近いところに配置する。参照側の薄膜トランジスタがｐ型の薄膜トランジスタのときは前記参照側の薄膜トランジスタを前記高電位電源と近いところに配置する。 （もっと読む）

【課題】大規模な演算回路を用いることなく処理の高速化を図ることを可能にして検出時間の短縮化を図るとともに、他方向のオプティカルフローの検出を抑止することを可能にした固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光を受光してオプティカルフローを検出する固体撮像素子において、所定の方向に広がる所定のオプティカルフローに沿って光を受光する画素を配列したものであり、各画素は、上記所定のオプティカルフローに沿って所定の間隔を開けて配列し、同一の面積を備えるとともに上記所定のオプティカルフローに沿って縦横比を変化させた。 （もっと読む）

【課題】温度変化による装置の変形を抑えることが可能な光電気変換装置を提供する。
【解決手段】電気信号を光信号に変換する発光素子４Ａと、この発光素子４Ａに電気信号を送信するためのＩＣ回路５０Ａと、発光素子４Ａが実装されるマウント基板３と、外部コネクタ７と着脱可能な電気コネクタ６と、発光素子４Ａと光学的に結合する導波路９とを備え、電気コネクタ６は、マウント基板３の発光素子４ＡおよびＩＣ回路５０Ａが実装される一方面３ａに設けられた光電気変換装置１Ｂであって、マウント基板３と電気コネクタ６との間には、電極パターンを変更するインターポーザ基板８が設けられ、このインターポーザ基板８が、マウント基板３と同一のシリコン樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧を比較的高く維持しつつＦＧに対する放射ノイズの影響を低減できる光通信モジュールを提供する。
【解決手段】導電性のパッケージ８と、パッケージ８に接続する導電性のリードピン１２ａとを有するＴＯＳＡ４ａと、リードピン１２ａに接続する導電性の電極２０ａと、電極２０ａ上に設けられた回路基板５と、回路基板５上に設けられており、回路基板５を挟んで電極２０ａに重なるように配置された導電性の電極と、パッケージ８に接続しており、ＴＯＳＡ４ａ、電極２０ａ、回路基板５及び電極を収容する導電性のケース６とを備え、電極２０ａ、回路基板５及び電極はコンデンサを成している。 （もっと読む）

【課題】外部雑音の影響を受けず、超小型で、高感度、高いＳ／Ｎ比の長波長の赤外線を実現できる光センサを提供すること。
【解決手段】基板１０の、光が入射する面とは反対側の表面に、少なくとも第１の導電型の半導体層２０と第２の導電型の半導体層４０とが順次積層された光吸収部２を複数個有し、センサ部３を構成する複数の光吸収部２の上方であって、光が入射する面とは反対側の面に、所定の膜厚又は誘電率を有する絶縁層７０を介して、導電性の遮蔽部材８０を設けた。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換素子間でのクロストークを抑え易い有機光電変換素子アレイおよびこれを用いたイメージセンサを提供すること。
【解決手段】基板１と、該基板１上に配置された複数の有機光電変換素子６とを備えた有機光電変換素子アレイＡ₁を作製するにあたり、複数の有機光電変換素子６の各々は、基板１上に配置された第一電極２と、該第一電極２上に配置された光電変換層３と、該光電変換層３上に配置された第二電極４と、光電変換層３と第一電極２または第二電極４との間に配置されたバッファ層５とを有する構成とし、かつ個々の有機光電変換素子６におけるバッファ層５および光電変換層３のうちの少なくとも一方を有機光電変換素子６毎に分離する。 （もっと読む）

【課題】 検出素子の支持体としてマイクロエアブリッジ構造体を有し、感度の向上、特性劣化の改善、チッピング不良の改善を図った熱型赤外線検出装置、およびその製造方法を得る。
【解決手段】 熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。前記金属反射膜１５は、ｐｎ接合ダイオードの特性劣化の改善のためのアニール時の発熱体として用いると共に、照射赤外線を前記赤外線吸収層１３に集光して感度を高める反射膜としても使用する。また前記センサ部を有するウェハの切断線上の配線には基板内部に設けた拡散抵抗配線３３、３４を用い、金属薄膜による配線を追放することで切断時のチッピング不良を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズを低減し、ＳＮ比を向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板に配される第１導電型の第１の半導体領域と、その一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送するゲート電極とを有している。さらに、光電変換素子と隣接する素子とを電気的に分離する素子分離領域と、第２の半導体領域と素子分離領域を介して隣接する、その隣接する素子を構成する第２導電型の第４の半導体領域とを有し、ゲート電極へ電位を与えるための配線が素子分離領域上に配されている。ここで、第４の半導体領域と素子分離領域との間に、第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電型の第５の半導体領域を有する。 （もっと読む）