【課題】 基板掃き出し電圧を上昇させることなく受光領域の必要な面積を確保し、画素間ブルーミングを効果的に低減し、長波長感度も良好な、微細化された個体撮像素子を効率的に製造すること。
【解決手段】 オーバーフローバリア層（１２，１３）は斜めイオン注入により形成し、所定の画素間分離領域（２０）は垂直方向からのイオン注入により形成するというふうに、形成する不純物層（１２，１３，２０）の性質や役割に応じて、イオン注入の方向を使い分ける。特に、長波長の光に感度をもつフォトダイオード間を分離するためには、画素分離領域（２０）は深さ方向に十分な厚みをもつ必要があるため、意図的に、チャネリングが生じ易い方向からのイオン注入により形成し、低い打ち込みエネルギーで所望の濃度プロファイルをもつ画素間分離用の不純物領域を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ファクシミリやスキャナ、デジタルカメラ等幅広い製品で使用され、文字や図形等の各種情報を光を用いて電気情報へと変換する情報読取装置に組み込んで利用され、有機光電変換層とカラーフィルタと駆動回路部を同一の基板上に設けることができ、小型軽量で信頼性に優れるとともに生産性に優れる有機光電変換センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の有機光電変換センサ１は、基板２と、基板２の上に形成された第１電極４及び駆動回路部３と、第１電極４の上面の一部又は全部に形成されたカラーフィルタ５と、カラーフィルタ５の上の一部又は全部に形成された第４電極７と、第４電極７の上面の一部又は全部に形成された有機光電変換層８と、有機光電変換層８の上面の一部又は全部に形成された第５電極９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 色分離特性および感度の改善された積層型カラーセンサを提供する。
【解決手段】 積層型カラーセンサは、光吸収部の表面から順に積層配置された第１から第３までの光吸収層と、光吸収部の表面の一部に形成されたバイアス電極と、光吸収によって生成したキャリアを電気信号として検出するために光吸収層の各々へ電気的に接続された検出電極とを含み、互いに隣接する光吸収層は、互いに異なる波長帯域の光を吸収してキャリアを生成するように、互いに異なる比率でＳｉとＧｅを含むＩＶ族系半導体のヘテロ積層構造を構成しており、第１から第３までの光吸収層において、それらの伝導帯の下限レベルが順次に不連続に低下もしくは上昇する階段状のレベル変化を示すか、またはそれらの価電子帯の上限レベルが順次に不連続に上昇もしくは低下する階段状のレベル変化を示すことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 中空構造を有する半導体装置の製造方法であって、メンブレンの破損を防いで歩留まりを向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 犠牲層エッチングによって中空構造を有する半導体装置を製造するに際して、犠牲層にエッチングガスを通気するための通気孔を形成し、中空部分に犠牲層を残したまま、ウエハのダイシング工程、ダイスボンド工程、ワイヤーボンド工程を実行した後に、犠牲層をエッチングによって除去する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、経時的に増加する漏れ電流を低減でき長時間の使用に耐えうる高Ｓ／Ｎ比の有機光電変換センサを提供することを目的とし、スキャナ、コピー機などにおいて物体の形状や画像等の各種情報を電気信号として取り出す情報読取装置への利用が可能で、長時間の使用にも耐えられる情報読取装置が得られる有機光電変換センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の有機光電変換センサ１は、基板２上に形成された少なくとも２つの電極４，６と、電極４，６間に形成された有機光電変換層５と、を備えた有機光電変換センサ１であって、電極４，６が、実質的にアルカリ金属元素及び／又はアルカリ士類金属元素を含有していないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入力光に応じた信号を出力する受光装置に関し、簡単な構成で内部回路の検査を行なうことができる受光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、入力光に応じた信号を出力する受光装置であって、入力光に応じた検出信号を出力する複数の受光素子（ＰＤA、ＰＤA´）と、複数の受光素子（ＰＤA、ＰＤA´）から出力された検出信号（ＶA、ＶA´）を比較し、比較結果に基づいて出力信号を出力する出力回路（１６）と、テスト信号のレベルに応じて出力回路（１６）に供給される複数の検出信号（ＶA、ＶA´）のいずれかを制御するテスト回路（１１１）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長又は短波長光子に対し透過性であり、シリコンウェハ（６）又はチップのようなシリコンの光子感知層の裏側に取り付けられた、低抵抗率即ち電気伝導性のシリコン層の組み合わせを提供する。
【解決手段】ウィンドウがフォトダイオード、電荷結合素子、活性ピクセルセンサー、低エネルギーＸ線センサー、及び他の放射検出器のような光子感知シリコンデバイスに設けられる。シリコンウィンドウは、光子が、前側にプリントされた回路から妨害されることなく、裏側からデバイスを照射できるように、感光シリコンウェハ又はチップの裏側（１０）に設けられる。電荷キャリアの高抵抗率感光シリコン容積を完全に空乏化するに十分な電圧が、低抵抗率裏側ウィンドウと、デバイスのパターン付けされた前側との間に掛けられる。 （もっと読む）

【課題】画像を読み取り、その映像を映し出す小型のシステムを得る。
【解決手段】アクティブマトリクス回路からなる表示部と、該アクティブマトリクス回路を駆動するための周辺駆動回路と、センサ部とが同一基板上に配置された表示装置であって、前記表示部の対向基板は、シール部とスペーサにより前記基板との間隔が一定に保たれ、前記センサ部の対向基板は、接着剤で前記基板と密着している。このような構成により、センサ部を全く外気に触れない構成とすることができ、外気と触れることにによる劣化を防ぐ。 （もっと読む）

放射線センサ（１０）は、支持体（１）と、支持体の一表面に形成される凹部または貫通孔であってもよいキャビティ（２）と、キャビティの上方に、好適にはキャビティ（２）を覆う薄膜（３）上に形成されるセンサ素子（４，４ａ，４ｂ）と、センサ素子（４，４ａ，４ｂ）の電気端子（５，５ａ，５ｂ）とを含む。支持体（１）の表面のキャビティは、完全にまたは部分的に丸い外形を有している。
（もっと読む）

【課題】 ＰＭＴへの入射光量を広いダイナミックレンジで且つ小さい消費電力で検出できる光検出用回路及び光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出用回路２は、ＰＭＴ３の陽極３３に接続される。光検出用回路２は、陽極３３からの出力電流Ｉを電圧信号Ｖ１に変換するＩ／Ｖ変換回路２０と、電圧信号Ｖ１から暗電流（ダークカウント）を除去して電圧信号Ｖ２を生成する暗電流除去回路２１と、電圧信号Ｖ２を成形する一次遅れフィルタ回路２２と、一次遅れフィルタ回路２２を通過した電圧信号Ｖ３をディジタルデータＤ１に変換するＡ／Ｄ変換回路２３ｃと、ディジタルデータＤ１を積算することによりＰＭＴ３への入射光量に応じた光量データＤｏｕｔを生成する演算処理装置（ＣＰＵ）２３ｄとを備える。そして、演算処理装置２３ｄは、ディジタルデータＤ１の値の減少に伴い積算時間をより長時間に設定する。 （もっと読む）