【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】多孔質電極を焼成により形成する際に集電配線を構成する銀粒子が流動するのを有効に防止することができ、配線不良の発生を抑えることができる光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明基板１の透明導電層２上に設けられた多孔質電極５と対極８との間に電解質層１０が設けられた構造を有する光電変換素子を製造する場合に、透明導電層２上に銀粒子と低融点ガラスフリットとを含む導電性ペーストにより集電配線３を形成する。色素増感光電変換素子においては、多孔質電極５の表面に光増感色素を結合させる。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネリングを用いて、狭いエネルギーにおいて分布する電子を広エネルギー分布から抽出することができる光電池装置を提供する。また、平均電子エネルギーを維持するが、伝導バンド最小エネルギーを向上させる光電池装置を提供する。
【解決手段】価電子バンドと伝導バンドのエネルギー差がE_g1である第１半導体材料２４と、価電子バンドと伝導バンドのエネルギー差がE_g2である第２半導体材料２６とを備え、E_g1とE_g2との値が互いに異なる共鳴トンネリング装置である。本装置は、さらに、第１半導体材料２４と第２半導体材料２６とを接続するエネルギー選択的通過インターフェース２５を備えている。 （もっと読む）

【課題】焼成時反りの発生を抑制し、変換効率の向上に寄与するＢＳＦ効果を失うことがないアルミニウムペースト組成物を提供する。
【解決手段】アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機ビヒクルとを含む太陽電池シリコンウエハ用焼成ペースト組成物であって、金属酸化物のナノ粒子を含むこと、前記金属酸化物ナノ粒子の平均粒子径が１０〜５０ｎｍであることである。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＳ系結晶が大きく、ＣＩＳ系膜にクラックがない膜を得る太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、１１族元素、１３族元素、１６族元素を含む光吸収層１２を有する太陽電池１０であって、光吸収層１２が空隙構造を有しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にＶI族化されることを抑制し、且つＶI族欠陥の少ない高品質なIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜物質を形成する薄膜形成工程（Ｓ１２）と、IＢ族−IIIＡ族金属間化合物を含む薄膜を形成する予備熱処理工程（Ｓ１３）と、ＶI族物質を含む雰囲気中でIＢ族−IIIＡ族金属間化合物を含む薄膜を加熱し、ＣｕｘＡ（ＡはＳ、Ｓｅから選択される少なくとも一種、０．５≦ｘ≦１）相を備える中間体を形成する第一熱処理工程（Ｓ１４）と、ＶI族物質がない雰囲気下またはＶＩ族濃度が薄い雰囲気下で中間体を熱処理する第二熱処理工程（Ｓ１５）と、ＶI族物質を含む雰囲気中又はＶI族濃度が濃い雰囲気中で、IＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体を熱処理する第三熱処理工程（Ｓ１６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノワイヤを含む太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１^＋＋型多結晶シリコン層を形成する第１^＋＋型多結晶シリコン層形成ステップと、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層上に金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成ステップと、前記金属薄膜層を金属ナノ粒子に形成する金属ナノ粒子形成ステップと、前記金属ナノ粒子をシードにして前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から第１型シリコンナノワイヤを成長させる第１型シリコンナノワイヤ成長ステップと、を含む太陽電池の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】インク材料等として、発光輝度の向上を可能にする材料を提供すること。
【解決手段】分子量２００以上の共役化合物がアスペクト比１．５以上の金属ナノ構造体に吸着されてなる金属複合体及びイオン性化合物を含む金属複合体組成物（ここで、イオン性化合物が共役化合物の場合、イオン性化合物である共役化合物の分子量は２００未満である。）；金属複合体組成物と、分子量２００以上の共役化合物とを含有する混合物等。イオン性化合物は、下記式（ｈｈ−１）で表される構造を有する化合物であってもよい。
【化１】


（式中、Ｍ^ｍ’＋は、金属カチオンを表す。Ｘ’^ｎ’−はアニオンを表す。ａ及びｂはそれぞれ独立に、１以上の整数を表す。Ｍ^ｍ’＋及びＸ’^ｎ’−の各々は複数存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】光電変換部の破損を低減した光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュールは、一主面２ａを有する第１基板２と、該第１基板２の一主面２ａ上に設けられた、光吸収層４を有する光電変換部１とを有する。さらに、光電変換モジュールは、光電変換部１を被覆する被覆層８と、受光面９ａおよび該受光面の裏面に相当する非受光面９ｂを有し、該非受光面９ｂが被覆層８と接触するように設けられた第２基板９とを有する。そして、光電変換モジュールにおいて、第２基板９の受光面９ａにおける表面圧縮応力は、第１基板２の一主面２ａにおける表面圧縮応力よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】工程数を低減して、効率的に製造することが可能な選択エミッタ構造を有する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の受光面となる面に、ドーパントを含む化合物及びチタン系化合物を少なくとも含む溶液を塗布し、熱処理することによりドーパントが拡散された第１エミッタ層６と前記ドーパントを含む反射防止膜７とを形成する工程と、反射防止膜上からレーザを照射することにより第２エミッタ層５を形成する工程とを備えた太陽電池３１の製造方法である。 （もっと読む）