【課題】軽量で可撓性を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、蓄電部１０と、受光部２０と、半導体層４０と、膨張黒鉛シート３とを備える。蓄電部１０は、正極２、負極４、及び電解質６を有する。電解質６は、正極２と負極４との間に配されている。受光部２０は、正極２の上に配されている。受光部２０は、第１の半導体からなる。半導体層４０は、負極４の上に配されている。半導体層４０は、第２の半導体からなる。膨張黒鉛シート３は、蓄電部１０の正極２と電解質６との間に配されている。 （もっと読む）

【課題】裏面パッシベーション型の光電変換素子において、裏面電極のまわりに均質にＢＳＦを形成し、変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換素子１は、片面にｎ型拡散層１１が形成され、前記片面と反対側の面に凹部１０ｂを有するｐ型結晶シリコン基板１０と、ｐ型結晶シリコン基板１０の前記片面と反対側の面に接して形成され、凹部１０ｂと対応する位置に開口部３０ａを有するパッシベーション膜３０と、開口部３０ａを介して凹部１０ｂと接するように形成されたアルミニウム電極４１とを備える。ｐ型結晶シリコン基板１０は、ｐ型結晶シリコン基板１０よりもドーパント濃度の高い高濃度ｐ型拡散層１２を凹部１０ｂに有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で大面積の積層基板を高速で高精度に検査できる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板Ｋ０上にモリブデン層Ｋ１が形成されると共にモリブデン層Ｋ１上に薄膜Ｋ２，Ｋ３が形成された基板Ｋの、薄膜Ｋ２，Ｋ３側から形成されたパターニングを検査する検査装置１であって、移送中の基板Ｋのガラス基板Ｋ０側に光を照射する下部照明１０と、移送中の基板Ｋの薄膜Ｋ２，Ｋ３側に光を照射する上部照明２０とを設けると共に、基板Ｋを透過する下部照明１０の光軸Ｐ上で且つ基板Ｋで乱反射する上部照明２０の光軸Ｄ上に配置された第１ラインセンサカメラ１１と、基板Ｋで正反射する上部照明２０の光軸Ｓ上に配置された第２ラインセンサカメラ２１とを設け、ラインセンサカメラ１１，２１で検知した光の状態に基づいてパターニングの良否を判断する突き抜け検査用パソコン１２及び擦れ検査用パソコン２２を具備する。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有するＣＺＴＳ系薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】ＣＺＴＳ系薄膜太陽電池は、基板１と、基板１上に形成した金属裏面電極層２と、金属裏面電極層２上に形成したｐ型ＣＺＴＳ系光吸収層３と、ｐ型ＣＺＴＳ系光吸収層３上に形成したｎ型透明導電膜５と、を備え、ｐ型ＣＺＴＳ系光吸収層３と金属裏面電極層２との界面に、ＺｎＳ系小粒子の分散層３０を有する。 （もっと読む）

【課題】 搬送ワークの搬送中に生じるヨーイングを搬送しながら補正できるヨーイング補正機構を提供すること。
【解決手段】 搬送ワーク５の側部を保持する保持装置３と、レール６に沿って保持装置３をワーク送り方向Ｘに搬送する走行装置２と、保持装置３を走行装置２のワーク送り方向前部及び後部で支持する支持機構３１，３２とを備え、支持機構３１，３２は、走行装置２に設けた駆動軸の軸線O₁ ，O₂ に対して所定の偏心量ｅで前部又は後部の一方がワーク送り方向Ｘに偏心した位置で、他方がワーク送り方向Ｘと交差する方向に偏心した位置で保持装置３と係合する軸線O₃ を具備した偏心軸３８を有し、搬送ワーク５のヨーイングを、偏心軸３８の軸線O₃ を駆動軸３６，３７の軸線O₁ ，O₂ を中心に回動させることで保持装置３と走行装置２との位置を相対移動させて補正する。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができる加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、（Ａ）銀粉末と、（Ｂ）加熱硬化性成分と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）溶剤と、必要に応じて（Ｅ）添加剤とを含有しており、さらに、レオメータで測定した貯蔵弾性率が１００Ｐａ〜４００Ｐａとなっている。これにより、高い導電性を実現しつつ高精細な導体パターンを低コストで形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、光電変換部３を備える。光電変換部３は、ｐ型非晶質半導体層３１、バッファ層３２、シリコン薄膜３３、ｉ型非晶質半導体層３４およびｎ型非晶質半導体層３５を積層した構造からなる。バッファ層３２における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲からなる。また、シリコン薄膜３３は、バッファ層３２とｉ型非晶質半導体層３４との間に配置され、バッファ層３２の光学バンドギャップとｉ型非晶質半導体層３４の光学バンドギャップとの間の光学バンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Ｍｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Ｘは、Ｍｏと合金を形成し、Ｍｏより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Ｔｌより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Ｘの含有量は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましい。少なくとも表面から５０ｎｍまでの領域が本発明に係るＭｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極。元素Ｘは、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽光の吸収率が高く且つ光電変換効率が高い太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、順に配列し且つ互いに接触する第一電極と、Ｐ型シリコン層と、Ｎ型シリコン層と、第二電極と、反射素子と、を含む。第一電極とＰ型シリコン層とＮ型シリコン層と第二電極とが一つの直線上に設置されて全体構造を有する一つの電池ユニットを形成し、該電池ユニットは、前記直線に平行し、互いに対向する第一表面及び第二表面を含み、前記第一表面は、太陽電池の太陽光を直接的に吸収する光入射面であり、前記反射素子は、前記第二表面に設置される。 （もっと読む）